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透镜型量子点中类氢杂质基态能的计算 被引量:8
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作者 常加峰 曾祥华 +1 位作者 周朋霞 毕桥 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期978-983,共6页
通过有效质量近似和变分法 ,研究了垂直磁场下透镜型量子点中类氢杂质基态能量 ,并与球型量子点进行了比较 .研究表明 :对于球型量子点 ,基态能仅与杂质的偏离距离有关 ,与垂直和水平偏离无关 ;而对于透镜型量子点 ,由于水平方向和垂直... 通过有效质量近似和变分法 ,研究了垂直磁场下透镜型量子点中类氢杂质基态能量 ,并与球型量子点进行了比较 .研究表明 :对于球型量子点 ,基态能仅与杂质的偏离距离有关 ,与垂直和水平偏离无关 ;而对于透镜型量子点 ,由于水平方向和垂直方向束缚势的非对称性 ,电子基态能不仅与杂质的偏离距离有关 。 展开更多
关键词 透镜型量子点 基态能 变分法 杂质 有效质量 束缚势 偏离距离 分裂结构 量子电子学
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Linear and Nonlinear Optical Properties of Spherical Quantum Dots:Effects of Hydrogenic Impurity and Conduction Band Non-Parabolicity 被引量:4
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作者 G.Rezaei B.Vaseghi N.A.Doostimotlagh 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2012年第3期485-489,共5页
Simultaneous effects of an on-center hydrogenic impurity and band edge non-parabolicity on intersubband optical absorption coefficients and refractive index changes of a typical GaAs/AlxGa1-xAs spherical quantum dot a... Simultaneous effects of an on-center hydrogenic impurity and band edge non-parabolicity on intersubband optical absorption coefficients and refractive index changes of a typical GaAs/AlxGa1-xAs spherical quantum dot are theoretically investigated, using the Luttinger-Kohn effective mass equation. So, electronic structure and optical properties of the system are studied by means of the matrix diagonalization technique and compact density matrix approach, respectively. Finally, effects of an impurity, band edge non-parabolicity, incident light intensity and the dot size on the linear, the third-order nonlinear and the total optical absorption coemcients and refractive index changes are investigated. Our results indicate that, the magnitudes of these optical quantities increase and their peaks shift to higher energies as the influences of the impurity and the band edge non-parabolicity are considered. Moreover, incident light intensity and the dot size have considerable effects on the optical absorption coefficients and refractive index changes. 展开更多
关键词 hydrogenic impurity non-parabolic conduction band quantum dots absorption coefficient refractive index
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Electronic States of a Shallow Hydrogenic Donor Impurity in Different Shaped Semiconductor Quantum Wells 被引量:3
3
作者 JIANG Li-Ming WANG Hai-Long +2 位作者 WU Hui-Ting GONG Qian FENG Song-Lin 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2009年第6期1135-1138,共4页
The shallow hydrogenic donor impurity states in square, V-shaped, and parabolic quantum wells are studied in the framework of effective-mass envelope-function theory using the plane wave basis. The first four impurity... The shallow hydrogenic donor impurity states in square, V-shaped, and parabolic quantum wells are studied in the framework of effective-mass envelope-function theory using the plane wave basis. The first four impurity energy levels and binding energy of the ground state are more easily calculated than with the variation method. The calculation results indicate that impurity energy levels decrease with the increase of the well width and decrease quickly when the well width is small. The binding energy of the ground state increases until it reaches a maximum value, and then decreases as the well width increases. The results are meaningful and can be widely applied in the design of various optoelectronie devices. 展开更多
关键词 hydrogenic donor impurity binding energy electronic states quantum well
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GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs异质结附近类氢杂质束缚能及其受像势的影响 被引量:3
4
作者 李树深 袁伟 +1 位作者 刘建军 孔小均 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期223-228,共6页
在有效质量近似下,利用一维化Euler方程方法计算了GaAs-Ga1-xAlxAs异质结附近类氢杂质基态及2p±态束缚能及其受像势的影响.在极限情况下,我们的结果可以重现已有的精确解.
关键词 GaAs-Ga-AlAs 异质结 杂质 能带
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硅中氢杂质的研究
5
作者 樊瑞新 杨德仁 +1 位作者 马向阳 阙端麟 《半导体情报》 2000年第6期46-49,54,共5页
介绍了硅中氢杂质的基本性质 ,氢杂质和氧原子的作用 ,以及氢原子对其它杂质和缺陷电学性能的影响 ,同时指出了目前研究中有待解决的问题。
关键词 缺陷电学性能 杂质
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Stark Effect Dependence on Hydrogenic Impurities in GaAs Parabolic Quantum-Well Wires 被引量:1
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作者 WANG Sheng WEI Guo-Zhu HAN Yu 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2009年第11期953-959,共7页
The ground-state and lowest excited-state binding energies of a hydrogenic impurity in GaAs parabolic quantum-well wires (Q WWs) subjected to external electric and magnetic fields are investigated using the finite-d... The ground-state and lowest excited-state binding energies of a hydrogenic impurity in GaAs parabolic quantum-well wires (Q WWs) subjected to external electric and magnetic fields are investigated using the finite-difference method within the quasi-one-dimensional effective potential model. We define an effective radius Pen of a cylindrical QWW, which can describe the strength of the lateral confinement. For the ground state, the position of the largest probability density of electron in x-y plane is located at a point, while for the lowest excited state, is located on a circularity whose radius is Pen. The point and circularity are pushed along the left haft of the center axis of the quantum-well wire by the electric field dire ted along the right half. When an impurity is located at the point or within the circularity, the ground-state or lowest excited-state binding energies are the largest; when the impurity is apart from the point or circularity, the ground-state or lowest excited-state binding energies start to decrease. 展开更多
关键词 hydrogenic impurity quantum-well wire magnetic field binding energy
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Simultaneous Effects of Hydrostatic Pressure and Conduction Band Non-parabolicity on Binding Energies and Diamagnetic Susceptibility of a Hydrogenic Impurity in Spherical Quantum Dots 被引量:1
7
作者 G.Rezaei N.A.Doostimotlagh B.Vaseghi 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2011年第8期377-381,共5页
Simultaneous effects of conduction band non-parabolicity and hydrostatic pressure on the binding energies of 1S, 2S, and 2P states along with diamagnetic susceptibility of an on-center hydrogenic impurity confined in ... Simultaneous effects of conduction band non-parabolicity and hydrostatic pressure on the binding energies of 1S, 2S, and 2P states along with diamagnetic susceptibility of an on-center hydrogenic impurity confined in typical GaAs/Alx- Ga1-x As spherical quantum dots are theoretically investigated using the matrix diagonalization method. In this regard, the effect of band non-parabolieity has been performed using the Luttinger-Kohn effective mass equation. The binding energies and the diamagnetic susceptibility of the hydrogenic impurity are computed as a function of the dot radius and different values of the pressure in the presence of conduction band non-parabolicity effect. The results we arrived at are as follows: the incorporation of the band edge non-parabolicity increases the binding energies and decreases the absolute value of the diamagnetic susceptibility for a given pressure and radius; the binding energies increase and the magnitude of the diamagnetic susceptibility reduces with increasing pressure. 展开更多
关键词 non-parabolic conduction band hydrostatic pressure quantum dots hydrogenic impurity diamagnetic susceptibility
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注氢(111)硅片高温退火后形成的二次缺陷
8
作者 肖清华 屠海令 《中国科学(G辑)》 CSCD 2004年第3期319-324,共6页
硅材料与氢的相互作用是影响其结构完整性的重要方面. 高分辨电子显微术被用于研究注氢硅片高温退火时形成的二次缺陷. 实验发现高温退火如低温退火处理一样会导致(111)注氢硅片中出现裂纹, 但不同之处在于裂纹的下部还有大量的位错发... 硅材料与氢的相互作用是影响其结构完整性的重要方面. 高分辨电子显微术被用于研究注氢硅片高温退火时形成的二次缺陷. 实验发现高温退火如低温退火处理一样会导致(111)注氢硅片中出现裂纹, 但不同之处在于裂纹的下部还有大量的位错发射, 而且有些裂纹并未完全裂开, 表现为非晶带. 另外, 高温退火还导致空腔的出现, 空腔呈截角八面体形状, 以{111}和{100}面为内表面, 可以有非晶状的内壁. 空腔平行于正表面成串状排布. 空腔间有位错带与之相连. 展开更多
关键词 杂质 硅片 高温退火 二次缺陷 位错发射 半导体材料
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亚稳态奥氏体不锈钢深冲后的延迟裂纹
9
作者 骆峰生 裴明德 《太钢译文》 2016年第4期40-47,共8页
一些低镍牌号的亚稳态奥氏体不锈钢,在经过成型加工后易于产生延迟裂纹。不锈钢中不可避免的存在着少量的氢杂质。在外应力或残余应力驱动下,随着时间的变化,氢重新分配,从而导致了延迟裂纹。
关键词 奥氏体不锈钢 延迟裂纹 亚稳态 深冲 成型加工 应力驱动 杂质 外应力
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不同生长条件下ZnO薄膜电学性质的研究
10
作者 赵鹏程 张振中 +7 位作者 姚斌 李炳辉 王双鹏 姜明明 赵东旭 单崇新 刘雷 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1430-1434,共5页
ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的... ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的样品的载流子浓度较高,为1019cm-3量级;而高真空度下生长的样品,其载流子浓度比低真空生长的样品显著降低,降低了3个数量级。在相同条件下生长的样品,通过不同的后处理手段进行处理后,其电子浓度未发生明显变化,说明氧空位等本征缺陷不是ZnO薄膜中电子的主要来源,高背景电子浓度应该与生长过程中非故意引入的杂质相关。通过低温光致发光表征,发现低真空度下生长的样品在低温下3.366 eV处有强的施主束缚激子发光峰,而高真空度下生长的样品的此发光峰显著变弱。由此,高电子浓度被归结为与生长过程中非故意引入的氢杂质相关。 展开更多
关键词 ZNO 高背景电子浓度 生长室真空 杂质
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直流电弧等离子体CVD金刚石膜中氢杂质研究
11
作者 郭世斌 姜春生 +2 位作者 吕反修 唐伟忠 李成明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期48-51,56,共5页
运用傅里叶红外光谱(FT-IR)和核反应分析(NRA)对直流电弧等离子体制备的金刚石膜中的氢杂质进行了研究,并通过添加少量空气到反应气体的实验分析了氢杂质的变化。研究结果发现:红外光谱只能检测金刚石膜中的成键氢,其含量随着氮渗入量... 运用傅里叶红外光谱(FT-IR)和核反应分析(NRA)对直流电弧等离子体制备的金刚石膜中的氢杂质进行了研究,并通过添加少量空气到反应气体的实验分析了氢杂质的变化。研究结果发现:红外光谱只能检测金刚石膜中的成键氢,其含量随着氮渗入量的增加而增加,并得出2820cm-1处的吸收是由氮结合的CH基团振动引起的,2832cm-1处的吸收可能是由金刚石膜特征结构缺陷结合的CH基团振动引起的,而不是氧相关的基团。核反应分析可以检测金刚石膜中的总氢含量,近表面小于50nm层氢含量变化快,大于50nm之后氢含量趋于稳定,此值认为是金刚石膜中的总氢含量。 展开更多
关键词 CVD 金刚石膜 杂质 FT—IR 核反应分析
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CVD金刚石薄膜亚表面层氢杂质对表面活化反应的影响
12
作者 简小刚 唐金垚 +2 位作者 马千里 胡吉博 尹明睿 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第2期302-309,共8页
采用密度泛函理论平面波赝势法研究了氢杂质位于氢终止金刚石薄膜亚表面层中三种不同位点处时金刚石的结构变化,以及氢原子在三种金刚石薄膜表面上的吸附难易程度,并对表面活化反应进行了过渡态搜索以探究化学气相沉积(CVD)过程中金刚... 采用密度泛函理论平面波赝势法研究了氢杂质位于氢终止金刚石薄膜亚表面层中三种不同位点处时金刚石的结构变化,以及氢原子在三种金刚石薄膜表面上的吸附难易程度,并对表面活化反应进行了过渡态搜索以探究化学气相沉积(CVD)过程中金刚石薄膜亚表面层氢杂质对表面活化的影响。对比计算结果发现:生长过程中,亚表面层的氢杂质使其附近的金刚石结构产生了畸变,同时金刚石表面结构会对畸变程度产生影响。氢原子在含有氢杂质的三种金刚石薄膜上的吸附能与理想金刚石薄膜差异很小,但发生萃取反应产生活性位点的能垒比理想金刚石薄膜更低,这与亚表面层中的氢杂质使金刚石薄膜具有P型半导体特征这一现象有关。这一结果说明富氢反应气氛有利于活性位点的产生并以更高速率进行生长。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 杂质 化学气相沉积 密度泛函理论 结构变化 吸附能 过渡态
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A method for determination of deuterium impurity in the helium beam
13
作者 Han Chen ShiWei Xu +6 位作者 NingTao Zhang Jun Hu KuoAng Li ShaoBo Ma XiChao Ruan XiaoDong Tang LiYong Zhang 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第5期53-56,共4页
Both the LUNA(Laboratory for Underground Nuclear Astrophysics)collaboration in Europe and the JUNA(Jinping Underground Laboratory for Nuclear Astrophysics)collaboration in China are planning to study the key react... Both the LUNA(Laboratory for Underground Nuclear Astrophysics)collaboration in Europe and the JUNA(Jinping Underground Laboratory for Nuclear Astrophysics)collaboration in China are planning to study the key reactions during the stellar helium burning at or close to their stellar energies in deep underground laboratories[1-3]. 展开更多
关键词 杂质 天体物理学 横梁 实验室 结束期 原子 合作
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H杂质在Mo-Ta晶格中成键机制的研究
14
作者 蔡宗坚 刘睿 《核科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期1332-1340,共9页
Mo-Ta合金作为一种有高熔点、抗辐照等特点的材料,被视为聚变工程中制造第一壁的潜在材料。目前有关Mo-Ta合金与H杂质相互作用的研究还不完善,本文研究了H杂质在体心立方Mo53Ta_(1)合金中间隙位置的成键机制。通过基于密度泛函的第一性... Mo-Ta合金作为一种有高熔点、抗辐照等特点的材料,被视为聚变工程中制造第一壁的潜在材料。目前有关Mo-Ta合金与H杂质相互作用的研究还不完善,本文研究了H杂质在体心立方Mo53Ta_(1)合金中间隙位置的成键机制。通过基于密度泛函的第一性原理方法,通过Material Studio的CASTEP(Cambridge Serial Total Energy Package)模块计算了Mo53Ta_(1)-H体系的溶解能,态密度与布居数。溶解能计算结果表明:H原子在Mo-Ta合金中更倾向于存在与四面体间隙位置;通过分波态密度与布居数,分析了H、Mo、Ta之间不同电子轨道间电子转移情况与不同原子间的成键情况。得出Mo、Ta间为金属键,H与Ta和Mo之间存在共价作用,且H与Ta之间的共价作用更强。 展开更多
关键词 第一性原理 面向等离子体材料 Mo-Ta合金 杂质 成键机制
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Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs-Ga_(1-y)Al_yAs超晶格势阱中类氢杂质基态的束缚能
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作者 王爱芬 《抚顺石油学院学报》 EI 1999年第2期73-75,79,共4页
介绍刘振鹏提出的关于有限深势阱类氢杂质态的三维薛定谔方程化为利于计算机求数值解的一维薛定谔方程的基本思想,并应用该方法计算了Ga1-xAlxAs-GaAs-Ga1-yAlyAs超晶格类氢杂质态的基态束缚能,给出了x=... 介绍刘振鹏提出的关于有限深势阱类氢杂质态的三维薛定谔方程化为利于计算机求数值解的一维薛定谔方程的基本思想,并应用该方法计算了Ga1-xAlxAs-GaAs-Ga1-yAlyAs超晶格类氢杂质态的基态束缚能,给出了x=0.3,y=0.6,及x=0.6,y=0.3时,杂质在不同位置的基态束缚能结果。该结果比Tanaka的结果精确。 展开更多
关键词 超晶格 基态 势阱 束缚能 杂质 半导体
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Magnetic field and temperature dependence of the ground-state energy of weak-coupling magnetopolaron in quantum rods with hydrogenic impurity
16
作者 肖欣 乌云其木格 +1 位作者 韩超 额尔敦朝鲁 《Optoelectronics Letters》 EI 2012年第3期237-240,共4页
The dependence of the ground-state properties of weak-coupling bound magnetopolarons in quantum rods (QRs) with hydrogenic impurity on magnetic field and temperature is studied by means of the Lee-Low-Pines (LLP) tran... The dependence of the ground-state properties of weak-coupling bound magnetopolarons in quantum rods (QRs) with hydrogenic impurity on magnetic field and temperature is studied by means of the Lee-Low-Pines (LLP) transformation method and Huybrechts linear combination operator method. The expression for the ground-state energy of the magnetopolaron is derived. Results of the numerical calculations show that the ground-state energy of weak-coupling bound magnetopolarons in QRs with hydrogenic impurity increases with increasing the cyclotron frequency of the magnetic field, the confinement strength of QRs and the temperature, but decreases with increasing the electron-phonon coupling strength and the dielectric constant ratio. The stability of the ground state of magnetopolarons is closely related to the aspect ratio e′of the QR. The ground state of magnetopolarons is the most stable at e′=1. The stability of the ground state of magnetopolarons can remarkably decrease when the value of the aspect ratio increases or decreases from 1. 展开更多
关键词 Aspect ratio Linear transformations Magnetic fields
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氮化物抛物量子阱中类氢杂质态能量 被引量:9
17
作者 赵凤岐 萨茹拉 乌仁图雅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期719-722,共4页
采用变分方法研究氮化物抛物量子阱(GaN/A lxGa1-xN)材料中类氢杂质态的能级,给出基态能量、第一激发态能量、结合能和跃迁能量等物理量随抛物量子阱宽度变化的函数关系。研究结果表明,基态能量、第一激发态能量、基态结合能和1 s→2p&#... 采用变分方法研究氮化物抛物量子阱(GaN/A lxGa1-xN)材料中类氢杂质态的能级,给出基态能量、第一激发态能量、结合能和跃迁能量等物理量随抛物量子阱宽度变化的函数关系。研究结果表明,基态能量、第一激发态能量、基态结合能和1 s→2p±跃迁能量随着阱宽L的增大而减小,最后接近于GaN中3D值。GaN/A l0.3Ga0.7N抛物量子阱对杂质态的束缚程度比GaAs/A l0.3Ga0.7As抛物量子阱强,因此,在GaN/A l0.3-Ga0.7N抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子比在GaAs/A l0.3Ga0.7As抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子稳定。 展开更多
关键词 氮化物抛物量子阱 杂质 结合能
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在磁场作用下氮化物抛物量子阱中杂质态能量 被引量:6
18
作者 萨茹拉 关玉琴 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期891-894,共4页
采用变分法研究了在外磁场作用下GaN/AlxGa1-xN无限抛物量子阱(PQW)中类氢杂质态能级,给出不同磁场下杂质态基态能、结合能随阱宽的变化关系以及能量随磁场强度变化的函数关系。数值结果表明:外磁场对类氢杂质能量和结合能均有明显的影... 采用变分法研究了在外磁场作用下GaN/AlxGa1-xN无限抛物量子阱(PQW)中类氢杂质态能级,给出不同磁场下杂质态基态能、结合能随阱宽的变化关系以及能量随磁场强度变化的函数关系。数值结果表明:外磁场对类氢杂质能量和结合能均有明显的影响,杂质态能量随磁场的增强而显著增大,并且随阱宽的增大而增大;GaN/Al0.3Ga0.7N PQW对杂质态的束缚程度比GaAs/Al0.3Ga0.7As PQW强。 展开更多
关键词 氮化物抛物量子阱(PQW) 杂质 外磁场 能量
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GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质的结合能 被引量:5
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作者 郑冬梅 戴宪起 《贵州师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第1期64-68,共5页
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/A lxGa1-xN柱形量子点中类氢杂质的结合能随量子点高度、A l含量和杂质位置的变化规律。结果表明:类氢杂质位于量子点中心时,杂质结合... 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/A lxGa1-xN柱形量子点中类氢杂质的结合能随量子点高度、A l含量和杂质位置的变化规律。结果表明:类氢杂质位于量子点中心时,杂质结合能随量子点高度的增加先增大后减小,存在最大值;随着A l含量的增加,杂质结合能增大。而杂质从量子点下界面沿Z轴上移至上界面时,杂质结合能先增大后减小,存在最大值。 展开更多
关键词 杂质 GaN/Alx Ga1-xN量子点 结合能
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磁场对正方体量子点中类氢杂质束缚能的影响 被引量:4
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作者 李玉现 刘增军 +1 位作者 邸冰 刘建军 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第4期359-361,383,共4页
利用有效质量近似 ,计算了磁场影响下正方体量子点中类氢杂质体系的束缚能 ;与相同条件下量子线以及球形量子点的束缚能进行了比较 ,得出合理的结果 ;
关键词 正方体量子点 杂质 束缚能 磁场 半导体量子理论 量子线
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