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通过3He（d，p）4He核反应研究He在Ti3SiC2中的扩散行为
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作者 戚强 HUANG Mengbing +1 位作者 张海斌 施立群 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第B05期54-58,共5页
对于未来聚变和裂变能源装置，第一壁/包层的结构材料处于严酷的使用环境．其中嬗变产物氢氦对结构材料的作用是所关心的重要问题之一．TisSiC2是一种新型的高性能综合性陶瓷材料——金属陶瓷材料。具有十分优异的耐高温抗辐照特性．本... 对于未来聚变和裂变能源装置，第一壁/包层的结构材料处于严酷的使用环境．其中嬗变产物氢氦对结构材料的作用是所关心的重要问题之一．TisSiC2是一种新型的高性能综合性陶瓷材料——金属陶瓷材料。具有十分优异的耐高温抗辐照特性．本文通过。He（d，p）4He核反应方法获得了400至1100℃He在Ti3SiC2中的扩散系数以及氦在材料中的深度分布，并对氦的扩散行为进行了讨论．发现氦在材料中的演化和内应力的共同作用导致了氦分布的变化． 展开更多
关键词 TI3SIC2 MAX相 氦扩散行为 3He(d p)4He核反应 氦泡 辐照损伤
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