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多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术
1
作者 曾祥斌 Johnny K O Sin +2 位作者 徐重阳 饶瑞 刘世建 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期142-144,151,共4页
采用 N2 O和 NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明 ,该技术能够有效降低多晶硅薄膜的界面态密度 ,提高多晶硅薄膜晶体管性能。二次离子质谱仪分析表明在 p- Si/ Si O2界面有氮原子富积 ,说明生成... 采用 N2 O和 NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明 ,该技术能够有效降低多晶硅薄膜的界面态密度 ,提高多晶硅薄膜晶体管性能。二次离子质谱仪分析表明在 p- Si/ Si O2界面有氮原子富积 ,说明生成了强的 Si- 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 薄膜晶体管 表面钝化 氮等离子钝化
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钝化处理对Al_2O_3/InP MOS电容界面特性的影响 被引量：1
2
作者 李海鸥 李玺 +5 位作者 李跃 刘英博 孙堂友 李琦 李陈成 陈永和 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第6期438-443,共6页
制备了Al/Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面。研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性。实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到... 制备了Al/Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面。研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性。实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到最小界面态密度为1.6×10^(10) cm^(-2)·eV^(-1)。与硫钝化工艺对比,随测试温度升高,氮等离子体钝化工艺可以有效减少边界陷阱,边界陷阱密度从1.1×10^(12) cm^(-2)·V^(-1)降低至5.9×10^(11) cm^(-2)·V^(-1),同时减少了陷阱辅助隧穿电流。氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺分别在降低边界陷阱和快界面态方面有一定优势,为改善器件界面的可靠性提供了依据。 展开更多
关键词 氮等离子体钝化 硫钝化 界面态密度 边界陷阱密度 隧穿电流
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