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突变结构的复合腔高频场研究 被引量:8
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作者 杨仕文 李宏福 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期40-44,共5页
从模式场匹配理论出发系统地研究了回旋管中过渡段突变这一类复合腔的高频场结构,并考虑了TM型寄生模式的影响.研究了诸多因素的变化对谐振频率。
关键词 突变 复合腔 回旋管 电子管
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