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物理气相输运法生长AlN六方微晶柱
1
作者
王华杰
刘学超
+4 位作者
孔海宽
忻隽
高攀
卓世异
施尔畏
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期215-218,共4页
采用物理气相输运法（Physical Vapor Transport, PVT）, 在1700 - 1850°C生长温度下制备出AlN六方微晶柱; 晶柱长度在1 cm左右, 宽度在200 -400 μm, 光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽; 扫描电子显微镜和原子力显...
采用物理气相输运法（Physical Vapor Transport, PVT）, 在1700 - 1850°C生长温度下制备出AlN六方微晶柱; 晶柱长度在1 cm左右, 宽度在200 -400 μm, 光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽; 扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明： AlN晶柱表面为整齐台阶状形貌, 台阶宽度为2- 4 μm, 高度在几个纳米; 拉曼光谱测试AlN晶柱具有良好结晶质量。PVT 法生长AlN六方微晶柱主要是在偏低温度下AlN晶体生长速率较慢, Al原子和N原子有足够时间迁移到能量较低位置结晶生长, 进而沿着〈0001〉方向形成柱状结构。AlN六方微晶柱是对一维半导体材料领域的补充, 通过对晶柱尺寸及杂质控制的进一步研究, 有望在微型光电器件领域表现出应用价值。
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关键词
III-V族半导体
氮化铝
(
aln
)
晶体
六方微米柱
物理气相输运(PVT)
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职称材料
题名
物理气相输运法生长AlN六方微晶柱
1
作者
王华杰
刘学超
孔海宽
忻隽
高攀
卓世异
施尔畏
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
中国科学院大学
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期215-218,共4页
基金
National High-tech R＆D program of China （863 Program, 2014AA032602）
National Key R＆D program （2016YFB0400400） Shanghai Engineering Research Center of Single Crystal Silicon Carbide
文摘
采用物理气相输运法（Physical Vapor Transport, PVT）, 在1700 - 1850°C生长温度下制备出AlN六方微晶柱; 晶柱长度在1 cm左右, 宽度在200 -400 μm, 光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽; 扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明： AlN晶柱表面为整齐台阶状形貌, 台阶宽度为2- 4 μm, 高度在几个纳米; 拉曼光谱测试AlN晶柱具有良好结晶质量。PVT 法生长AlN六方微晶柱主要是在偏低温度下AlN晶体生长速率较慢, Al原子和N原子有足够时间迁移到能量较低位置结晶生长, 进而沿着〈0001〉方向形成柱状结构。AlN六方微晶柱是对一维半导体材料领域的补充, 通过对晶柱尺寸及杂质控制的进一步研究, 有望在微型光电器件领域表现出应用价值。
关键词
III-V族半导体
氮化铝
(
aln
)
晶体
六方微米柱
物理气相输运(PVT)
Keywords
Ⅲ-Ⅴ semiconductors
aluminum nitride
hexagonal microrod
physical vapor transport
分类号
O78 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
物理气相输运法生长AlN六方微晶柱
王华杰
刘学超
孔海宽
忻隽
高攀
卓世异
施尔畏
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
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职称材料
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