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一种具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的1200 V/20 A SiC MPS
1
作者 易波 徐艺 +5 位作者 马克强 王思亮 蒋兴莉 胡强 程骏骥 杨洪强 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第1期141-144,共4页
通过离子注入优化,成功研制了一款六角形元胞设计的1 200 V/20 A的具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的SiC MPS芯片。在25℃和175℃下的测试结果表明,导通压降VF分别为1.48 V和2.03 V;归功于优化的离子注入和元胞设计,1 200 V耐压时,肖特... 通过离子注入优化,成功研制了一款六角形元胞设计的1 200 V/20 A的具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的SiC MPS芯片。在25℃和175℃下的测试结果表明,导通压降VF分别为1.48 V和2.03 V;归功于优化的离子注入和元胞设计,1 200 V耐压时,肖特基界面的最强电场强度仅为1.25 MV/cm。研制的MPS的泄漏电流仅为4.3μA(@25℃)和13.7μA(@175℃)。并且25℃和150℃下测试的浪涌电流高达258 A和252 A,约为额定电流的13倍。 展开更多
关键词 SiC MPS 泄漏电流 高温漏电 浪涌电流能力
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4H-SiC基MPS二极管迅回效应分析
2
作者 保玉璠 汪再兴 +1 位作者 彭华溢 李尧 《沈阳工业大学学报》 CAS 北大核心 2023年第6期697-703,共7页
为优化二极管抗浪涌电流能力及正向特性,针对器件工艺参数对迅回效应的影响进行了研究。采用建模仿真对比不同参数下的器件正向特性,分别对P+区和漂移区的掺杂浓度以及P+区宽度3个方面进行讨论。提取在迅回效应过程中器件的正向偏置处... 为优化二极管抗浪涌电流能力及正向特性,针对器件工艺参数对迅回效应的影响进行了研究。采用建模仿真对比不同参数下的器件正向特性,分别对P+区和漂移区的掺杂浓度以及P+区宽度3个方面进行讨论。提取在迅回效应过程中器件的正向偏置处于转折与折回电压时漂移区内空穴的分布,进而细化研究该效应的产生过程机理。仿真结果表明,增加P+区的掺杂浓度与宽度可以有效抑制迅回效应,较高的漂移区掺杂浓度会增加器件在单极工作模式下的电流密度,但同时增大转折电压可使迅回效应加剧,适当减小漂移区掺杂浓度可以抑制迅回效应。 展开更多
关键词 混合肖特基/PIN(MPS)二极管 迅回效应 抗浪涌电流能力 载流子分布 双极模式 电导调制效应 大注入效应 掺杂浓度
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基于高参数晶闸管实现50kA直流断路器的可靠开断
3
作者 楼晓峰 胡醇 +2 位作者 董涛 杨孝志 陈超 《电工电气》 2015年第11期27-30,共4页
介绍了电流对冲法在直流断路器可靠开断方面的应用,分析了电流对冲法的工作原理和试验过程中遇到的技术问题,通过高参数晶闸管器件、饱和电抗器和同步操作机构的配合使用,实现了直流断路器精确、可靠的开断,结果表明:通过控制同步操作... 介绍了电流对冲法在直流断路器可靠开断方面的应用,分析了电流对冲法的工作原理和试验过程中遇到的技术问题,通过高参数晶闸管器件、饱和电抗器和同步操作机构的配合使用,实现了直流断路器精确、可靠的开断,结果表明:通过控制同步操作机构和触发晶闸管器件来精确把握开断过程中两个回路的对冲点是关键,电流对冲法充分利用了晶闸管器件的优点,保证了整个开断过程的精确性;饱和电抗器有效抑制了对冲电流过零时的di/dt和反峰电压的增长,保护了晶闸管器件;整个回路造价经济,很大程度上弥补了传统试验方法中的不足。 展开更多
关键词 晶闸管 单次浪涌电流能力 直流断路器开断 饱和电抗器 过零时的di/dt 电流对冲法
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