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拉伸取向尼龙1010样品的抗张回复 被引量：1
1
作者 朱诚身 何素芹 +1 位作者 莫志深 杨毓华 《化学研究》 CAS 2001年第1期26-28,共3页
研究了拉伸取向尼龙 10 10的抗张回复现象 .残存应变ε′表征了由链滑移而产生的永久形变 ,回复应变(ε -ε′)表征了键角变化和链段取向产生的形变 .当拉伸温度T=18℃ (T <Tg)时 ,残存应变ε′和回复应变 (ε-ε′)均随拉伸应变ε... 研究了拉伸取向尼龙 10 10的抗张回复现象 .残存应变ε′表征了由链滑移而产生的永久形变 ,回复应变(ε -ε′)表征了键角变化和链段取向产生的形变 .当拉伸温度T=18℃ (T <Tg)时 ,残存应变ε′和回复应变 (ε-ε′)均随拉伸应变ε增大而线性增加 .T =5 0 ～ 140℃时 ,随ε增大 ,ε′开始逐渐增加而后趋于一常数 ;(ε-ε′)迅速增加 .ε′和 (ε-ε′)与拉伸速率v无关 .回复率R随ε增大呈线性增加 ,其方程为R(% ) =R0 +kε,其中R0随T的升高基本是线性下降 ,而k值随T升高而上升 .永久形变与热定形温度和拉伸倍数有关 . 展开更多
关键词 尼龙1010 抗张回复 拉伸应变 残存应变 回复应变 回复率
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厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长 被引量：1
2
作者 王晓峰 王雷 +3 位作者 赵万顺 孙国胜 黄风义 曾一平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1652-1657,共6页
利用 L PCVD方法 ,在厚表层 Si(SOL≈ 0 .5 μm)柔性绝缘衬底 (SOI) (0 0 1)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的 Si C/ SOI,表明 SOI是一种很有潜力的柔性衬底 .Ram an光谱结果表明 Si C/ SOI外延层比 Si C/Si外延层有更... 利用 L PCVD方法 ,在厚表层 Si(SOL≈ 0 .5 μm)柔性绝缘衬底 (SOI) (0 0 1)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的 Si C/ SOI,表明 SOI是一种很有潜力的柔性衬底 .Ram an光谱结果表明 Si C/ SOI外延层比 Si C/Si外延层有更大的残存应力 ,对此从理论上进行了解释 .利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)、扫描电镜 (SEM)和喇曼散射光谱 (RAM)技术研究了外延材料的晶体结构。 展开更多
关键词 SOI SIC 大失配 残存应变 空洞
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