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Pt/CeO2催化剂催化丙酮气相加氢性能
1
作者 韩承俊 鲍天颐 +1 位作者 陈昌智 汪庭玉 《化学工程与技术》 CAS 2023年第1期35-42,共8页
本文通过对Pt/CeO2催化剂还原处理,形成足够的Pt-CeO2界面,考察了其对丙酮气相加氢制备异丙醇的性能。实验证实,Pt或CeO2位点均不能催化此反应,虽然Pt能解离氢气,CeO2能吸附丙酮。但是Pt/CeO2能够同时具备活化氢气和吸附丙酮的性能,所... 本文通过对Pt/CeO2催化剂还原处理,形成足够的Pt-CeO2界面,考察了其对丙酮气相加氢制备异丙醇的性能。实验证实,Pt或CeO2位点均不能催化此反应,虽然Pt能解离氢气,CeO2能吸附丙酮。但是Pt/CeO2能够同时具备活化氢气和吸附丙酮的性能,所以催化性能大幅提高。 展开更多
关键词 氢气解离 丙酮吸附 加氢 异丙醇 催化性能
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高(111)晶面暴露的Pd纳米颗粒的制备与表征及其加氢性能 被引量：2
2
作者 陆张银 洪云阳 +2 位作者 戴玉玉 李小青 严新焕 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2021年第6期1143-1151,共9页
通过液相氢气还原法,在不同温度下制备出了不同(111)晶面占比的Pd单晶纳米颗粒,用活性炭吸附制备成Pd/C纳米催化剂。通过透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换(FFT)、X射线衍射(XRD)表征证实了低温下制备的Pd纳米颗粒具有较高的(111)晶面占... 通过液相氢气还原法,在不同温度下制备出了不同(111)晶面占比的Pd单晶纳米颗粒,用活性炭吸附制备成Pd/C纳米催化剂。通过透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换(FFT)、X射线衍射(XRD)表征证实了低温下制备的Pd纳米颗粒具有较高的(111)晶面占比。氢氧脉冲滴定(H_(2)‑O_(2))和H_(2)‑程序升温脱附(H_(2)‑TPD)结果显示,上述催化剂表面吸附氢气量与其Pd(111)晶面占比呈线性关系。此外,该系列Pd/C催化剂具有相似的粒径4.3 nm以及较窄的尺寸分布,相近的孔隙参数和Pd负载量,从而可对比(111)晶面比例差异对其加氢性能的影响。3个探针反应(苯乙烯、环己烯和对硝基甲苯的加氢反应)的实验结果表明,相比于低(111)晶面暴露比例的Pd/C催化剂,含有高(111)晶面暴露比例的Pd/C催化剂显示出更高的加氢活性,且Pd(111)晶面比例与氢气消耗速率呈一定的线性关系,这归因于H_(2)优先吸附于Pd(111)晶面促进了活性氢原子的形成。基于以上分析,高(111)晶面暴露的Pd基催化剂有利于加氢性能的提高。 展开更多
关键词 钯 纳米单晶 Pd(111)晶面 氢气解离 加氢反应
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NiMn双金属与MgO载体间的相互作用对氢气解离的影响
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作者 秦桥云 王宝俊 +1 位作者 李凯 刘红艳 《太原理工大学学报》 北大核心 2017年第3期327-333,共7页
采用密度泛函理论,在电子水平上研究了NiMn双金属与MgO载体间的相互作用以及这种相互作用对H原子吸附和H_2解离的影响,并把所得结果与Ni/MgO上相应的结果作比较。研究过程中分别采用完美的和有缺陷的MgO载体负载Ni_2Mn_2簇,构建了两种... 采用密度泛函理论,在电子水平上研究了NiMn双金属与MgO载体间的相互作用以及这种相互作用对H原子吸附和H_2解离的影响,并把所得结果与Ni/MgO上相应的结果作比较。研究过程中分别采用完美的和有缺陷的MgO载体负载Ni_2Mn_2簇,构建了两种催化剂模型。结果表明,表面有缺陷的MgO与活性组分Ni_2Mn_2间的相互作用大于完美面MgO与活性组分间的相互作用,H原子在有缺陷的MgO负载的Ni_2Mn_2催化剂上的吸附能大于完美面MgO负载的Ni_2Mn_2催化剂上的吸附能,并且有缺陷的MgO负载的Ni_2Mn_2催化剂更有利于H_2解离;与Ni4负载的MgO上金属与载体间相互作用相比较,添加第二种金属Mn会使活性组分与MgO载体间的相互作用减弱,吸附H原子的能力增强,但是不利于H_2解离。此结果为通过加入第二种金属或改变载体来调变金属-载体间相互作用进而改变催化剂性能的实验研究提供了理论线索。 展开更多
关键词 双金属催化剂 MgO载体 密度泛函理论(DFT) 氢吸附 氢气解离 NiMn双金属
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从头算分子动力学研究H_(2)在缺陷石墨烯负载的Cu_(19)团簇上解离吸附
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作者 刘乃贵 高得鲁 王敦友 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第6期747-754,I0057,共9页
本文运用从头算分子动力学方法研究了H_(2)在Cu_(19)团簇和缺陷石墨烯负载Cu_(19)团簇上的解离吸附.分子水平上的动力学轨迹表明,氢气在Cu_(19)上解离吸附的最佳位点是桥位-空位,两个氢原子吸附在Cu原子两边的桥位和空位上,吸附能为-0.7... 本文运用从头算分子动力学方法研究了H_(2)在Cu_(19)团簇和缺陷石墨烯负载Cu_(19)团簇上的解离吸附.分子水平上的动力学轨迹表明,氢气在Cu_(19)上解离吸附的最佳位点是桥位-空位,两个氢原子吸附在Cu原子两边的桥位和空位上,吸附能为-0.74 eV.在缺陷石墨烯负载的Cu_(19)团簇上,两个氢原子的最佳吸附位置是吸附在两个空位上,吸附能为-1.27 eV.总的来说,缺陷石墨烯负载Cu_(19)团簇上的平均吸附能为-1.07 eV,比Cu_(19)团簇上的-0.58 eV多约84%,这表明缺陷石墨烯负载Cu_(19)簇上对于氢气的解离吸附能力大大增强.d带中心向费米能级靠近解释了为什么缺陷石墨烯负载Cu_(19)团簇吸附能力更强.积分晶体轨道哈密顿布居分析表明,与Cu_(19)团簇相比,在缺陷石墨烯支持的Cu_(19)簇上,氢原子与其键合的Cu原子之间更强的键相互作用导致了更大的吸附能. 展开更多
关键词 氢气的解离吸附 从头算分子动力学 吸附能 密度泛函理论
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