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氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用 被引量:8
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作者 李东升 杨德仁 +5 位作者 朱爱平 黄笑容 王淦 张锦心 李立本 阙端麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1401-1405,共5页
通过常温下压痕之后的高温热处理实验 ,研究了掺氮直拉硅单晶 (NCZSi)中氮杂质对位错滑移的钉扎作用 ,以及塑性变形能在热处理过程中通过位错的滑移释放的机理 .实验结果表明氮杂质对位错有着较强的钉扎作用 ,使掺氮直拉硅单晶中的位错... 通过常温下压痕之后的高温热处理实验 ,研究了掺氮直拉硅单晶 (NCZSi)中氮杂质对位错滑移的钉扎作用 ,以及塑性变形能在热处理过程中通过位错的滑移释放的机理 .实验结果表明氮杂质对位错有着较强的钉扎作用 ,使掺氮直拉硅单晶中的位错在同一温度下热处理时的滑移距离均小于普通直拉硅单晶 (CZSi) .同时指出 ,NCZSi的位错激活能比 CZSi的要高 ,NCZSi中塑性变形能通过位错滑移释放较 CZSi快 。 展开更多
关键词 单晶硅 位错 杂质 半导体材料
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探测器级单晶金刚石材料的生长 被引量:9
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作者 刘金龙 李成明 +3 位作者 朱肖华 邵思武 陈良贤 魏俊俊 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第11期1990-1991,共2页
采用高质量高温高压单晶金刚石衬底,通过等离子体环境净化的方法获得高纯、低缺陷密度金刚石材料,有望应用于医疗、核、宇宙射线等辐射探测器。采用微波化学气相沉积方法成功外延生长出了8 mm×8 mm的高质量单晶金刚石材料。晶体内... 采用高质量高温高压单晶金刚石衬底,通过等离子体环境净化的方法获得高纯、低缺陷密度金刚石材料,有望应用于医疗、核、宇宙射线等辐射探测器。采用微波化学气相沉积方法成功外延生长出了8 mm×8 mm的高质量单晶金刚石材料。晶体内无明显的应力集中区,X射线摇摆曲线(004)峰半高宽0. 008°,PL光谱中未见与氮相关杂质,基于电子顺磁共振测试孤氮杂质含量为23ppb。 展开更多
关键词 金刚石 探测器 杂质 位错密度
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环形天线-椭球谐振腔式MPCVD装置高功率下沉积高品质金刚石膜 被引量:7
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作者 李义锋 唐伟忠 +4 位作者 苏静杰 安晓明 刘晓晨 姜龙 孙振路 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2028-2033,共6页
介绍了自行研制的环形天线-椭球谐振腔式高功率MPCVD装置的结构特点,展示并研究了新装置在高功率条件下的放电特性。在10.5 k W的高微波输入功率下成功制备了直径50 mm,厚度接近1 mm的高品质自支撑金刚石膜。在真空泄漏速率约2.5×1... 介绍了自行研制的环形天线-椭球谐振腔式高功率MPCVD装置的结构特点,展示并研究了新装置在高功率条件下的放电特性。在10.5 k W的高微波输入功率下成功制备了直径50 mm,厚度接近1 mm的高品质自支撑金刚石膜。在真空泄漏速率约2.5×10^(-6)Pa·m^3/s的条件下金刚石膜的生长速率达到6μm/h,金刚石膜厚度偏差小于±2.1%。抛光后的金刚石膜红外透过率在6.5~25μm范围内接近71%;紫外透过率在270 nm处超过50%,金刚石膜样品的光学吸收边约为225 nm;通过紫外吸收光谱计算的金刚石膜样品中的氮杂质含量约为1.5 ppm;金刚石膜的拉曼半峰宽小于1.8 cm^(-1)。 展开更多
关键词 金刚石膜 化学气相沉积 高功率 杂质 椭球谐振腔
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显微红外光谱填图法示踪中国三个产地的天然钻石中氮杂质的非均匀生长 被引量:5
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作者 孙媛 丘志力 +5 位作者 陆太进 陈华 陈炳辉 彭淑仪 魏然 李榴芬 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期2070-2074,共5页
钻石产地特征研究在了解地幔演化及遏制国际冲突钻石非法交易等方面具有重要意义,采用傅里叶变换显微红外光谱技术对采自中国三个商业性产地的14片天然IaAB型钻石进行了系统的面扫描分析,根据显微红外光谱谱图定量计算出钻石中的氮含量(... 钻石产地特征研究在了解地幔演化及遏制国际冲突钻石非法交易等方面具有重要意义,采用傅里叶变换显微红外光谱技术对采自中国三个商业性产地的14片天然IaAB型钻石进行了系统的面扫描分析,根据显微红外光谱谱图定量计算出钻石中的氮含量(1 616个红外测试数据)并进行填图示踪。结果表明,钻石生长过程中氮的含量和聚集度不断变化,且成核阶段氮含量可高于或低于其他生长阶段,不同生长阶段氮杂质含量不具有单向变化规律,显示钻石生长过程中地幔流体碳和氮存在复杂的交换,不同产地钻石中氮含量频率分布及NB%/N(T)特征存在一定的区域性差异,与跳点法红外光谱测试相比,面扫描法填图能更直观和连续的示踪钻石生长过程中氮杂质的不均匀生长。 展开更多
关键词 傅里叶变换显微红外光谱 天然钻石 杂质 填图
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低温吸附法净化氢同位素气体 被引量:4
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作者 周俊波 王奎升 +2 位作者 高丽萍 王少波 申会堂 《低温工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期50-52,57,共4页
为了回收利用核聚变反应堆排出的托卡马克废气 ,将含有氧、氮杂质的氢同位素混合气 ,通过催化剂脱氧 ,低温 (77 4K)吸附的方法 ,进行了净化处理。实验结果表明 ,净化后的氢同位素产品气体氧体积分数小于 0 1× 10 - 6 ,氮体积分数... 为了回收利用核聚变反应堆排出的托卡马克废气 ,将含有氧、氮杂质的氢同位素混合气 ,通过催化剂脱氧 ,低温 (77 4K)吸附的方法 ,进行了净化处理。实验结果表明 ,净化后的氢同位素产品气体氧体积分数小于 0 1× 10 - 6 ,氮体积分数小于 1× 10 - 6 。通过理论计算发现 ,采用此方法净化氢同位素时 ,氢同位素的损耗量只有氮杂质含量的 10 %~ 30 %。因此 ,采用本方法回收处理核聚变反应堆中的托卡马克废气完全能够满足实际需要。 展开更多
关键词 低温吸附 杂质 氢同位素 脱氧 分离 核聚变反应堆 废气处理系统
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高纯低位错密度单晶金刚石的制备与表征
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作者 胡婷婷 牟恋希 +6 位作者 王鹏 屠菊萍 刘金龙 陈良贤 张建军 欧阳晓平 李成明 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第11期1931-1938,共8页
金刚石以高导热率、强抗辐射性、高的电子迁移率等优异性能,成为辐射探测器最合适的材料之一。探测器级的金刚石要求具有极低的杂质含量及位错密度等,然而实际过程中同时实现杂质和位错的控制十分困难。本研究采用微波等离子体化学气相... 金刚石以高导热率、强抗辐射性、高的电子迁移率等优异性能,成为辐射探测器最合适的材料之一。探测器级的金刚石要求具有极低的杂质含量及位错密度等,然而实际过程中同时实现杂质和位错的控制十分困难。本研究采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,通过前期的参数优化,在最佳生长温度780℃、最佳甲烷浓度5%条件下,在两个高质量高温高压(HPHT)金刚石衬底样品上进行了MPCVD金刚石生长,并对衬底和生长层的氮杂质含量与缺陷结构进行了综合表征与分析。电子顺磁共振谱结果表明,相比两个HPHT衬底样品的氮杂质原子百分数分别为7.1×10^(-6)%和4.04×10^(-6)%,MPCVD生长层的氮杂质原子百分数明显减少,分别为2.1×10^(-7)%和5×10^(-8)%。由X射线摇摆曲线和白光形貌术测试结果发现,尽管MPCVD生长过程中引入了部分位错,使生长层应力增加,畸变区域较多,但总体位错与高质量衬底为同一数量级。本研究制备的高纯单晶金刚石有望应用于核辐射探测及半导体领域。 展开更多
关键词 单晶金刚石 杂质 位错 白光形貌术 电子顺磁共振
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金刚石膜的氮掺杂行为 被引量:3
7
作者 李明吉 吕宪义 +3 位作者 孙宝茹 李春燕 李博 金曾孙 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期183-187,共5页
采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD)制备了氮掺杂金刚石膜,用SEM、Raman光谱、XPS、EPR等测试手段研究了金刚石薄膜的品质和膜中的氮杂质状态。结果表明,随着氮气流量的增加,金刚石膜的形貌从完整的晶面逐渐变为与(100)面共存的“菜花... 采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD)制备了氮掺杂金刚石膜,用SEM、Raman光谱、XPS、EPR等测试手段研究了金刚石薄膜的品质和膜中的氮杂质状态。结果表明,随着氮气流量的增加,金刚石膜的形貌从完整的晶面逐渐变为与(100)面共存的“菜花状”,且非晶碳的含量增加,品质下降。金刚石膜中氮以Ns0、[N—V]0和[N—V]-1的形式存在,在较低氮气流量下[N—V]0和[N—V]-1的含量较多,Ns0氮杂质的质量分数在1.50×10-5~4.83×10-4之间变化。 展开更多
关键词 金刚石膜 EA-CVD方法 膜品质 杂质
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湖南现代河流砂矿金刚石的红外光谱测定及其源区指示 被引量:2
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作者 邓小芹 丘志力 +1 位作者 马瑛 薄昊楠 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期3833-3838,共6页
红外光谱分析可以有效地厘定金刚石类型和杂质成分,揭示金刚石形成的物理化学条件及其源区特征,约束金刚石的形成机制。对湖南现代河流砂矿金刚石红外光谱原位分析结果显示,样品以ⅠaAB型为主(93%),含有少量ⅠaA型(5%)、ⅠaB型(<1%)... 红外光谱分析可以有效地厘定金刚石类型和杂质成分,揭示金刚石形成的物理化学条件及其源区特征,约束金刚石的形成机制。对湖南现代河流砂矿金刚石红外光谱原位分析结果显示,样品以ⅠaAB型为主(93%),含有少量ⅠaA型(5%)、ⅠaB型(<1%)和Ⅱa型(1%);大部分表现为中-低氮含量(35.0~436μg·g^-1)和中-低氮聚集度(3%~57%,平均转化率为37%),少数具有高氮特征(517~2848μg·g^-1,甚至高达6829μg·g^-1)。这些金刚石在地幔中的存储温度集中在1100~1230℃,与前人根据金刚石内包裹体矿物得出的形成温度基本一致。此外,它们在地幔中的存储时间普遍较短(大部分<0.2 Ga)。这些特点暗示湖南现代河流砂矿的金刚石可能主要形成于上地幔,其来源与超基性岩或榴辉岩有关;少数高氮含量、低聚集氮特征的金刚石的存在则显示它们与榴辉岩关系更密切。与扬子克拉通贵州原生金刚石红外光谱数据的对比显示,贵州金刚石以高比例极低氮含量的Ⅱa型金刚石为主(占约75%),同时具有破碎度大、表面熔蚀强烈等特点,表明其来源较深,且在岩浆上升过程中经历了高温熔蚀作用。红外光谱数据显示,湖南砂矿和贵州原生矿来源的金刚石形成深度及其地球化学环境存在明显的差异,可能是在扬子克拉通地幔不同深度范围或者不同阶段形成的产物。进一步分析表明,湖南砂矿金刚石和贵州原生金刚石可能构成了扬子克拉通内一个完整的金刚石形成序列,它们分别与不同源区或不同的地球化学环境相对应。前者搬运距离较短,推测其源区可能主要来自近源补给区。现代河流砂矿金刚石的红外光谱分析为进一步探索扬子克拉通金刚石的源区特征和形成环境提供了新的指示和约束。 展开更多
关键词 金刚石 红外光谱 杂质 源区 现代河流砂矿
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氮掺杂金刚石膜的生长特性 被引量:2
9
作者 李明吉 杨保和 +2 位作者 孙大智 吕宪义 金曾孙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1152-1155,共4页
采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD),在含氮气氛中制备出金刚石膜,利用SEM、Raman光谱、EPR测试手段研究了氮气对金刚石膜品质的影响及氮掺杂特性.结果表明,在950℃基片温度下,沉积气氛中掺入氮气后,金刚石膜晶形变为"菜花状&quo... 采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD),在含氮气氛中制备出金刚石膜,利用SEM、Raman光谱、EPR测试手段研究了氮气对金刚石膜品质的影响及氮掺杂特性.结果表明,在950℃基片温度下,沉积气氛中掺入氮气后,金刚石膜晶形变为"菜花状",非金刚石碳的含量增加,膜的品质下降.在800℃基片温度下,沉积气氛中掺入氮气后,孪晶和二次成核减少,金刚石膜的结晶形貌得到改善.通过Raman光谱和EPR分析发现,在金刚石膜中氮杂质主要以Ns0,[N-V]0和[N-V]-1的形式存在,而且随着氮气流量的增加,Ns0的含量增加,[N-V]0含量减少,[N-V]-1含量变化不明显. 展开更多
关键词 金刚石膜 EA-CVD方法 膜品质 杂质
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锗掺杂金刚石的高压合成与红外光谱研究
10
作者 肖虓 《冶金管理》 2022年第19期42-43,55,共3页
金刚石中的光学特性极易受合成腔体中杂质的影响。由于金刚石极其出色的优异特性,使其成为一种战略性先进功能材料。拥有先进的金刚石合成技术,对一个国家未来的工业发展、科技水平的全面提高、国防力量的整体增强等都将起着极为重要的... 金刚石中的光学特性极易受合成腔体中杂质的影响。由于金刚石极其出色的优异特性,使其成为一种战略性先进功能材料。拥有先进的金刚石合成技术,对一个国家未来的工业发展、科技水平的全面提高、国防力量的整体增强等都将起着极为重要的作用。本文通过傅里叶红外(FTIR)吸收光谱研究了锗添加金刚石的光学特征,重点研究了所合成金刚石中的氮杂质缺陷的存在形式及锗对金刚石氮浓度的影响。 展开更多
关键词 合成金刚石 高压合成 金刚石合成 吸收光谱 红外光谱研究 光学特征 锗掺杂 杂质
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初始真空度对金刚石氮含量的影响
11
作者 梁凯 满卫东 +2 位作者 林志东 范冰庆 贾元波 《中文科技期刊数据库(引文版)工程技术》 2022年第2期288-292,共5页
在量子计算、辐射探测器等领域,对金刚石中的氮含量有着严苛的要求,高品质天然金刚石昂贵且稀缺。随着微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备单晶金刚石技术愈发成熟,人工合成高纯金刚石将会代替天然金刚石。本文探究真空腔中不同的初... 在量子计算、辐射探测器等领域,对金刚石中的氮含量有着严苛的要求,高品质天然金刚石昂贵且稀缺。随着微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备单晶金刚石技术愈发成熟,人工合成高纯金刚石将会代替天然金刚石。本文探究真空腔中不同的初始真空度对MPCVD生长金刚石氮含量的控制,探索金刚石含氮量与腔体初始空度的相关性。方法 利用5.0kW的微波设备,在2.4x10-1Pa~2.4X10-4Pa不同初始真空度的情况下,探究生成单晶金刚石的含氮量。结果 据SIMS与EPR表明,随着真空腔体初始真空度的不断提高,生成的CVD单晶金刚石中的孤氮含量也相应减少。当初始真空度2.4x10-1Pa时,生长出的单晶金刚石中N含量为6.8ppb;在2x10-4Pa时,生长出的单晶金刚石中N含量为2.5ppb。结论 真空腔体中初始真空度提高,有助于单晶CVD金刚石中的N浓度进行一定程度的控制。 展开更多
关键词 初始真空度 杂质 高纯金刚石 MPCVD
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惰气高温萃取-脉冲加热法同时测定人造金刚石中氧和氮 被引量:1
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作者 高光洁子 李艳萍 +3 位作者 冯圣雅 谢琰军 况春江 曹枨 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期779-780,共2页
氮是人造金刚石晶体中最常见的杂质,它以可替代方式固溶于人造金刚石中,氮杂质作为人造金刚石的最主要结构缺陷,对晶体本身的光学、热学、电学和机械性能有着重要影响,进而影响其在工业发展和高科技领域中的潜在应用前景[1,2]。
关键词 人造金刚石 杂质 脉冲加热法 同时测定 金刚石晶体 萃取 高温 惰气
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纯铁触媒添加叠氮化钠合成高氮含量金刚石
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作者 梁中翥 贾晓鹏 梁静秋 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期141-144,共4页
氮元素是天然金刚石和人工合成金刚石中最主要的杂质。为了能够合成出与天然金刚石相同程度含氮量的金刚石,采用含添加剂叠氮化钠(NaN3)的纯铁粉末触媒和石墨在六面顶压机上进行合成研究。用傅立叶变换显微红外光谱仪对金刚石晶体中的... 氮元素是天然金刚石和人工合成金刚石中最主要的杂质。为了能够合成出与天然金刚石相同程度含氮量的金刚石,采用含添加剂叠氮化钠(NaN3)的纯铁粉末触媒和石墨在六面顶压机上进行合成研究。用傅立叶变换显微红外光谱仪对金刚石晶体中的氮含量进行细致的测试。结果表明,用含添加剂NaN3的纯铁粉末触媒合成的金刚石中以单一替代形式(Ib)存在的氮杂质最高浓度达到了2200μg/g,这远远超过了迄今为止报道的用传统的金属触媒生长的具有完整晶形的金刚石中氮的最高含量800μg/g,氮含量达到天然金刚石相同量级;当NaN3的含量小于0.7%时,金刚石中氮含量随着NaN3的含量增加而增加。 展开更多
关键词 纯铁触媒 化物 杂质 金刚石
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用EPR方法研究人造金刚石中杂质氮
14
作者 詹瑞云 唐功本 +3 位作者 刘雅言 刘桂珍 徐杰 孙万明 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期226-229,共4页
本文用电子顺磁共振(EPR)方法,研究人造金刚石中氮的电子结构。提出用自旋浓度来表征氯含量的方法,并对不同方法制得的金刚石进行测定。
关键词 金刚石 杂质 EPR
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金刚石膜中氮杂质状态的研究
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作者 金曾孙 吕宪义 +3 位作者 杨广亮 吴汉华 李哲奎 刘建设 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3314-3316,3319,共4页
用EA-CVD(Electron assisted Chemical Vapor Deposition)方法制备出金刚石膜,并且用拉曼光谱、荧光谱、红外吸收谱和顺磁共振谱研究了金刚石膜中的氮杂质.实验结果表明,用EA-CVD方法制备的金刚石膜中氮杂质主要是以Ns0、Ns+、[N-V]0和[... 用EA-CVD(Electron assisted Chemical Vapor Deposition)方法制备出金刚石膜,并且用拉曼光谱、荧光谱、红外吸收谱和顺磁共振谱研究了金刚石膜中的氮杂质.实验结果表明,用EA-CVD方法制备的金刚石膜中氮杂质主要是以Ns0、Ns+、[N-V]0和[N-V]-1的形式存在,没有检测到在天然金刚石和高温高压金刚石中常见的A和B中心形式存在的氮杂质.沉积实验中随着氢气流量的增加,也就是金刚石膜沉积环境中氮浓度的减少,金刚石膜中氮杂质含量减少. 展开更多
关键词 EA-CVD方法 金刚石膜 杂质
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氮掺杂碳催化剂活化过一硫酸盐的活性位点分析及其对双酚A的降解机制 被引量:2
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作者 许晟硕 钱征 +2 位作者 王龄侦 高位正 杨生炯 《环境工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期452-461,共10页
为了探究氮掺杂碳催化剂中不同类型缺陷点位在活化过一硫酸盐((PMS))时的反应活性,以碳黑和二氰二胺混合物为前驱体,通过热解得到了一系列不同氮掺杂量的碳催化剂(CN_(x)),并对所制备催化剂的缺陷度、化学组分以及PMS活化性能进行了研... 为了探究氮掺杂碳催化剂中不同类型缺陷点位在活化过一硫酸盐((PMS))时的反应活性,以碳黑和二氰二胺混合物为前驱体,通过热解得到了一系列不同氮掺杂量的碳催化剂(CN_(x)),并对所制备催化剂的缺陷度、化学组分以及PMS活化性能进行了研究。结果表明,增加碳催化剂中的高活性氮杂质缺陷点位可有效促进催化剂的PMS活化性能;不同本征缺陷点位对PMS活化性能也表现出显著差异。活性物种淬灭实验、顺磁共振分析和电化学分析等结果表明,CN_(x)/PMS体系对双酚A(BPA)的降解过程遵循以单线态氧(^(1)O_(2))为主导的非自由基途径,催化剂表面的电子传递机制也有一定贡献。以上研究结果可为识别氮掺杂碳催化剂中的活性点位和高活性催化剂的定向合成提供参考。 展开更多
关键词 高级氧化 过一硫酸盐 掺杂碳材料 杂质缺陷 本征缺陷
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FTIR Study of New Chemical Bond Formation in N-doped Carbon under Swift Pb ion Irradiation
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作者 ZhaoZhiming SongYin +3 位作者 WangZhiguang JinYunfan A.Benyagoub M.Toulemonde 《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版》 2003年第1期73-73,共1页
Since Liu and Cohen predicted that the bulk modulus of carbon nitride films with the structure of β-C3N4 are comparable or even surpass those of diamond, intensive experimental efforts have been done to synthesize th... Since Liu and Cohen predicted that the bulk modulus of carbon nitride films with the structure of β-C3N4 are comparable or even surpass those of diamond, intensive experimental efforts have been done to synthesize this new material. Various kinds of synthesized methods have been applied to fabricate carbon nitride films, whereas samples with sufficient amounts of crystallized C3N4 structure or with mechanical properties comparable to the predicted values have not been reported. From the basic of ion-solid interaction, Wang, et al. have proposed a novel method, "low energy ion implantation + swift heavy ion irradiation", for synthesizing compound in atom mixed materials. This method has been used in the present work. 展开更多
关键词 FTIR 化学键 碳分子 杂质 铅离子 放射性
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HPLC法同时测定盐酸帕洛诺司琼注射液中3种杂质的含量 被引量:1
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作者 张建礼 于黎鑫 王鹏 《中国药品标准》 CAS 2016年第5期334-337,共4页
目的:建立HPLC法测定盐酸帕洛诺司琼注射液中还原杂质、差向异构体、氮氧杂质等3种杂质含量的方法。方法:采用Inertsil ODS-3 C_(18)色谱柱(4.6 mm×250 mm,5μm),流动相为高氯酸钠缓冲液-乙腈(72∶28),检测波长为210 nm,柱温为30℃... 目的:建立HPLC法测定盐酸帕洛诺司琼注射液中还原杂质、差向异构体、氮氧杂质等3种杂质含量的方法。方法:采用Inertsil ODS-3 C_(18)色谱柱(4.6 mm×250 mm,5μm),流动相为高氯酸钠缓冲液-乙腈(72∶28),检测波长为210 nm,柱温为30℃,流量为1.0 m L·min^(-1)。结果:在选定的色谱条件下,还原杂质、差向异构体、氮氧杂质可准确测定,方法学考察符合分析检测要求。结论:建立的方法灵敏度高,测定结果准确,可用于盐酸帕洛诺司琼注射液中3种杂质的含量测定。 展开更多
关键词 盐酸帕洛诺司琼注射液 高效液相色谱法 还原杂质 差向异构体 杂质
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氮、氧杂质对V_(40)Ti_(26)Cr_(26)Fe_(8)合金化学成分、微观组织和贮氢性能的影响
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作者 朱鹏飞 王倩 +3 位作者 吴朝玲 陈云贵 严义刚 王尧 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期1582-1588,共7页
采用X射线衍射、扫描电子显微镜、光学显微镜和压力-成分-温度(PCT)等手段研究了氮、氧杂质对V-Ti-Cr-Fe合金微区化学成分、微观结构和贮氢能力的协同影响。V_(40)Ti_(26)Cr_(26)Fe_(8)合金的贮氢能力随着氮、氧杂质含量的增加而明显降... 采用X射线衍射、扫描电子显微镜、光学显微镜和压力-成分-温度(PCT)等手段研究了氮、氧杂质对V-Ti-Cr-Fe合金微区化学成分、微观结构和贮氢能力的协同影响。V_(40)Ti_(26)Cr_(26)Fe_(8)合金的贮氢能力随着氮、氧杂质含量的增加而明显降低,主要作用机理如下:氧在V基合金中的溶解抑制了二氢化物相的形成,导致氢容量的降低(主要效应),而氮与钛结合形成了新的富氮钛相,导致了主相成分的变化和晶格参数的减小(二次效应)。 展开更多
关键词 V-Ti-Cr-Fe合金 贮氢性能 杂质 晶格常数
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