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混合应变多量子阱实现折射率变化低偏振相关的理论分析
1
作者 戴明 缪庆元 +3 位作者 何平安 王宝龙 何秀贞 骆意 《光学与光电技术》 2016年第2期64-69,共6页
考虑温度变化和载流子注入阱间分布不均匀性,给出求解量子阱材料折射率变化的理论分析模型。分析了量子阱应变量大小、阱宽、垒区材料组分和注入载流子浓度对TE模和TM模折射率变化的影响。设计出折射率变化低偏振相关的混合应变多量子... 考虑温度变化和载流子注入阱间分布不均匀性,给出求解量子阱材料折射率变化的理论分析模型。分析了量子阱应变量大小、阱宽、垒区材料组分和注入载流子浓度对TE模和TM模折射率变化的影响。设计出折射率变化低偏振相关的混合应变多量子阱结构,在0~40℃的温度范围,其折射率变化量在1 530~1 570nm波长范围内具有较大数值（6×10^-3）,且具有低的偏振相关性;当载流子浓度从1×10^24 m-3增大到3×10^24 m-3时,其折射率变化量在增大的同时,仍可在一定温度下保持低偏振相关。 展开更多
关键词 多量子阱 混合应变 折射率变化 载流子导引 偏振相关
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一种大功率低偏振度量子阱超辐射发光二极管 被引量：5
2
作者 刘科 宋爱民 +1 位作者 田坤 廖柯 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期949-953,共5页
设计了一种张应变与压应变相结合的混合应变量子阱结构超辐射发光二极管,研究了TE模和TM模在器件中的模式增益,分析了影响增益偏振性的因素,在此基础上通过改变有源层量子阱的应变类型、应变量以及层数来达到高增益和偏振不敏感性。最... 设计了一种张应变与压应变相结合的混合应变量子阱结构超辐射发光二极管,研究了TE模和TM模在器件中的模式增益,分析了影响增益偏振性的因素,在此基础上通过改变有源层量子阱的应变类型、应变量以及层数来达到高增益和偏振不敏感性。最后按设计工艺流程生长了芯片,实验结果表明,所设计的SLD芯片单管输出功率在100mA驱动电流下可达3.5mW,出射光谱FWHM约为40nm,20nm波长范围内偏振度为0.3dB,具有较理想的大功率、宽光谱、低偏振度特性。 展开更多
关键词 超辐射发光二极管 混合应变量子阱 低偏振度
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几何非线性混合应变元的构造及应用 被引量：1
3
作者 李锡夔 《上海力学》 CSCD 1994年第4期20-32,共13页
本文基于由文献[1]导出的几何非线性混合应变元一般公式,构造了三个八节点六面体几何非线性混合应变元和Simo-Rifai的二维四边形线性应变元的几何非线性混合应变元。数值结果表明,所构造的二维及三维几何非线性混合应变元具有理想的性... 本文基于由文献[1]导出的几何非线性混合应变元一般公式,构造了三个八节点六面体几何非线性混合应变元和Simo-Rifai的二维四边形线性应变元的几何非线性混合应变元。数值结果表明,所构造的二维及三维几何非线性混合应变元具有理想的性能。它们通过分片试验,且没有虚假剪切现象和不可压缩材料的自锁。同时,它们对歪扭网格不敏感,在利用粗疏网格离散时对线性和非线性(几何和材料)问题具有很高的精度。 展开更多
关键词 混合应变元 几何 非线性 悬壁梁 应力场
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混合应变多量子阱有源材料及其增益偏振特性 被引量：1
4
作者 段子刚 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1453-1455,共3页
采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1- y多量子阱材料 ,对应1.3μm波段 平均应变量 - 0 .16 % ,周期 11nm 采用三个周期外延材料的芯片制作的LD 。
关键词 SOA 偏振无关 TM模增益 混合应变量子阱
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采用对数应变的附加混合应变元的非线性分析
5
作者 陈坚 王重华 《上海海运学院学报》 1998年第2期47-54,共8页
将Ｓｉｍｏ等提出的混合应变元应用到采用对数应变张量的有限应变分析中，给出了基于对数应变张量的几何非线性附加混合应变元的弹塑性模型，得出了简便的计算方法。数值算例表明，该方法能得到较好的结果，有较高的精度。
关键词 非线性 附加混合应变元 对数应变
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1.3μm混合应变量子阱激光器偏振特性分析
6
作者 张哲民 金锦炎 +2 位作者 黄格凡 黄德修 李同宁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第7期578-583,共6页
本文报道了采用混合应变量子阱作为有源区的激光器，并对其进行了测试和分析．偏振Ｐ－Ｉ曲线表明这种激光器的ＴＥ和ＴＭ激射模式分别对应于不同的阈值电流，ＴＭ模式的阈值电流在一定温度范围内随温度升高而降低，ＴＭ模式的斜率效率... 本文报道了采用混合应变量子阱作为有源区的激光器，并对其进行了测试和分析．偏振Ｐ－Ｉ曲线表明这种激光器的ＴＥ和ＴＭ激射模式分别对应于不同的阈值电流，ＴＭ模式的阈值电流在一定温度范围内随温度升高而降低，ＴＭ模式的斜率效率和总的斜率效率在一定温度范围内随温度升高而升高．测试了不同电流和温度下的偏振激射谱，两种激射谱随电流和温度改变都有很大变化，表明ＴＥ和ＴＭ激射模式之间有强烈的互作用．我们认为可能是由载流子分布与强激光辐射之间的非线性效应引起的． 展开更多
关键词 混合应变量子阱 激光器 偏振
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混合应变量子阱SOA的增益特性
7
作者 段子刚 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 2004年第1期30-32,共3页
报道了基于混合应变多量子阱有源材料的半导体光放大器及其增益特性.引入张应变量子阱的SOA器件,增益带宽约为50nm,偏振相关损耗小于1dB,峰值增益随偏置电流增大蓝移.在高偏置条件下,芯片剩余反射和外腔反馈引起的受激发射造成增益带谱... 报道了基于混合应变多量子阱有源材料的半导体光放大器及其增益特性.引入张应变量子阱的SOA器件,增益带宽约为50nm,偏振相关损耗小于1dB,峰值增益随偏置电流增大蓝移.在高偏置条件下,芯片剩余反射和外腔反馈引起的受激发射造成增益带谱收缩,增益下降.高性能SOA必须克服芯片剩余反射和抑制外腔反馈. 展开更多
关键词 混合应变量子阱 SOA 偏振无关 TM模增益 外腔反馈 半导体光放大器
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兼顾增益和折射率变化的低偏振混合应变多量子阱结构研究
8
作者 彭辉 缪庆元 《光学与光电技术》 2020年第3期111-118,共8页
对比分析了单量子阱TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随应变、阱宽的变化规律,同时分析了应变和阱宽对兼顾增益和折射率变化的影响。进一步考虑波导的光学限制因子及多量子阱阱间载流子浓度分布的不均匀性,提出一种多参数调配方法,据... 对比分析了单量子阱TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随应变、阱宽的变化规律,同时分析了应变和阱宽对兼顾增益和折射率变化的影响。进一步考虑波导的光学限制因子及多量子阱阱间载流子浓度分布的不均匀性,提出一种多参数调配方法,据此设计出C波段内兼顾增益谱和折射率变化谱的低偏振混合应变多量子阱结构。最后,通过分析选定合适的载流子浓度。当载流子浓度为3.22×1024m-3时,TE模和TM模3 dB谱宽交叠区面积分别为84.81 nm/cm和74.50 nm/cm,增益偏振相关性和折射率偏振相关性分别保持在4%和6%以内。该研究结果有助于未来全光网络中相关器件的优化设计。 展开更多
关键词 混合应变多量子阱 载流子导引 增益 折射率变化 3 dB谱宽交叠区面积 低偏振相关
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混和双应变强度理论研究
9
作者 刘杰民 《沈阳航空工业学院学报》 2001年第4期1-3,共3页
本文使用‘双因素假设’建立了一个预测材料破坏的强度理论。该强度理论认为引起材料破坏的主要因素是最大剪应变和第二主剪切面上的正应变。只要最大剪应变和第二主剪切面上的正应变之和达到材料的相应极限值 ,材料就破坏。在此理论中 ... 本文使用‘双因素假设’建立了一个预测材料破坏的强度理论。该强度理论认为引起材料破坏的主要因素是最大剪应变和第二主剪切面上的正应变。只要最大剪应变和第二主剪切面上的正应变之和达到材料的相应极限值 ,材料就破坏。在此理论中 ,引起破坏的因素包括了度量变形的两个基本变量 ,剪应变和正应变 ,故称为混和双应变强度理论。该强度理论既能反映第二主应力对强度的影响又能反映泊松比对强度的影响。与传统的强度理论和双剪强度理论比较表明 ,该强度理论具有更广泛的应用范围。 展开更多
关键词 屈服条件 混合双应变强度理论 材料破坏理论 双因素假设
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