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深亚微米隔离技术——浅沟槽隔离工艺 被引量：6
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作者 王新柱 徐秋霞 +2 位作者 钱鹤 申作成 欧文 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期323-329,共7页
研究了浅沟槽隔离 (STI)工艺的各主要工艺步骤 :沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化 .使用器件模拟软件 Medici和 Davinci分析了 STI结构的隔离性能以及沟槽隔离 MOSFET的
关键词 浅沟槽隔离工艺 化学机械平坦化 KINK效应 反窄宽度效应 微电子 深亚微米隔离技术
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