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BRIDGMAN—Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长时场量数值分析的进展
被引量：
4
1
作者
王培林
魏科
+1 位作者
张国艳
周士仁
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
1994年第5期411-418,共8页
综述近十余年来关于Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ（１－ｘ）ＣｄｘＴｅ晶体生长过程中场量的数值分析工作，评价一般Ｂｒｉｄｇｍａｎ系统的数值分析，总结和归纳计算模型及边界条件处理方法，指出存在的问题及今后应开展的研究工作．
关键词
数值分析
汞
镉
锝
合金
晶体生长
下载PDF
职称材料
题名
BRIDGMAN—Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长时场量数值分析的进展
被引量：
4
1
作者
王培林
魏科
张国艳
周士仁
机构
哈尔滨工业大学
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
1994年第5期411-418,共8页
文摘
综述近十余年来关于Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ（１－ｘ）ＣｄｘＴｅ晶体生长过程中场量的数值分析工作，评价一般Ｂｒｉｄｇｍａｎ系统的数值分析，总结和归纳计算模型及边界条件处理方法，指出存在的问题及今后应开展的研究工作．
关键词
数值分析
汞
镉
锝
合金
晶体生长
Keywords
Hg_(1-x)Cd_xTe, Bridgman, numerical analysis
分类号
TG146.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
BRIDGMAN—Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长时场量数值分析的进展
王培林
魏科
张国艳
周士仁
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
1994
4
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