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题名低能高束流氩离子源的结构及性能
被引量：1
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作者
任春生
牟宗信
王友年
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机构
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室
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出处
《核技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第10期730-733,共4页
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文摘
离子源技术是等离子体研究中的一项重要内容,而低能大束流源则是离子源技术研究中的一个重要方向,因为这样的源在离子束刻蚀、离子束溅射镀膜以及荷能粒子与物质相互作用方面都有广泛的应用;本文采用空心阴极空心阳极结构,用热阴极电子发射弧放电驱动并用磁场约束产生等离子体,用曲面发射引出离子束,研制成了氩气放电溅射离子源;研究了灯丝加热电流、弧压对弧流的影响和弧流与工作气体压力对离子束引出的影响规律。离子源的引出电压在0—4.0kV之间连续可调,最大引出束流为100mA,束斑面积为φ6.0cm,以Ti为溅射靶时的最大溅射沉积率为0.45nm/s,离子源可连续工作160h。
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关键词
氩离子源
空心阴极
空心阳极
磁场
离子源性能
溅射沉积
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Keywords
Argon ion source, Hollow cathode, Hollow anode, Magnetic field, Ion source characteristics, Sputtering deposition
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分类号
O532.11
[理学—等离子体物理]
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