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空穴主导雪崩倍增的短波长SiC紫外单光子探测器
1
作者
苏琳琳
杨成东
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第18期227-231,共5页
制备并分析了SiC nip雪崩光电二极管(APDs)雪崩倍增的物理机制。与280 nm紫外光相比,在240 nm紫外光入射时,SiC nip APD表现出更高的增益和更大的单光子探测效率。在240 nm紫外光入射时,SiC nip APD表现为空穴主导碰撞离化过程,随着入...
制备并分析了SiC nip雪崩光电二极管(APDs)雪崩倍增的物理机制。与280 nm紫外光相比,在240 nm紫外光入射时,SiC nip APD表现出更高的增益和更大的单光子探测效率。在240 nm紫外光入射时,SiC nip APD表现为空穴主导碰撞离化过程,随着入射光波长增加到280 nm,电子和空穴共同主导碰撞离化过程。由于SiC中空穴的碰撞离化系数大于电子,空穴主导的碰撞离化过程将具有更大的光子雪崩概率和更高的增益。因此,得益于空穴主导雪崩倍增过程,SiC nip APD更适用于短波长紫外光探测。
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关键词
激
光
器
SIC
雪崩
光
电二极管
深
紫外光
探测
光
子雪崩概率
原文传递
基于大厚度六方氮化硼中子探测器的制备
被引量：
1
2
作者
刘敬润
曹炎
+8 位作者
刘晓航
范盛达
王帅
陈曦
刘洪涛
刘艳成
赵江滨
何高魁
陈占国
《半导体光电》
CAS
北大核心
2024年第3期415-419,共5页
六方氮化硼是一种中子敏感材料。介绍了使用低压气相化学沉积在1673K下以大约20μm/h的生长速率制备了高质量203μm厚的六方氮化硼。在氮化硼的两侧沉积厚度为100nm的金电极,制备了垂直结构的六方氮化硼中子探测器。该器件的电学性质表...
六方氮化硼是一种中子敏感材料。介绍了使用低压气相化学沉积在1673K下以大约20μm/h的生长速率制备了高质量203μm厚的六方氮化硼。在氮化硼的两侧沉积厚度为100nm的金电极,制备了垂直结构的六方氮化硼中子探测器。该器件的电学性质表明制备的六方氮化硼材料的迁移率寿命的乘积(μτ)为2.8×10^(-6)cm^(2)/V,电阻率为1.5×10^(14)Ω·cm。在850V电压下,该探测器对热中子的探测效率为34.5%,电荷收集效率为60%。
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关键词
宽禁带半导体
六方氮化硼
中子
探测
低压气相化学沉积
深
紫外光
电
探测
器
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职称材料
题名
空穴主导雪崩倍增的短波长SiC紫外单光子探测器
1
作者
苏琳琳
杨成东
机构
无锡学院电子信息工程学院
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第18期227-231,共5页
基金
国家自然科学基金(62106111)
无锡学院引进人才科研启动专项经费(2021r011,2021r012)。
文摘
制备并分析了SiC nip雪崩光电二极管(APDs)雪崩倍增的物理机制。与280 nm紫外光相比,在240 nm紫外光入射时,SiC nip APD表现出更高的增益和更大的单光子探测效率。在240 nm紫外光入射时,SiC nip APD表现为空穴主导碰撞离化过程,随着入射光波长增加到280 nm,电子和空穴共同主导碰撞离化过程。由于SiC中空穴的碰撞离化系数大于电子,空穴主导的碰撞离化过程将具有更大的光子雪崩概率和更高的增益。因此,得益于空穴主导雪崩倍增过程,SiC nip APD更适用于短波长紫外光探测。
关键词
激
光
器
SIC
雪崩
光
电二极管
深
紫外光
探测
光
子雪崩概率
Keywords
lasers
SiC
avalanche photodiode
deep ultraviolet detection
photon avalanche probability
分类号
O475 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
基于大厚度六方氮化硼中子探测器的制备
被引量：
1
2
作者
刘敬润
曹炎
刘晓航
范盛达
王帅
陈曦
刘洪涛
刘艳成
赵江滨
何高魁
陈占国
机构
吉林大学电子科学与工程学院
上海应用物理研究所
中国原子能科学研究院核技术综合研究所
长春理工大学物理学院
中国科学院大学
出处
《半导体光电》
CAS
北大核心
2024年第3期415-419,共5页
基金
国家自然科学基金项目(62174066,62275098,62304026,20230101343JC).
文摘
六方氮化硼是一种中子敏感材料。介绍了使用低压气相化学沉积在1673K下以大约20μm/h的生长速率制备了高质量203μm厚的六方氮化硼。在氮化硼的两侧沉积厚度为100nm的金电极,制备了垂直结构的六方氮化硼中子探测器。该器件的电学性质表明制备的六方氮化硼材料的迁移率寿命的乘积(μτ)为2.8×10^(-6)cm^(2)/V,电阻率为1.5×10^(14)Ω·cm。在850V电压下,该探测器对热中子的探测效率为34.5%,电荷收集效率为60%。
关键词
宽禁带半导体
六方氮化硼
中子
探测
低压气相化学沉积
深
紫外光
电
探测
器
Keywords
wide-bandgap semiconductor
hexagonal boron nitride
neutron detection
low pressure chemical vapor deposition
deep ultraviolet photodetector
分类号
TL814 [核科学技术—核技术及应用]
O571.53 [理学—粒子物理与原子核物理]
TL816.3 [理学—物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
空穴主导雪崩倍增的短波长SiC紫外单光子探测器
苏琳琳
杨成东
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
原文传递
2
基于大厚度六方氮化硼中子探测器的制备
刘敬润
曹炎
刘晓航
范盛达
王帅
陈曦
刘洪涛
刘艳成
赵江滨
何高魁
陈占国
《半导体光电》
CAS
北大核心
2024
1
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职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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