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聚苯乙烯球掩膜干法粗化提高LED发光效率
被引量：
5
1
作者
刘娉娉
武锐
+2 位作者
武胜利
王强
柯志杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期260-263,共4页
采用聚苯乙烯球作为掩膜层,对ITO(氧化铟锡)薄膜进行干法蚀刻实现ITO表面的粗化,提高GaN基大功率LED芯片外量子效率。利用AFM及SEM对ITO表面进行表征,比较了微球尺寸对ITO表面形貌及芯片光电参数的影响。结果表明,ITO表面经过350nm聚苯...
采用聚苯乙烯球作为掩膜层,对ITO(氧化铟锡)薄膜进行干法蚀刻实现ITO表面的粗化,提高GaN基大功率LED芯片外量子效率。利用AFM及SEM对ITO表面进行表征,比较了微球尺寸对ITO表面形貌及芯片光电参数的影响。结果表明,ITO表面经过350nm聚苯乙烯球图形化后,在未影响芯片正向电压和波长的前提下所制备的1mm×1mm波长为457nm的大功率LED芯片,亮度增加可达30%以上。
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关键词
聚苯乙烯球
氧化
铟
锡
粗
化
大功率发光二极管
外量子效率
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职称材料
题名
聚苯乙烯球掩膜干法粗化提高LED发光效率
被引量：
5
1
作者
刘娉娉
武锐
武胜利
王强
柯志杰
机构
大连路美芯片科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期260-263,共4页
基金
国家863资助项目(2006AA03A124)
文摘
采用聚苯乙烯球作为掩膜层,对ITO(氧化铟锡)薄膜进行干法蚀刻实现ITO表面的粗化,提高GaN基大功率LED芯片外量子效率。利用AFM及SEM对ITO表面进行表征,比较了微球尺寸对ITO表面形貌及芯片光电参数的影响。结果表明,ITO表面经过350nm聚苯乙烯球图形化后,在未影响芯片正向电压和波长的前提下所制备的1mm×1mm波长为457nm的大功率LED芯片,亮度增加可达30%以上。
关键词
聚苯乙烯球
氧化
铟
锡
粗
化
大功率发光二极管
外量子效率
Keywords
polystyrene sphere
indium tin oxide （ITO）
high power LED
external quantumefficiency
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
聚苯乙烯球掩膜干法粗化提高LED发光效率
刘娉娉
武锐
武胜利
王强
柯志杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
5
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参考文献
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