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D^+注入Li_4SiO_4的表面化学状态及其热解吸行为 被引量：3
1
作者 肖成建 陈晓军 +4 位作者 高小铃 罗阳明 胡胜 王和义 汪小琳 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1418-1422,共5页
锂陶瓷氚增殖剂的氢同位素行为是聚变堆固态产氚包层关心的重要课题。本文将3keV D+注入Li4SiO4,采用X射线光电子能谱在线分析注氘前后材料表面的化学状态,同时采用热解吸谱(TDS)实验技术,研究注氘后Li4SiO4中氢同位素的热解吸行为。实... 锂陶瓷氚增殖剂的氢同位素行为是聚变堆固态产氚包层关心的重要课题。本文将3keV D+注入Li4SiO4,采用X射线光电子能谱在线分析注氘前后材料表面的化学状态,同时采用热解吸谱(TDS)实验技术,研究注氘后Li4SiO4中氢同位素的热解吸行为。实验结果表明:D+注入会改变Li4SiO4表面的化学环境,产生多种辐照缺陷和化学键合状态;氘滞留量和热解行为受注氘时样品的温度影响较大,可在一定程度上预测产氚包层中氚的滞留行为。 展开更多
关键词 正硅酸锂 注氘 X射线光电子能谱 热解吸谱 国际热核聚变实验堆
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注氘纯钒中位错环的原位观察
2
作者 姜少宁 万发荣 +3 位作者 李顺兴 龙毅 刘平平 大貫惣明 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期55-59,共5页
研究了室温注氘纯钒在电子辐照下位错环的变化。纯钒室温注氘后分别在500,550℃通过超高压透射电子显微镜(HVEM)观察分析了在电子辐照下的微观结构变化。结果表明:500℃电子辐照时,位错环没有明显的变化;在550℃时效后形成的位错环尺寸... 研究了室温注氘纯钒在电子辐照下位错环的变化。纯钒室温注氘后分别在500,550℃通过超高压透射电子显微镜(HVEM)观察分析了在电子辐照下的微观结构变化。结果表明:500℃电子辐照时,位错环没有明显的变化;在550℃时效后形成的位错环尺寸比500℃略有增加,在550℃继续进行电子辐照,位错环在尺寸和密度上同样没有变化。与纯铁相比,纯钒中的缺陷团簇在辐照下的稳定性更高。 展开更多
关键词 纯钒 注氘 位错环
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注氢铁基二元合金中辐照位错环演化及退火温度影响研究
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作者 李然然 殷玉鹏 +5 位作者 渡边英雄 易晓鸥 韩文妥 刘平平 詹倩 万发荣 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第13期293-300,共8页
本文基于注氢纯铁和铁基二元合金(Fe-3%Cr、Fe-1.4%Ni和Fe-1.4%Mn,质量分数)开展常规透射电镜(200 kV)的原位表征观察,揭示了材料中辐照位错环的形态、尺寸演化行为及退火温度影响,并依据辐照损伤演化理论、退火过程中位错环平均尺寸变... 本文基于注氢纯铁和铁基二元合金(Fe-3%Cr、Fe-1.4%Ni和Fe-1.4%Mn,质量分数)开展常规透射电镜(200 kV)的原位表征观察,揭示了材料中辐照位错环的形态、尺寸演化行为及退火温度影响,并依据辐照损伤演化理论、退火过程中位错环平均尺寸变化推断得到空位型位错环形成温度的范围.注氢纯铁中空位型位错环的形成温度(T_(c))约为500℃;添加Ni可使T_(c)降低至~450℃,添加Cr可使T_(c)升高至600℃以上,而Mn的作用与Cr相似,亦可使T_(c)升高.注氘实验和热脱附谱分析进一步表明,纯铁和铁基二元合金中空位型位错环的形成温度受氢同位素与空位结合、释放过程影响.合金元素Ni对氢同位素与空位的结合、释放有促进作用,故导致T_(c)降低;而Cr和Mn均对氢同位素与空位的结合、释放产生抑制作用,故导致T_(c)升高.本文展示的有关合金元素对空位型位错环形成温度影响的研究将有助于更深刻理解铁基合金体系中损伤结构演化和辐照肿胀产生机理. 展开更多
关键词 铁基二元合金 注氢/氘 空位型位错环 透射电镜
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