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混合介质层类同轴硅通孔等效电路模型的建立与验证
1
作者
王晗
蔡子孺
+2 位作者
吴兆虎
王泽达
丁英涛
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第6期640-648,共9页
混合介质层类同轴硅通孔(coaxially-shielded through-silicon-via with mixed dielectric layer,MD CSTSV)结构由于其电学性能优良、制备工艺简单和成本低廉的特点,在高密度射频封装领域中具有极大的应用前景.本文基于多导体传输线理...
混合介质层类同轴硅通孔(coaxially-shielded through-silicon-via with mixed dielectric layer,MD CSTSV)结构由于其电学性能优良、制备工艺简单和成本低廉的特点,在高密度射频封装领域中具有极大的应用前景.本文基于多导体传输线理论和引入比例因子λ的环形介质层的复电容的计算公式,提取了该结构的单位长度RLGC电学参数,并建立了相应的等效电路模型.在0.1~40 GHz的频率范围内,利用MD CSTSV的等效电路模型仿真计算得到的S参数结果与基于HFSS全波仿真得到的S参数结果之间匹配良好,最大误差不超过7%.相关结果表明,所提取的MD CSTSV的单位长度RLGC电学参数以及相应的等效电路模型较为准确且可以很好地模拟其信号传输性能.
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关键词
硅通孔
类同轴
混合
介质
层
传输线理论
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职称材料
混合介质层类同轴垂直硅通孔的高频性能研究
被引量：
3
2
作者
丁英涛
王一丁
+2 位作者
肖磊
王启宁
陈志伟
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期1103-1108,共6页
为了改善T/R组件中2.5 D转接板的高频特性,本文提出一种工艺简单、结构新颖的混合介质层类同轴硅通孔(through silicon via,TSV)结构,对混合介质层类同轴TSV结构的外围TSV数量、TSV直径、混合介质层厚度等参数进行了仿真研究,并与传统同...
为了改善T/R组件中2.5 D转接板的高频特性,本文提出一种工艺简单、结构新颖的混合介质层类同轴硅通孔(through silicon via,TSV)结构,对混合介质层类同轴TSV结构的外围TSV数量、TSV直径、混合介质层厚度等参数进行了仿真研究,并与传统同轴TSV的回波损耗、插入损耗、串扰等性能进行对比.结果表明优化后的混合介质层类同轴TSV结构在1~45 GHz频率范围内,具有良好的射频传输性能.
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关键词
T/R组件
硅通孔
类同轴
混合
介质
层
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职称材料
题名
混合介质层类同轴硅通孔等效电路模型的建立与验证
1
作者
王晗
蔡子孺
吴兆虎
王泽达
丁英涛
机构
北京理工大学集成电路与电子学院
紫光展锐(上海)科技有限公司
北京理工大学徐特立学院
出处
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第6期640-648,共9页
基金
国家自然科学基金资助项目(62074015,61774015)。
文摘
混合介质层类同轴硅通孔(coaxially-shielded through-silicon-via with mixed dielectric layer,MD CSTSV)结构由于其电学性能优良、制备工艺简单和成本低廉的特点,在高密度射频封装领域中具有极大的应用前景.本文基于多导体传输线理论和引入比例因子λ的环形介质层的复电容的计算公式,提取了该结构的单位长度RLGC电学参数,并建立了相应的等效电路模型.在0.1~40 GHz的频率范围内,利用MD CSTSV的等效电路模型仿真计算得到的S参数结果与基于HFSS全波仿真得到的S参数结果之间匹配良好,最大误差不超过7%.相关结果表明,所提取的MD CSTSV的单位长度RLGC电学参数以及相应的等效电路模型较为准确且可以很好地模拟其信号传输性能.
关键词
硅通孔
类同轴
混合
介质
层
传输线理论
Keywords
through-silicon-via(TSV)
coaxially shielded
mixed dielectric layer
theory of transmission line
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
混合介质层类同轴垂直硅通孔的高频性能研究
被引量：
3
2
作者
丁英涛
王一丁
肖磊
王启宁
陈志伟
机构
北京理工大学信息与电子学院
出处
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期1103-1108,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(62074015,61774015)。
文摘
为了改善T/R组件中2.5 D转接板的高频特性,本文提出一种工艺简单、结构新颖的混合介质层类同轴硅通孔(through silicon via,TSV)结构,对混合介质层类同轴TSV结构的外围TSV数量、TSV直径、混合介质层厚度等参数进行了仿真研究,并与传统同轴TSV的回波损耗、插入损耗、串扰等性能进行对比.结果表明优化后的混合介质层类同轴TSV结构在1~45 GHz频率范围内,具有良好的射频传输性能.
关键词
T/R组件
硅通孔
类同轴
混合
介质
层
Keywords
T/R module
through-silicon-via
coaxially shielded
mixed dielectric layer
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
混合介质层类同轴硅通孔等效电路模型的建立与验证
王晗
蔡子孺
吴兆虎
王泽达
丁英涛
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
2
混合介质层类同轴垂直硅通孔的高频性能研究
丁英涛
王一丁
肖磊
王启宁
陈志伟
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
3
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职称材料
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