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溅射沉积功率对PZT薄膜的组分、结构和性能的影响 被引量：3
1
作者 李新曦 赖珍荃 +3 位作者 王根水 孙璟兰 赵强 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期313-316,共4页
用射频 (RF)溅射法在镀LaNiO3 (LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0 .52 Ti0 .48O3 (PZT)铁电薄膜 ,沉积过程中基底温度为 370℃ ,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理 (6 5 0℃ ,5min) .用电感耦合等离子体发射光谱 (ICP ... 用射频 (RF)溅射法在镀LaNiO3 (LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0 .52 Ti0 .48O3 (PZT)铁电薄膜 ,沉积过程中基底温度为 370℃ ,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理 (6 5 0℃ ,5min) .用电感耦合等离子体发射光谱 (ICP AES)测量其组分 ,X射线衍射 (XRD)分析PZT薄膜的结晶结构和取向 ,扫描电子显微镜 (SEM)分析薄膜的表面形貌和微结果 ,RT6 6A标准铁电综合测试系统分析Pt/PZT/LNO电容器的铁电与介电特性 .结果表明 ,PZT薄膜的组分。 展开更多
关键词 射频溅射 沉积功率 钙钛矿结构 铁电薄膜 PZT 扫描电子显微镜分析
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沉积功率和退火工艺对PE-ALD氧化铝薄膜的影响 被引量：3
2
作者 刘媛媛 杜纯 +4 位作者 曹坤 陈蓉 徐湘伦 黄静 单斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期610-615,共6页
Al2O3薄膜常用于有机电子器件的稳定化封装。除了薄膜的水气渗透率特性,薄膜的表面粗糙度、润湿性和折射率等性能也会影响薄膜的最终封装效果。采用自制等离子增强原子层沉积（PE-ALD）系统在低温下成功制备了Al2O3薄膜,研究了沉积功率... Al2O3薄膜常用于有机电子器件的稳定化封装。除了薄膜的水气渗透率特性,薄膜的表面粗糙度、润湿性和折射率等性能也会影响薄膜的最终封装效果。采用自制等离子增强原子层沉积（PE-ALD）系统在低温下成功制备了Al2O3薄膜,研究了沉积功率和退火参数对Al2O3薄膜微观形貌和性能的影响。结果表明,Al2O3薄膜的生长速率和折射率随沉积功率的增加分别呈现先增加后下降和不断增加的趋势,当沉积功率为1 800 W时,薄膜的线性生长速率达到0.27 nm/cycle,远高于传统热原子层沉积技术的沉积速率。退火处理不会改变Al2O3薄膜晶态,但改善了薄膜的表面粗糙度,降低了接触角和有机基团红外强度。得到了最佳的PE-ALD薄膜制备工艺条件,实现了对有机发光二极管器件的有效封装。 展开更多
关键词 等离子增强原子层沉积(PE-ALD) AL2O3薄膜 沉积功率 退火工艺 有机发光二极管(OLED)
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沉积功率对金刚石薄膜质量和结合性能的影响 被引量：2
3
作者 匡同春 刘正义 +2 位作者 周克崧 代明江 王德政 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期13-16,共4页
借助SEM、XRD和Raman光谱等分析方法对不同沉积功率条件下合成的金刚石膜形貌、结构和质量进行了表征，并采用压痕试验法评定了金刚石膜与基体的结合性能。结果表明，沉积功率对金刚石膜的结晶质量、纯度、残余应力、点阵畸变、嵌镶块... 借助SEM、XRD和Raman光谱等分析方法对不同沉积功率条件下合成的金刚石膜形貌、结构和质量进行了表征，并采用压痕试验法评定了金刚石膜与基体的结合性能。结果表明，沉积功率对金刚石膜的结晶质量、纯度、残余应力、点阵畸变、嵌镶块尺寸有影响。高的沉积功率使基体表面显微粗糙化，并发生脱碳现象，显著改善了金刚石膜与基体的结合性能。 展开更多
关键词 金刚石膜 沉积功率 结晶质量 薄膜 结合性能
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Al_2O_3沉积功率对共溅射Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管性能的影响 被引量：1
4
作者 武明珠 郭永林 +2 位作者 苟昌华 关晓亮 王红波 《电子设计工程》 2015年第23期183-185,189,共4页
我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶AZTO(Al-Zn-SnO)薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过率均在85%以上。然后,制备了以AZTO薄膜为有源层的薄膜晶体管。通过调节Al2O3沉积功率,进一步探究了Al2O... 我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶AZTO(Al-Zn-SnO)薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过率均在85%以上。然后,制备了以AZTO薄膜为有源层的薄膜晶体管。通过调节Al2O3沉积功率,进一步探究了Al2O3含量对AZTO薄膜晶体管性能的影响。研究发现,随着Al2O3沉积功率的增加,器件的迁移率逐渐下降,阈值电压升高,但是器件的关态电流显著降低,开关比提高。当Al2O3沉积功率为20 W时,获得了最好的转移特性曲线,其迁移率为2.43 cm2/V·s,开关比为1.9*105,阈值电压为26.6 V。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 AZTO 共溅射 沉积功率
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ULSI用氟化类金刚石薄膜的研究
5
作者 肖剑荣 徐慧 简献忠 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期30-32,共3页
以CF4和CH4为源气体，用射频等离子体增强化学气相沉积法，制备了氟化类金刚石（F-DLC）薄膜．采用FTIR仪、XPS对样品进行了测试、分析。结果表明，在薄膜内主要含有C-Fx（=1，2，3）、C-C、C-H2、C-H3等以及不饱和C=C化学键；薄膜的εr... 以CF4和CH4为源气体，用射频等离子体增强化学气相沉积法，制备了氟化类金刚石（F-DLC）薄膜．采用FTIR仪、XPS对样品进行了测试、分析。结果表明，在薄膜内主要含有C-Fx（=1，2，3）、C-C、C-H2、C-H3等以及不饱和C=C化学键；薄膜的εr为2．07-2．65。εr与膜内F的相对浓度有关，随着沉积功率的增大，膜内F、H的含量均降低，εr升高。 展开更多
关键词 半导体技术 氟化类金刚石薄膜 沉积功率 介电常数
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溅射工艺对晶片碎片的影响
6
作者 邹建和 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期19-20,共2页
介绍了半导体晶片制造设备溅射机和溅射工艺对晶片碎片的影响,给出了如何减少晶片应力以达到少碎片的目的。
关键词 溅射 晶片碎片 晶片应力 溅射沉积功率 辉光放电
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共溅射TbxFe73Ga27-x薄膜局部结构与磁性关系
7
《金属功能材料》 CAS 2018年第5期66-66,共1页
A．Munaz-Noval等人采用耙材共沉积法，用Tb33Fe67和Fe72Ga28两种耙材共沉积TbxFe73Ga27-x（7≤x≤11）薄膜。TbxFe72Ga28-x的沉积功率为90w，而Tb33Fe67的沉积功率控制在50～90w。采用X射线吸收微细结构谱线测定薄膜结构。
关键词 薄膜结构 局部结构 共溅射 磁性 共沉积法 X射线吸收 沉积功率 功率控制
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多晶硅还原生产中变压器转档问题探讨
8
作者 周兰林 《中国化工贸易》 2013年第10期133-133,共1页
多晶硅反应从栽体硅芯到硅棒的这一生产过程中由于温度和硅棒直径的变化，硅棒电阻率时刻在发生变化，使得还原电源变压器在转档过程中出现诸多问题。如变压器温度升高、转档电流波动、调功柜熔断器烧坏甚至无法顺利转档等，这些问题的... 多晶硅反应从栽体硅芯到硅棒的这一生产过程中由于温度和硅棒直径的变化，硅棒电阻率时刻在发生变化，使得还原电源变压器在转档过程中出现诸多问题。如变压器温度升高、转档电流波动、调功柜熔断器烧坏甚至无法顺利转档等，这些问题的出现严重影响了多晶硅还原反应的正常进行，导致硅棒生长异常、产量降低、物料利用率低等一系列问题。本文通过生产实际，通过工艺和设备的调整，来有效控制多晶硅还原炉电气转档。 展开更多
关键词 调功柜 电阻率 摩尔比 沉积功率
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共溅射TbxFe73Ga27-x薄膜局部结构与磁性关系
9
《金属功能材料》 CAS 2018年第3期66-66,共1页
A．Munaz—Noval等人采用耙材共沉积法，用Tb33Fe67和Fe72Ga28两种耙材共沉积TbxFe73Ga27-x（7≤x≤11）薄膜。Fe72Ga28的沉积功率为90W，而Tb33Fe67的沉积功率控制在50-90w。
关键词 局部结构 薄膜 共溅射 磁性 共沉积法 沉积功率 功率控制
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