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SiN_x薄膜热物性参数实验测量与分析研究 被引量：3
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作者 余雷 余建祖 王永坤 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期401-405,共5页
采用一种新的实验测量方案 ,将金属加热单元与温度探测单元合二为一 ,间接获得了在半导体和微电子学MEMS领域内有重要用途的SiNx 薄膜的导热系数、发射率、比热容和热扩散系数 ,并对实验结果进行了不确定度分析 ,为微电子电路设计和掩... 采用一种新的实验测量方案 ,将金属加热单元与温度探测单元合二为一 ,间接获得了在半导体和微电子学MEMS领域内有重要用途的SiNx 薄膜的导热系数、发射率、比热容和热扩散系数 ,并对实验结果进行了不确定度分析 ,为微电子电路设计和掩模成型工艺等提供了可靠的热物性数据 .实验结果表明 ,薄膜的导热系数、发射率、热扩散系数远比相应体材质低 ,而且还与温度、厚度有关 ,尺寸效应显著 。 展开更多
关键词 薄膜物理 氮硅薄膜 微尺度传热 热物性参数 导热系数 发射率 比热容 热扩散系数 不确定度分析 光电子技术
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用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导
2
作者 许铭真 谭长华 +1 位作者 何燕冬 段小蓉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期126-128,共3页
研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从AHhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.
关键词 氮氧硅薄膜 软失效电导 软失效时间 缺陷导电
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