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氧化钒薄膜太赫兹波段频率特性研究 被引量：4
1
作者 陈涛 胡明 +3 位作者 梁继然 后顺保 吕志军 栗力 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1348-1351,共4页
利用直流对靶磁控溅射镀膜法,在Si衬底上制备出在太赫兹(THz)波段具有开关性能的氧化钒(VOx)薄膜。用X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)方法对VOx薄膜的组份和形貌进行表征。利用THz时域频谱系统(THz-TDS)对VOx薄膜的光致相变... 利用直流对靶磁控溅射镀膜法,在Si衬底上制备出在太赫兹(THz)波段具有开关性能的氧化钒(VOx)薄膜。用X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)方法对VOx薄膜的组份和形貌进行表征。利用THz时域频谱系统(THz-TDS)对VOx薄膜的光致相变性能进行测试。实验表明,VOx薄膜在波长532 nm连续激光照射下具有明显的光致相变特性,且随着薄膜中V元素总体价态的升高,THz透射率达到峰值时的频率逐渐降低。 展开更多
关键词 氧化钒(vox) 太赫兹(THz) 光致相变 频率特性
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射频磁控溅射制备氧化钒薄膜的研究 被引量：9
2
作者 马卫红 蔡长龙 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期159-163,共5页
氧化钒(VOx)薄膜是一种广泛应用于红外热成像探测的薄膜材料,研究VOx薄膜的制备工艺、获取高电阻温度系数(TCR)的VOx薄膜具有重要意义。以高纯金属钒作靶材,采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了VOx薄膜。主要研究了氩氧流量比以及功... 氧化钒(VOx)薄膜是一种广泛应用于红外热成像探测的薄膜材料,研究VOx薄膜的制备工艺、获取高电阻温度系数(TCR)的VOx薄膜具有重要意义。以高纯金属钒作靶材,采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了VOx薄膜。主要研究了氩氧流量比以及功率等工艺参数对薄膜TCR的影响,获得了较好的工艺参数。采用万用表和X射线光电子能谱仪(XPS)分别测试了不同条件下射频磁控溅射法制备的VOx薄膜的电阻特性和薄膜成分,测试结果表明,采用所获得的较好工艺参数制备的VOx薄膜TCR值大于1.8%。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 氧化钒(vox)薄膜 电阻温度系数(TCR)
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氧化钒薄膜的制备及电致开关特性的研究 被引量：4
3
作者 张楷亮 韦晓莹 +2 位作者 王芳 武长强 赵金石 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期656-659,共4页
采用反应溅射法,室温下,在Cu/Ti/SiO2/Si衬底上制备了氧化钒（VOx）薄膜,并对薄膜进行450℃、30min的真空退火处理。采用X-射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）对薄膜的结晶取向和表面形貌进行了表征,通过半导体参数分析仪对薄膜的电... 采用反应溅射法,室温下,在Cu/Ti/SiO2/Si衬底上制备了氧化钒（VOx）薄膜,并对薄膜进行450℃、30min的真空退火处理。采用X-射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）对薄膜的结晶取向和表面形貌进行了表征,通过半导体参数分析仪对薄膜的电开关特性进行测试,并利用导电原子力显微镜（CAFM）对VOx薄膜的导电机制进行了探索。测试结果表明,VOx薄膜在Cu/Ti/SiO2/Si衬底取向生长,并且是以V2O5为主的V6O13和V2O5的混合物,薄膜表面颗粒大小均匀（30~40 nm）,粗糙度为2.4 nm。电学测试结果表明薄膜具有较低（Vset=0.72 V,Vreset=0.39 V）的开关电压,开关电阻的转变倍率约3个数量级,经CAFM测试发现,VOx薄膜导电态中有导电细丝,结合VOx/Cu界面态及Cu离子快扩散特性,认为VOx薄膜导电态主要是Cu离子在薄膜中扩散形成的导电细丝所致。 展开更多
关键词 氧化钒(vox)薄膜 电阻开关特性 阻变机理
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