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题名CF4和O2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究
被引量：5
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作者
魏育才
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机构
福建省福联集成电路有限公司
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出处
《集成电路应用》
2019年第7期40-43,共4页
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基金
福建省科技型企业技术创新课题项目
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文摘
探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜角变化越大。当光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比为2.4时,刻蚀完氮化硅的侧壁斜角可控制在45°~65°。
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关键词
CF4和O2等离子刻蚀
ICP刻蚀
氮化硅刻蚀
掩膜退缩
PA工艺
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Keywords
CF4 and O2 plasma etching
ICP etching
Si3N4 etching
mask retraction
PA process
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名氮化硅干法刻蚀工艺设备模型的试验与测量
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作者
李煜
李瑞伟
王纪民
付玉霞
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机构
清华大学微电子学研究所
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期11-14,共4页
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文摘
通过对氮化硅薄膜干法刻蚀工艺实验结果的测量,得到硅片表面非均匀性分布的具体测 量数据,并对这种现象的成因进行了定性的理论分析,为下一步建立刻蚀工艺设备模型准备了充足 的实验数据。
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关键词
干法刻蚀
氮化硅刻蚀
半导体工艺
工艺设备模型
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Keywords
Dry etch
Si3N4 etching
Semiconductor process
Process equipment model
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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