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AACVD方法制备FTO薄膜及其结构与光电性能研究 被引量：1
1
作者 林威豪 马晔城 +2 位作者 陈胜男 汪建勋 韩高荣 《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2018年第3期234-239,共6页
以单丁基三氯化锡为Sn源,氟化铵为F源,甲醇为溶剂,采用超声雾化-气溶胶辅助气相化学沉积方法制备了均匀的FTO(SnO_2:F)透明导电薄膜。运用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、霍尔效应测试仪等方法研究了... 以单丁基三氯化锡为Sn源,氟化铵为F源,甲醇为溶剂,采用超声雾化-气溶胶辅助气相化学沉积方法制备了均匀的FTO(SnO_2:F)透明导电薄膜。运用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、霍尔效应测试仪等方法研究了镀膜时间对FTO薄膜微观结构和光电性能的影响规律。结果表明,薄膜物相为(200)晶面择优生长的金红石相Sn O2;随镀膜时间增加,薄膜表面颗粒粗化,厚度近似呈线性增加;镀膜时间每延长2 min,可见光区主波长(550 nm)透过率下降约10%,中远红外光区平均反射率先增大后减小,电阻率先减小后增大。在本文实验条件下,薄膜厚度可从约250 nm增加至约2 200 nm,电阻率在2.89×10-4~6.69×10-4Ω·cm之间,依据中远红外反射光谱计算半球辐射率在0.21~0.40之间,为进一步的性能优化提供了实验基础。 展开更多
关键词 气溶胶辅助 化学气相沉积 FTO薄膜 低辐射性能
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气溶胶辅助CVD法制备F掺杂SnO_2薄膜及其性能 被引量：6
2
作者 王轩 梁波 +2 位作者 邸庆银 赵洪力 杨静凯 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期243-249,共7页
采用气溶胶辅助化学气相沉积法(AACVD)在玻璃衬底上沉积F掺杂SnO_2(FTO)薄膜,研究了前驱液中不同F/Sn摩尔比制备的FTO薄膜的结构、表面形貌、光学、电学及光致发光性能。结果表明:所制备FTO薄膜均为(200)面择优取向的多晶四方金红石相结... 采用气溶胶辅助化学气相沉积法(AACVD)在玻璃衬底上沉积F掺杂SnO_2(FTO)薄膜,研究了前驱液中不同F/Sn摩尔比制备的FTO薄膜的结构、表面形貌、光学、电学及光致发光性能。结果表明:所制备FTO薄膜均为(200)面择优取向的多晶四方金红石相结构;前驱液中F/Sn摩尔比的增加,会导致(110)面的衍射峰强度增加,薄膜表面堆积颗粒形状发生变化,薄膜样品光学透过率提升;当F/Sn摩尔比=40%时,FTO薄膜具有最大的载流子浓度1.031×10^(21) cm^(–3)以及最小的电阻率3.42×10^(–4)?·cm,这可归结为适量F的存在产生不同的缺陷影响。(200)面择优取向FTO薄膜光致发光谱可用于表征不同缺陷形式的跃迁。 展开更多
关键词 气溶胶辅助化学气相沉积法 氟掺杂二氧化锡薄膜 氟掺杂量 电学性能 光致发光
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镍掺杂对FTO薄膜光电性能的影响及机理分析
3
作者 吴宝棋 张琴 +2 位作者 刘起英 史国华 赵洪力 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2023年第9期3379-3386,共8页
本文以单丁基三氯化锡(MBTC)为锡源,氟化铵(NH_(4)F)为氟源,甲醇为溶剂,六水合氯化镍(NiCl_(2)·6H_(2)O)为镍源,采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)制备了镍掺杂FTO薄膜。利用分光光度计、四探针电阻仪及霍尔效应测试仪对镍掺杂FT... 本文以单丁基三氯化锡(MBTC)为锡源,氟化铵(NH_(4)F)为氟源,甲醇为溶剂,六水合氯化镍(NiCl_(2)·6H_(2)O)为镍源,采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)制备了镍掺杂FTO薄膜。利用分光光度计、四探针电阻仪及霍尔效应测试仪对镍掺杂FTO薄膜的光学性能、电学性能进行表征和分析,并基于第一性原理对掺杂体系的电子结构进行了计算。结果表明,Ni掺杂的FTO薄膜为四方金红石结构,导电性能有所提高。当Ni/Sn为2%(原子数分数)时,品质因数Φ_(TC)达到3×10^(-2)Ω^(-1),电阻率ρ为3.79×10^(-4)Ω·cm,可见光平均透过率约为80%,载流子浓度n为6.88×10^(20)cm^(-3),迁移率μ为13.31 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。 展开更多
关键词 镍掺杂 FTO薄膜 气溶胶辅助化学气相沉积 电学性质 第一性原理
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双源气溶胶辅助化学气相沉积制备AZO薄膜 被引量：3
4
作者 秦秀娟 王晓娟 +2 位作者 张丽茜 王丽欣 柳林杰 《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2016年第2期158-164,共7页
采用双源气溶胶辅助化学气相沉积法制备了Al掺杂Zn O薄膜。研究了不同的乙醇和甲醇溶液比例对AZO薄膜各种性能的影响。通过紫外-可见光吸收光谱、原子力显微镜、扫描电子显微镜和X射线衍射对薄膜性能进行表征。结果表明通过使用双源AACV... 采用双源气溶胶辅助化学气相沉积法制备了Al掺杂Zn O薄膜。研究了不同的乙醇和甲醇溶液比例对AZO薄膜各种性能的影响。通过紫外-可见光吸收光谱、原子力显微镜、扫描电子显微镜和X射线衍射对薄膜性能进行表征。结果表明通过使用双源AACVD法可以获得具有明显(002)择优取向AZO薄膜,并且在15 m L乙醇和20 m L甲醇时具有最佳的结晶性能,同时具有最优的光电学性能。不同乙醇和甲醇比例下薄膜的形貌不同。 展开更多
关键词 气溶胶辅助化学气相沉积法 掺杂 AZO薄膜
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温度对AACVD法制备AZO透明导电薄膜的影响 被引量：1
5
作者 秦秀娟 邵光杰 赵琳 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第4期723-728,共6页
低成本、大面积、沉积速率高、均匀性好、光电性能优良的Al掺杂ZnO薄膜(AZO)制备技术依然是透明导电薄膜领域研究的重点之一。本文采用冷壁式气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)技术在玻璃衬底上制备了AZO透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄... 低成本、大面积、沉积速率高、均匀性好、光电性能优良的Al掺杂ZnO薄膜(AZO)制备技术依然是透明导电薄膜领域研究的重点之一。本文采用冷壁式气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)技术在玻璃衬底上制备了AZO透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜结构和光、电性能的影响。利用X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见光谱和光致发光光谱等对样品进行了表征。结果表明:在AACVD法生长AZO薄膜的过程中,衬底温度对AZO薄膜晶面的择优取向生长影响呈起伏式变化。明显的电学性能的转变温度发生在约400℃,光学性能和晶面的择优取向生长变化出现在约450℃。讨论了温度对AACVD法制备AZO透明导电薄膜结构和光、电性能影响的微观机制。400℃时沉积的AZO薄膜方阻190Ω/□,平均透过率为80%。 展开更多
关键词 气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD) AZO薄膜 温度 极性半导体 结晶质量
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