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氧化铜掺杂氧化锌气敏材料的制备及气敏性能研究 被引量:4
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作者 宣天美 孙健武 +2 位作者 葛美英 尹桂林 何丹农 《郑州大学学报(工学版)》 CAS 北大核心 2017年第2期88-91,共4页
本文利用水热法制备氧化铜掺杂的碱式碳酸锌,并经过高温得到尺寸均匀的多孔氧化铜掺杂氧化锌纳米材料.用XRD、SEM等测试手段对材料的结构和形貌进行表征,并研究了掺杂前后多孔纳米材料对硫化氢的气敏性能.结果表明,氧化铜掺杂可以提升... 本文利用水热法制备氧化铜掺杂的碱式碳酸锌,并经过高温得到尺寸均匀的多孔氧化铜掺杂氧化锌纳米材料.用XRD、SEM等测试手段对材料的结构和形貌进行表征,并研究了掺杂前后多孔纳米材料对硫化氢的气敏性能.结果表明,氧化铜掺杂可以提升材料对硫化氢气体响应的灵敏度、选择性和稳定性,材料对H2S的最佳响应温度降低至180℃,对10 mg/L硫化氢的灵敏度可以达到60,对其他气体响应相对较弱,说明材料具有非常好的选择性.该氧化铜掺杂多孔氧化锌可适用于硫化氢气敏传感器. 展开更多
关键词 氧化铜掺杂 水热法 硫化氢 气敏传感器 选择性
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CuO掺杂对NaNbO3–BaTiO3无铅压电陶瓷性能的影响 被引量:3
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作者 朱孔军 谢实晖 +2 位作者 裘进浩 柏林 季宏丽 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1031-1035,共5页
利用传统烧结法制备CuO掺杂NaNbO3–BaTiO3无铅压电陶瓷,研究不同CuO掺量(0、0.1%、0.2%、0.3%、0.4%、1.0%和2.0%,摩尔分数)对样品显微结构、物相组成及电性能的影响。结果表明:CuO掺量对物相组成、压电性能、铁电性能及介电性能都有... 利用传统烧结法制备CuO掺杂NaNbO3–BaTiO3无铅压电陶瓷,研究不同CuO掺量(0、0.1%、0.2%、0.3%、0.4%、1.0%和2.0%,摩尔分数)对样品显微结构、物相组成及电性能的影响。结果表明:CuO掺量对物相组成、压电性能、铁电性能及介电性能都有显著影响。当CuO掺量从0增大到0.3%时,压电性能增高;当CuO掺量超过0.3%时,压电性能明显下降。当CuO掺量为0.3%时,样品的综合性能最佳:压电常数(d33)为150pC/N,介电损耗(tanδ)为0.0174,机电耦合系数(kp)为30.19%,剩余极化强度(Pr)为13.5μC/cm2,矫顽场(Ec)为1.94kV/mm。 展开更多
关键词 铌酸钠 钛酸钡 无铅压电陶瓷 氧化铜掺杂 压电性能
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CuO掺杂对ZnZrNb_2O_8微波介质陶瓷性能的影响 被引量:2
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作者 洪倩 李月明 +4 位作者 谢志翔 沈宗洋 王竹梅 宋福生 洪燕 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期354-359,共6页
以分析纯的ZnO、ZrO_2、CuO及Nb_2O_5为原料,采用传统固相法制备了Zn_(1–x_Cu_xZrNb_2O_8(ZCZN,x=0.00–0.05)微波介质陶瓷,研究了不同CuO添加量对ZCZN陶瓷的烧结性能、显微结构、相组成以及微波介电性能的影响,利用X射线衍射仪、扫描... 以分析纯的ZnO、ZrO_2、CuO及Nb_2O_5为原料,采用传统固相法制备了Zn_(1–x_Cu_xZrNb_2O_8(ZCZN,x=0.00–0.05)微波介质陶瓷,研究了不同CuO添加量对ZCZN陶瓷的烧结性能、显微结构、相组成以及微波介电性能的影响,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和网络分析仪等对其微观结构、形貌以及微波介电性能进行表征。结果表明:CuO的添加能有效降低ZnZrNb_2O_8陶瓷的烧结温度,提高其品质因数和介电常数。当x=0.03时,陶瓷可在1 200℃烧结并获得最佳微波介电性能:介电常数ε_r=30.1,品质因数Q×f=53 037 GHz,频率温度系数τ_f=–57.21×10^(–6)/℃。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 氧化铜掺杂 高品质因数
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CuO掺杂对钇钡铜氧陶瓷电性能的影响 被引量:2
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作者 周宏明 王博益 +1 位作者 李荐 程名辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期220-224,共5页
采用传统固相烧结法制备的Y_1Ba_2Cu_3O_(7-x)(YBCO)陶瓷为功能相、玻璃粉为烧结助剂、CuO为掺杂剂,制备了CuO掺杂的钇钡铜氧陶瓷。通过X射线衍射仪、扫描电镜、能谱分析仪、微欧仪和高低温交变湿热试验箱对其相组成、微观结构及电性能... 采用传统固相烧结法制备的Y_1Ba_2Cu_3O_(7-x)(YBCO)陶瓷为功能相、玻璃粉为烧结助剂、CuO为掺杂剂,制备了CuO掺杂的钇钡铜氧陶瓷。通过X射线衍射仪、扫描电镜、能谱分析仪、微欧仪和高低温交变湿热试验箱对其相组成、微观结构及电性能进行研究。研究结果表明:CuO掺杂有利于减少YBCO晶体结构中存在的氧缺陷;随CuO掺杂量从0%增加到3%,陶瓷致密度逐渐增加,电阻率明显降低; CuO掺杂量大于3%后,陶瓷致密度逐渐下降,电阻率也明显升高;随CuO掺杂量增加,陶瓷的电阻温度系数逐渐由负向正偏移,电阻温度系数值逐渐减小。当CuO掺杂量为3%时,样品的综合电性能最佳:电阻率为1. 55×10^(-4)Ω·m,电阻温度系数为-1 470×10^(-6)/℃。 展开更多
关键词 钇钡铜氧陶瓷 氧化铜掺杂 致密度 电阻率 电阻温度系数
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SnO_(2)氧化物半导体型传感器的应用优化研究
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作者 焦成 王群立 +2 位作者 田金木 赵中会 李青锋 《自动化应用》 2021年第8期64-66,69,共4页
在大数据与物联网高速发展的时代,传感器无疑作为自动获取信息的第一选择而工作于整个信息链的最前端。而随着工业化程度的加强、大气环境的逐步恶化、工厂家庭火灾频发、航空航天以及医疗、灾情和探险等多方面均为传感器发展提供了众... 在大数据与物联网高速发展的时代,传感器无疑作为自动获取信息的第一选择而工作于整个信息链的最前端。而随着工业化程度的加强、大气环境的逐步恶化、工厂家庭火灾频发、航空航天以及医疗、灾情和探险等多方面均为传感器发展提供了众多机会。其中,气体传感器因体积小、低成本、隐私好的优点而得到了广泛的运用,因此也对其稳定性、准确性及精度做出了更高的需求,而气体传感器因其电化学性质会产生非线性反馈、阻浓特性曲线转移、化学腐蚀等棘手问题,使其在运用中大多只能以一阈值作为开关量传感器使用,因此本文将从硬件优化及软件补偿上进行氧化物半导体型传感器的应用优化研究。 展开更多
关键词 气体传感器 氧化 气敏材料 氧化铜掺杂
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氧化铈复合钛酸镧钠介质陶瓷的微波介电性能
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作者 钱俊 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期73-76,共4页
采用固相合成法制备了(1-x)(Na0.5La0.5)TiO3+xCeO2+1%CuO复合微波介质陶瓷,研究了烧结温度、微观结构和微波介电性能之间的关系。结果表明:当x=0.8,烧结温度为1 400℃时,可获得介电常数εr为35.9、品质因数Qf为11 300GHz、谐振频率温... 采用固相合成法制备了(1-x)(Na0.5La0.5)TiO3+xCeO2+1%CuO复合微波介质陶瓷,研究了烧结温度、微观结构和微波介电性能之间的关系。结果表明:当x=0.8,烧结温度为1 400℃时,可获得介电常数εr为35.9、品质因数Qf为11 300GHz、谐振频率温度系数τf为98.0×10-6℃-1的微波介质陶瓷;通过调节体系中的x值可获得接近于0的τf,当x=0.9、烧结温度为1 400℃时,可获得εr为32.0、Qf为8 240GHz、τf为6.7×10-6℃-1的微波介质陶瓷。 展开更多
关键词 钛酸镧钠 氧化 氧化铜掺杂 微波介电性能
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掺杂CuO对Ba_(0.95)Sr_(0.05)TiO_3陶瓷介电性能的影响
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作者 张运强 马秋花 王改民 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期13-15,21,共4页
采用传统的固相法制备了掺杂CuO的Ba0.95Sr0.05TiO3陶瓷。研究了CuO的掺杂对Ba0.95Sr0.05TiO3陶瓷介电性能的影响。结果表明:较Ba0.95Sr0.05TiO3陶瓷相比,掺杂CuO可以降低烧结温度,烧结过程中使晶粒明显细化,有效的降低了介电峰值温度,... 采用传统的固相法制备了掺杂CuO的Ba0.95Sr0.05TiO3陶瓷。研究了CuO的掺杂对Ba0.95Sr0.05TiO3陶瓷介电性能的影响。结果表明:较Ba0.95Sr0.05TiO3陶瓷相比,掺杂CuO可以降低烧结温度,烧结过程中使晶粒明显细化,有效的降低了介电峰值温度,并展宽了相变峰。BSTC陶瓷还表现出了明显的弛豫特征。 展开更多
关键词 介电性能 BST陶瓷 氧化铜掺杂
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基于溶胶凝胶法的二氧化锡复合薄膜的制备及表征 被引量:4
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作者 李建昌 王博锋 +3 位作者 单麟婷 姜永辉 韩小波 巴德纯 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期225-231,共7页
以金属无机盐SnCl2.2H2O、CuCl2.2H2O和无水乙醇为原料,用溶胶凝胶法制备了SnO2和CuO掺杂的CuO-SnO2薄膜,并用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和电化学工作站对样品进行了表征。结果表明:随着退火温度的增加,薄膜结晶性变好,晶粒长大,电... 以金属无机盐SnCl2.2H2O、CuCl2.2H2O和无水乙醇为原料,用溶胶凝胶法制备了SnO2和CuO掺杂的CuO-SnO2薄膜,并用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和电化学工作站对样品进行了表征。结果表明:随着退火温度的增加,薄膜结晶性变好,晶粒长大,电学特性增强,最佳退火温度确定为450℃。掺杂CuO的SnO2薄膜导电性好于同等条件下未掺杂的SnO2薄膜。SnO2呈四方相金红石结构,衍射峰显示薄膜中存在部分SnO。聚乙二醇的添加增强了SnO2的衍射峰,当超过一定添加量后将抑制晶粒的生长,并使得CuO-SnO2薄膜的导电性呈先减小后增大的趋势。丙三醇的添加可极大改善薄膜的表面形貌,增强了SnO2的衍射峰,且导电性明显变好。 展开更多
关键词 氧化锡溶胶凝胶法氧化铜掺杂 电学特性
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牙科修复用CuO掺杂纳米二氧化钛的制备与表征
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作者 许卫星 郭子寒 《口腔材料器械杂志》 2019年第3期34-38,共5页
目的通过氧化铜掺杂,制备改性氧化铜纳米二氧化钛光催化剂,检测氧化铜掺杂对CuO/TiO2复合光催化剂吸收光谱的影响,为研制口腔临床修复功能性材料提供依据。方法采用共沉淀法制备CuO/TiO2(CuO掺杂纳米二氧化钛),通过X射线衍射仪(XRD)、... 目的通过氧化铜掺杂,制备改性氧化铜纳米二氧化钛光催化剂,检测氧化铜掺杂对CuO/TiO2复合光催化剂吸收光谱的影响,为研制口腔临床修复功能性材料提供依据。方法采用共沉淀法制备CuO/TiO2(CuO掺杂纳米二氧化钛),通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见光吸收光谱(UV-vis谱)对其形态、结构、组成和性质进行表征。结果成功制备了CuO/TiO2复合光催化剂,不同CuO掺杂比的TiO2的形貌基本不变,CuO掺杂使CuO/TiO2吸收光谱发生红移,增加了可见光的吸收边界,提高可见光响应。结论掺杂CuO后的光催化剂有效地提高其可见光响应能力,减少了空穴和电子复合,提高了可见光响应的性能。本研究对解决口腔临床修复对抗菌抑菌自洁特性材料的需求具有参考意义。 展开更多
关键词 光催化剂 氧化铜掺杂纳米二氧化 制备 表征
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