设计了一种利用电阻比值校正一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性来实现低温度系数的高精度低温度系数带隙基准源;同时设置了修调电路提高基准电压的输出精度。该带隙基准源采用0.8μm Bi CMOS(Bipolar-CMOS)工艺进行流片,带隙基...设计了一种利用电阻比值校正一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性来实现低温度系数的高精度低温度系数带隙基准源;同时设置了修调电路提高基准电压的输出精度。该带隙基准源采用0.8μm Bi CMOS(Bipolar-CMOS)工艺进行流片,带隙基准电路所占面积大小为0.04 mm^2。测试结果表明:在5 V电源电压下,在温度-40℃~125℃范围内,基准电压的温度系数为1.2×10^(-5)/℃,基准电流的温度系数为3.77×10^(-4)/℃;电源电压在4.0 V^7.0 V之间变化时,基准电压的变化量为0.4 m V,电源调整率为0.13 m V/V;基准电流的变化量为变化量约为0.02μA,电源调整率为6.7 n A/V。展开更多
文摘设计了一种利用电阻比值校正一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性来实现低温度系数的高精度低温度系数带隙基准源;同时设置了修调电路提高基准电压的输出精度。该带隙基准源采用0.8μm Bi CMOS(Bipolar-CMOS)工艺进行流片,带隙基准电路所占面积大小为0.04 mm^2。测试结果表明:在5 V电源电压下,在温度-40℃~125℃范围内,基准电压的温度系数为1.2×10^(-5)/℃,基准电流的温度系数为3.77×10^(-4)/℃;电源电压在4.0 V^7.0 V之间变化时,基准电压的变化量为0.4 m V,电源调整率为0.13 m V/V;基准电流的变化量为变化量约为0.02μA,电源调整率为6.7 n A/V。
