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盐酸浸出氧化锑泥制备SbCl_3
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作者 白平平 朱刘 +2 位作者 陈伟杰 张强 危严 《广东化工》 CAS 2017年第9期112-113,115,共3页
利用HSC6.0软件分别绘制不同温度、氯离子浓度下的Sb-Cl-H_2O的E-pH图,结果表明:在Sb-Cl-H2O体系中,溶液温度、酸度和氯离子浓度是SbCl_3稳定存在的主要因素。用盐酸浸出氧化锑泥,实验结果表明:当盐酸加入量(盐酸体积/氧化锑泥质量L/S)... 利用HSC6.0软件分别绘制不同温度、氯离子浓度下的Sb-Cl-H_2O的E-pH图,结果表明:在Sb-Cl-H2O体系中,溶液温度、酸度和氯离子浓度是SbCl_3稳定存在的主要因素。用盐酸浸出氧化锑泥,实验结果表明:当盐酸加入量(盐酸体积/氧化锑泥质量L/S)为3,常温下浸出4 h,氧化锑泥的浸出率可达94%以上。浸出渣的XRD分析表明:浸出渣主要是NaCl,随着盐酸量增加,渣中锑含量逐渐降低。 展开更多
关键词 Sb-Cl-H2O的E-pH图 液固比l/S 反应时间 反应温度 浸出渣
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基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响
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作者 唐斌 邓宏 +1 位作者 张强 税正伟 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期134-136,147,共4页
采用热蒸发ZnO粉末法,以金膜为催化剂,在两片表面分别朝上和朝下的Si(100)基片上生长ZnO纳米线(样品分别标为1#和2#)。X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿(001)择优取向。通过扫描电子显微镜(SEM)表征发现,Zn... 采用热蒸发ZnO粉末法,以金膜为催化剂,在两片表面分别朝上和朝下的Si(100)基片上生长ZnO纳米线(样品分别标为1#和2#)。X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿(001)择优取向。通过扫描电子显微镜(SEM)表征发现,ZnO纳米线整齐排列在Si基片上,直径在100nm左右,平均长度为4μm。通过分析得出,两种基片上生长的ZnO纳米线的生长机理是不相同的:1#样品,在基片表面上先生长ZnO薄膜,再在薄膜上生长ZnO纳米线;2#样品,ZnO纳米线直接外延生长在基片表面。结果显示基片表面的朝向影响ZnO纳米线的生长机理。 展开更多
关键词 汽-液-固(V-l-S)机理 汽-固(V-S)机理 ZNO纳米线 ZNO薄膜
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