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GaAs MESFET旁栅迟滞特性的机理分析 被引量：1
1
作者 毛剑波 易茂祥 丁勇 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期124-127,共4页
探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道-衬底界面区的电子特性以及半绝缘GaAs衬底具有高密度的深能级电子陷阱有关。通过分析得出的结论可以很好地说明实验结果... 探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道-衬底界面区的电子特性以及半绝缘GaAs衬底具有高密度的深能级电子陷阱有关。通过分析得出的结论可以很好地说明实验结果,同时对于分析GaAs器件的其他特性也具有一定的参考意义。 展开更多
关键词 GAAS MESFET 旁栅效应 迟滞特性 沟道衬底结 电子陷阱
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旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡 被引量：1
2
作者 丁勇 赵福川 +2 位作者 毛友德 夏冠群 赵建龙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期1228-1230,共3页
通过测试不同旁栅电压条件下的 MESFET沟道电流的低频振荡现象 ,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡 .并从理论上探讨了出现这种现象的原因 ,初步认为这与沟道 -衬底 (C- S)结的特性和高场下衬底深能级 EL2
关键词 低频振荡 沟道-衬底结 EL_(2)碰撞电离
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选择离子注入GaAs MESFET的旁栅特性研究
3
作者 陆生礼 丁勇 时龙兴 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期577-581,共5页
主要研究了平面选择离子注入隔离工艺条件下的GaAs MESFET的旁栅效应,分别设计了不同的测试方法来分析旁栅效应的多种特性,并从理论上对测试结果进行了解释.认为这些特性都与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.
关键词 旁栅效应 特性 沟道-衬底结 EL2碰撞电离
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沟道-衬底结对旁栅偏压条件下GaAs MESFET沟道电流迟滞行为的影响
4
作者 丁勇 严晓浪 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第20期2047-2050,共4页
旁栅偏压条件下,GaAsMESFET沟道电流的迟滞行为与衬底深能级EL2和沟道-衬底结的特性密切相关.实验研究发现,外加旁栅偏压条件下,沟道电流的迟滞行为发生的根本原因是沟道-衬底结耗尽区展宽和收缩对深能级EL2的电子俘获和电子发射的响应... 旁栅偏压条件下,GaAsMESFET沟道电流的迟滞行为与衬底深能级EL2和沟道-衬底结的特性密切相关.实验研究发现,外加旁栅偏压条件下,沟道电流的迟滞行为发生的根本原因是沟道-衬底结耗尽区展宽和收缩对深能级EL2的电子俘获和电子发射的响应比较慢.当旁栅偏压稳态变化时,沟道电流的迟滞现象将消失,即存在一个迟滞行为消失的"准静态".这一发现和结论对于MMIC的设计将具有比较重要的指导意义和参考价值. 展开更多
关键词 GAAS MESFET 旁栅偏压 迟滞 沟道-衬底结
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