-
题名混合键合技术在三维堆叠封装中的研究进展
被引量：1
- 1
-
-
作者
赵心然
袁渊
王刚
王成迁
-
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
-
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第3期190-198,共9页
-
文摘
随着半导体技术的发展,传统倒装焊(FC)键合已难以满足高密度、高可靠性的三维(3D)互连技术的需求。混合键合(HB)技术是一种先进的3D堆叠封装技术,可以实现焊盘直径≤1μm、无凸点的永久键合。阐述了HB技术的发展历史、研究进展并预测了发展前景。目前HB技术的焊盘直径/节距已达到0.75μm/1.5μm,热门研究方向包括铜凹陷、圆片翘曲、键合精度及现有设备兼容等,未来将突破更小的焊盘直径/节距。HB技术将对后摩尔时代封装技术的发展起到变革性作用,在未来的高密度、高可靠性异质异构集成中发挥重要的作用。
-
关键词
混合键合(hb)
先进封装
三维(3D)堆叠
无凸点键合
范德华力
-
Keywords
hybrid bonding(hb)
advanced packaging
three-dimensional(3D)stacking
bumpless bonding
van der Waals force
-
分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名晶圆级集成技术研究进展
- 2
-
-
作者
赵国强
赵毅
-
机构
中国电子科技南湖研究院
浙江大学信息与电子工程学院
华东师范大学集成电路科学与工程学院
-
出处
《功能材料与器件学报》
CAS
2023年第1期12-21,共10页
-
基金
科技创新2030-“新一代人工智能”重大项目(批准号:2020AAA0109000)
浙江省“领雁”重点研发计划(批准号:2022C01098)
-
文摘
随着物联网时代的来临,传统的传感器芯片与存算芯片相分离的架构已难以满足实际场景的需求。3D集成技术能够缩短传感器芯片与存算芯片间的物理距离,实现功能扩展,提升系统能效。晶圆级集成由于对准精度高和互连密度大,一直是学界和产业界的研究热点。文章对晶圆级集成技术中的两种主流工艺,包括硅通孔和混合键合工艺,进行了系统性介绍;并结合国内外多个研究机构的最新进展,对其发展方向进行了展望,以实现适用于感存算一体化芯片的晶圆级集成工艺。
-
关键词
晶圆级集成
3D集成
硅通孔(TSV)
混合键合(hb)
感存算一体化
-
Keywords
Wafer-level Integration
3D Integration
Through-silicon Via(TSV)
Hybrid Bonding(hb)
Sensing-memory-computing Integrated
-
分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
