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发光多孔硅的表面氮钝化 被引量：12
1
作者 李谷波 张甫龙 +3 位作者 陈华杰 范洪雷 俞鸣人 侯晓远 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期1232-1238,共7页
报道对多孔硅在NH_3气中进行快速热处理的结果。红外吸收谱表明,经处理样品的表面由Si(NH)_2和Si_3N_4所覆盖,电子自旋共振谱指出,经处理的样品有相当低的悬挂键密度,光荧光谱表明,经适当条件处理的样品的发光强度与未作处理样品相比仅... 报道对多孔硅在NH_3气中进行快速热处理的结果。红外吸收谱表明,经处理样品的表面由Si(NH)_2和Si_3N_4所覆盖,电子自旋共振谱指出,经处理的样品有相当低的悬挂键密度,光荧光谱表明,经适当条件处理的样品的发光强度与未作处理样品相比仅略有降低,而且在大气中存放三个月基本不变,这些结果表明,氮化物可以在多孔硅表面形成优良的钝化膜,这对多孔硅的实际应用及理论研究都有一定意义。 展开更多
关键词 发光 多孔硅 表面 氮钝化
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氮钝化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法研究 被引量：2
2
作者 刘沙沙 秦福文 +3 位作者 朱巧智 刘冰冰 汤斌 王德君 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期211-214,共4页
降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界面,制作成MOS电容后通过I-V和低温C-V测试进行氧化膜击穿特性及界面特性评价。氧化膜击穿电场为9.92MV/cm... 降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界面,制作成MOS电容后通过I-V和低温C-V测试进行氧化膜击穿特性及界面特性评价。氧化膜击穿电场为9.92MV/cm,SiO2与SiC之间的势垒高度为2.69eV。使用Gray-Brown法结合Hi-Lo法分析C-V曲线,获得了距导带底EC0.05～0.6eV范围内的界面态分布,其中距EC0.2eV处的界面态密度降低至1.33×1012cm-2eV-1。实验结果表明,氮等离子体处理能有效降低4H-SiC导带附近的界面态密度,改善界面特性。 展开更多
关键词 二氧化硅 碳化硅界面 金属氧化物半导体电容 氮钝化 界面态密度 Gray-Brown法
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射频磁控溅射掺氮ZnO薄膜的制备与表征
3
作者 朱慧群 丁瑞钦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期515-519,共5页
以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法,在衬底温度为450℃、混合气体压强为1.3Pa的条件下,在石英玻璃和抛光单晶硅衬底上沉积了一系列呈六角纤锌矿结构、沿(0002)晶面高度取向生长的ZnO薄膜。利用X射线衍射、四探针、原子力显微镜、吸收光谱... 以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法,在衬底温度为450℃、混合气体压强为1.3Pa的条件下,在石英玻璃和抛光单晶硅衬底上沉积了一系列呈六角纤锌矿结构、沿(0002)晶面高度取向生长的ZnO薄膜。利用X射线衍射、四探针、原子力显微镜、吸收光谱和光致荧光光谱等实验分别对薄膜样品的晶体结构、表面形貌和光电特性进行了分析表征。结果表明,氮对ZnO薄膜的缺陷有明显的钝化作用,气体组分、溅射功率是影响ZnO薄膜沿C轴择优取向生长、结构特征和光电性质的重要因素。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 ZNO薄膜 气体组分 氮钝化
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生理盐水中表面钝化Cu-Zn-Al形状记忆合金的腐蚀行为 被引量：1
4
作者 梁成浩 程斌 陈邦义 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期304-306,共3页
采用重铬酸钾法和苯并三氮唑法(BTA)对Cu-Zn-Al形状记忆合金进行钝化,采用盐雾试验和电化学方法研究了表面钝化的Cu-Zn-Al形状记忆合金在生理盐水中的腐蚀行为.结果表明,在生理盐水中重铬酸钾法钝化和苯并三氮唑法钝化Cu-Zn-Al形状记忆... 采用重铬酸钾法和苯并三氮唑法(BTA)对Cu-Zn-Al形状记忆合金进行钝化,采用盐雾试验和电化学方法研究了表面钝化的Cu-Zn-Al形状记忆合金在生理盐水中的腐蚀行为.结果表明,在生理盐水中重铬酸钾法钝化和苯并三氮唑法钝化Cu-Zn-Al形状记忆合金具有较高的耐蚀性能和抗失泽性能是由于合金表面形成电化学性能稳定的阻碍膜层及其化学效应所致.重铬酸钾法钝化Cu-Zn-Al形状记忆合金表面膜层主要是(CrCu)2O3.(CuZn)O.xH2O的水合尖晶石氧化物组成.BTA钝化时,Cu-Zn-Al形状记忆合金的表面形成了Cu(Ⅰ)-BTA络合物的表面膜. 展开更多
关键词 生理盐水 Cu—Zn-Al形状记忆合金 重铬酸钾法钝化 苯并三氮唑法钝化 腐蚀
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多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术
5
作者 曾祥斌 Johnny K O Sin +2 位作者 徐重阳 饶瑞 刘世建 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期142-144,151,共4页
采用 N2 O和 NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明 ,该技术能够有效降低多晶硅薄膜的界面态密度 ,提高多晶硅薄膜晶体管性能。二次离子质谱仪分析表明在 p- Si/ Si O2界面有氮原子富积 ,说明生成... 采用 N2 O和 NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明 ,该技术能够有效降低多晶硅薄膜的界面态密度 ,提高多晶硅薄膜晶体管性能。二次离子质谱仪分析表明在 p- Si/ Si O2界面有氮原子富积 ,说明生成了强的 Si- 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 薄膜晶体管 表面钝化 氮等离子钝化
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