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单颗磨粒作用下硼硅酸盐玻璃的亚表面静态裂纹 被引量：4
1
作者 戴子华 朱永伟 +3 位作者 居志兰 李军 孙韬 左敦稳 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1161-1166,共6页
利用Vickers压痕法模拟研磨抛光过程中单颗磨粒作用于K9(硼硅酸盐玻璃)工件表面过程,采用HF截面腐蚀法测量金刚石压头压入过程中的裂纹深度,探索裂纹深度与载荷和压头压入深度之间的关系,借助有限元软件ANSYS/LS-DYNA分析不同载荷下裂... 利用Vickers压痕法模拟研磨抛光过程中单颗磨粒作用于K9(硼硅酸盐玻璃)工件表面过程,采用HF截面腐蚀法测量金刚石压头压入过程中的裂纹深度,探索裂纹深度与载荷和压头压入深度之间的关系,借助有限元软件ANSYS/LS-DYNA分析不同载荷下裂纹的产生和发展过程。结果表明:在0.098～0.490N载荷范围内,裂纹以横向裂纹为主;在0.49～2.94N载荷范围内,裂纹主要为纵向裂纹,少量压坑周围出现多条明显裂纹;在2.94～9.80N载荷范围内,亚表面裂纹主要为纵向裂纹。不同载荷下K9玻璃亚表面裂纹层的深度为1.4～87.2μm;数值模拟的裂纹层深度为3.5～107.5μm。 展开更多
关键词 单颗磨粒 硼硅酸盐玻璃 亚表面裂纹 裂纹发展 氢氟酸腐蚀
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铝添加量对烧结合成Ti_3SiC_2的影响及其耐蚀性研究 被引量：3
2
作者 徐伟 薛茂权 白建波 《无机盐工业》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期23-26,共4页
通过在无水乙醇中机械搅拌钛粉、硅粉、石墨粉和铝粉进行混料,采用无压烧结法制备了Ti_3SiC_2。研究不同添加量的铝粉对制备Ti_3SiC_2产物的物相和形貌的影响,同时研究了制备出的Ti_3SiC_2粉末在室温和高温条件下氢氟酸溶液中的反应行... 通过在无水乙醇中机械搅拌钛粉、硅粉、石墨粉和铝粉进行混料,采用无压烧结法制备了Ti_3SiC_2。研究不同添加量的铝粉对制备Ti_3SiC_2产物的物相和形貌的影响,同时研究了制备出的Ti_3SiC_2粉末在室温和高温条件下氢氟酸溶液中的反应行为。结果表明,反应原料中铝粉的加入有利于缓和反应过程中的热波动,铝粉吸热熔化后形成的熔池有利于降低反应的起始温度,使原料粉末充分反应,降低反应过程中形成的碳化钛杂质含量,促进Ti_3SiC_2的合成和纯度的提高。合成的Ti_3SiC_2在室温和100℃的氢氟酸溶液中具有一定的耐腐蚀性,在180℃的氢氟酸溶液中,Ti_3SiC_2发生结构和形貌转变,生成碳化硅和氟化铝立方体。 展开更多
关键词 TI3SIC2 无压烧结 铝添加量 氢氟酸腐蚀 氟化铝立方体
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氢氟酸腐蚀对可加工陶瓷表面耐电的影响 被引量：1
3
作者 刘国清 于开坤 +1 位作者 田杰 张冠军 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期146-150,共5页
为了解决真空中的沿面闪络现象制约真空绝缘系统的整体性能的问题,提出将一种具有优良的可加工性能及表面耐电性能的微晶玻璃(又称可加工陶瓷)引入真空绝缘领域,研究了氢氟酸的体积分数φ(HF)不同时处理可加工陶瓷样品前后其电学特性的... 为了解决真空中的沿面闪络现象制约真空绝缘系统的整体性能的问题,提出将一种具有优良的可加工性能及表面耐电性能的微晶玻璃(又称可加工陶瓷)引入真空绝缘领域,研究了氢氟酸的体积分数φ(HF)不同时处理可加工陶瓷样品前后其电学特性的变化。利用X射线衍射(XRD)技术,定性分析了φ(HF)不同时处理样品后表面的玻璃相的体积分数φ(GP);采用光电结合的方法,测量了φ(HF)不同时处理样品在真空高压脉冲下的沿面闪络特性。φ(HF)不同时处理可加工陶瓷后,其表面φ(GP)和真空表面耐电性能均改变;φ(HF)越高,则样品表面的φ(GP)越低,真空耐电特性越好。通过氢氟酸处理可以腐蚀掉样品表面的玻璃相,从而改变了脱陷电子的"爬电高度",进而影响了可加工陶瓷的真空表面耐电性能。 展开更多
关键词 可加工陶瓷 表面耐电 沿面闪络 氢氟酸腐蚀 玻璃相体积分数 真空
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烷基化装置工艺干式泵故障跳停原因分析及对策
4
作者 朱国建 顾文忠 《精细石油化工进展》 CAS 2022年第3期42-47,共6页
针对氟化氢(HF)催化烷基化工艺抽真空系统干式泵多次跳停的问题,通过剖析近几年干式泵的跳停实例,从催化剂HF、空气、真空泵出口带液、轻组分等因素分析了其对干式泵运行的影响,并提出解决或降低其跳停频次的措施。结果发现,干式泵故障... 针对氟化氢(HF)催化烷基化工艺抽真空系统干式泵多次跳停的问题,通过剖析近几年干式泵的跳停实例,从催化剂HF、空气、真空泵出口带液、轻组分等因素分析了其对干式泵运行的影响,并提出解决或降低其跳停频次的措施。结果发现,干式泵故障跳停主要受氢氟酸腐蚀影响,当负压系统漏入空气后腐蚀加剧,其腐蚀产物脱落进入干式泵腔体造成跳停。此外,出口管线(带液)堵塞、检修时涉酸设备隔绝保护、进料组分等都会干扰真空泵的正常运转。实际生产中可采取控制工艺条件、更换升级管线、改造流程等措施,降低机泵跳停及维修频次,实现抽真空系统的平稳运行。 展开更多
关键词 氟化氢(HF) 烷基化装置 干式泵故障跳停 氢氟酸腐蚀
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玻璃艺术新的构成形式
5
作者 张正星 《玻璃艺术》 2004年第3期41-42,共2页
随着经济的发展，人们生活水平的提高，玻璃艺术以它独有的展示形式占据了人们牛活空间的一个重要部分。玻璃制品以不同的形状、功能、颜色出现在世人面前，引起了人们的注意。那是光线投射的作用使得玻璃艺术品产生了神奇的艺术效果。... 随着经济的发展，人们生活水平的提高，玻璃艺术以它独有的展示形式占据了人们牛活空间的一个重要部分。玻璃制品以不同的形状、功能、颜色出现在世人面前，引起了人们的注意。那是光线投射的作用使得玻璃艺术品产生了神奇的艺术效果。这种出人预想的效果， 展开更多
关键词 玻璃艺术 冷加工 吹制 脱蜡熔铸 喷砂雕刻 氢氟酸腐蚀 玻璃熔合 窑制 光线
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浅谈烷基苯装置设备设计的特点 被引量：2
6
作者 金桂兰 《石油化工设备技术》 CAS 2000年第6期1-3,共3页
中国石化集团北京设计院在消化吸收引进国外技术的基础上 ,成功地自行设计了金桐烷基苯厂 5 0 kt/ a烷基苯装置。针对烷基化催化剂氢氟酸介质的特性 ,重点阐述了烷基化设备的设计特点。
关键词 烷基苯 耐氢氟酸腐蚀 设备 设计特点 化学腐蚀
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硅表面HEMA和NIPAM聚合物刷点阵组装
7
作者 路小彬 《中国科技论文在线精品论文》 2020年第1期90-97,共8页
嵌段共聚物纳米刻蚀技术由于具有大面积、大批量生产的优点,可应用于集成电路硅片、生物芯片等技术领域.本文对该技术进行了改进,首先,通过聚苯乙烯-聚(4-乙烯基吡啶)(polystyrene-block-poly(4-vinylpyridine),PS-b-P4VP)胶束溶液旋涂... 嵌段共聚物纳米刻蚀技术由于具有大面积、大批量生产的优点,可应用于集成电路硅片、生物芯片等技术领域.本文对该技术进行了改进,首先,通过聚苯乙烯-聚(4-乙烯基吡啶)(polystyrene-block-poly(4-vinylpyridine),PS-b-P4VP)胶束溶液旋涂得到其自组装点阵模板,然后通过稀氢氟酸腐蚀在硅表面上形成相应的硅-氢(SiH_(x))纳米坑点阵图案,进而由原子转移自由基聚合反应(atom transfer radical polymerization,ATRP)生成甲基丙烯酸-2-羟基乙酯(hydroxyethyl methacrylate,HEMA)和N-异丙基丙烯酰胺(N-isopropyl acrylamide,NIPAM)聚合物刷的纳米点阵结构.硅和其表面的HEMA和NIPAM聚合物刷软材料构成新颖的复合材料,同时兼容了无机和有机材料的优点,扩大了其在催化、吸附、分离和生物分子检测领域的应用.加之其良好的生物兼容性,可直接用于人体和动物体,而且硅表面高分子刷丰富的功能团,也为后续的端基改性提供了基础. 展开更多
关键词 化学其他学科 嵌段共聚物点阵 稀氢氟酸腐蚀 SiH_(x)纳米坑 甲基丙烯酸-2-羟基乙酯 N-异丙基丙烯酰胺
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Cr_2AlC在氢氟酸溶液中的腐蚀行为研究
8
作者 薛茂权 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期2223-2228,共6页
通过液相搅拌对铬粉、铝粉和石墨粉进行混料,经无压烧结制备出高纯度的Cr_2AlC粉末,同时研究了制备出的Cr_2AlC粉末在室温搅拌条件下氢氟酸溶液中的反应行为,结果表明,氢氟酸的浓度和反应时间会影响Cr_2AlC腐蚀的过程和最终产物,随着氢... 通过液相搅拌对铬粉、铝粉和石墨粉进行混料,经无压烧结制备出高纯度的Cr_2AlC粉末,同时研究了制备出的Cr_2AlC粉末在室温搅拌条件下氢氟酸溶液中的反应行为,结果表明,氢氟酸的浓度和反应时间会影响Cr_2AlC腐蚀的过程和最终产物,随着氢氟酸浓度的增加和反应时间的延长,在搅拌辅助下,Cr_2AlC逐渐被氢氟酸腐蚀,生成Cr F3·3H2O,其形貌也由Cr_2AlC的层状结构转变成疏松结构的纳米颗粒,而腐蚀过程中没有搅拌辅助时,反应产物为Al_2O_3和Cr_7C_3。 展开更多
关键词 Cr2AlC 无压烧结:氢氟酸腐蚀 CrF3·3H2O
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干氧SiO_2的氢氟酸缓冲腐蚀研究 被引量：3
9
作者 黄绍春 江永清 +3 位作者 叶嗣荣 郭林红 刘晓芹 赵珊 《桂林电子科技大学学报》 2006年第5期363-365,共3页
根据对掺三氯乙烯（TCE）干氧氧化的SiO2在不同配比氢氟酸缓冲腐蚀液（BHF）中的腐蚀特性的研究结果表明，在HF wt％保持不变的条件下，腐蚀速率先随着NH4F wt％的增大而上升；NH4F大于15 wt%～20wt％以后，腐蚀速率反而随之降低。值得... 根据对掺三氯乙烯（TCE）干氧氧化的SiO2在不同配比氢氟酸缓冲腐蚀液（BHF）中的腐蚀特性的研究结果表明，在HF wt％保持不变的条件下，腐蚀速率先随着NH4F wt％的增大而上升；NH4F大于15 wt%～20wt％以后，腐蚀速率反而随之降低。值得注意的是，干氧SiO2同湿氧SiO2相比，在1wt％HF条件下，前者的腐蚀速率要比后者高，直到HF酸浓度大于3wt％时，前者的腐蚀速率才低于后者，这一现象可用NH^4＋阻挡模型结合TCE在SiO2中引入浅电子陷阱的方式得到解释。 展开更多
关键词 氢氟酸缓冲腐蚀液 干氧SiO2 湿法腐蚀 三氯乙烯
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