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一种使用浮动电源线嵌入式超低功耗SRAM的设计
1
作者
李天阳
石乔林
+1 位作者
田海燕
薛忠杰
《江南大学学报（自然科学版）》
CAS
2006年第6期688-692,共5页
为了解决存储单元的亚阈值泄漏电流问题,分析了在深亚微米下静态随机存储器(SRAM)6-T存储单元静态功耗产生的原因,提出了一种可以有效减小SRAM静态功耗浮动电源线的结构,并分析在此结构下最小与最优的单元数据保持电压;最后设计出SRAM...
为了解决存储单元的亚阈值泄漏电流问题,分析了在深亚微米下静态随机存储器(SRAM)6-T存储单元静态功耗产生的原因,提出了一种可以有效减小SRAM静态功耗浮动电源线的结构,并分析在此结构下最小与最优的单元数据保持电压;最后设计出SRAM的一款适用于此结构的高速低功耗灵敏放大器电路.仿真测试表明,使用浮动结构的SRAM的静态功耗较正常结构SRAM的静态功耗大大减小.
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关键词
6-T单元
亚阈值电流
静态随机存储器
静态功耗
浮动
电源线
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职称材料
题名
一种使用浮动电源线嵌入式超低功耗SRAM的设计
1
作者
李天阳
石乔林
田海燕
薛忠杰
机构
江南大学信息工程学院
中国电子科技集团公司第
出处
《江南大学学报（自然科学版）》
CAS
2006年第6期688-692,共5页
基金
国防科技重点实验室基金项目(51433020105DZ6801)
文摘
为了解决存储单元的亚阈值泄漏电流问题,分析了在深亚微米下静态随机存储器(SRAM)6-T存储单元静态功耗产生的原因,提出了一种可以有效减小SRAM静态功耗浮动电源线的结构,并分析在此结构下最小与最优的单元数据保持电压;最后设计出SRAM的一款适用于此结构的高速低功耗灵敏放大器电路.仿真测试表明,使用浮动结构的SRAM的静态功耗较正常结构SRAM的静态功耗大大减小.
关键词
6-T单元
亚阈值电流
静态随机存储器
静态功耗
浮动
电源线
Keywords
6-T cell
subthreshold leakage current, SRAM； standby power, floating power rails
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种使用浮动电源线嵌入式超低功耗SRAM的设计
李天阳
石乔林
田海燕
薛忠杰
《江南大学学报（自然科学版）》
CAS
2006
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