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边缘修饰对锗烯纳米带电子结构的影响 被引量：1
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作者 孙翠翠 毕舰镭 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第13期147-154,共8页
本工作利用第一性原理研究了氢化效应对扶手椅型锗烯纳米带(AGeNRs)几何结构和电子结构的影响,分别计算了几何结构与稳定性、能带结构以及态密度,研究了形成能和能带结构随各种带宽度函数的变化。通过增加带的宽度,AGeNRs的带隙尺寸根... 本工作利用第一性原理研究了氢化效应对扶手椅型锗烯纳米带(AGeNRs)几何结构和电子结构的影响,分别计算了几何结构与稳定性、能带结构以及态密度,研究了形成能和能带结构随各种带宽度函数的变化。通过增加带的宽度,AGeNRs的带隙尺寸根据三种不同的趋势减小。基于这些趋势,可以将其分为三类,分别命名为N=3P、N=3P+1、N=3P+2,N是宽度上的锗原子数,P是整数。研究表明,裸露边缘的AGeNRs稳定性较低,氢化处理可以提高纳米带的稳定性,其中双氢化结构的稳定性最高。其次,边缘利用H原子进行修饰后,电荷密度发生转移,整个材料的电子和光学特性发生变化,说明边缘效应影响其电学和光学性质。对于裸露边缘和单氢化方式,其带隙符合N=3P+2>N=3P>N=3P+1;而对于双氢化处理和单氢化-双氢化的混合结构,其带隙符合N=3P>N=3P+1>N=3P+2。由于纳米带都是直接带隙,可以推测此类AGeNRs可能适用于光学领域,而且其电子和光学性质可以通过纳米带宽度以及氢化方式在很宽的范围内进行调节。 展开更多
关键词 锗烯 电子结构 氢化效应 第一性原理
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原子光谱/质谱分析中蒸气发生法进样的非传统技术的研究
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作者 郭旭明 李淑萍 +1 位作者 黄本立 洪煜琛 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期344-348,共5页
报道了在原子光谱 /质谱分析中化学蒸气发生法进样方面的一些最新研究成果 ,包括镍的蒸气发生法的研究 ,共氢化增感效应的研究 ,氢化物发生气相富集技术的研究等 ,以及利用现代质谱技术实现对可形成氢化物元素化学形态直接测定的可行性... 报道了在原子光谱 /质谱分析中化学蒸气发生法进样方面的一些最新研究成果 ,包括镍的蒸气发生法的研究 ,共氢化增感效应的研究 ,氢化物发生气相富集技术的研究等 ,以及利用现代质谱技术实现对可形成氢化物元素化学形态直接测定的可行性的探讨 . 展开更多
关键词 化学蒸气发生进样 原子光谱/质谱分析 蒸气发生法 共氢化增感效应 氢化物 元素形态分析
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