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正对电极结构型碳化硅光导开关的制备与性能研究 被引量：7
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作者 常少辉 刘学超 +3 位作者 黄维 周天宇 杨建华 施尔畏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1058-1062,共5页
采用钒掺杂半绝缘6H-SiC衬底,以Ni/Au为接触电极制备了一系列正对电极结构型光导开关,对SiC光导开关进行了不同外加电压、激发光强、激发光波长条件下的测试,着重研究了SiC光导开关的光电吸收效应和光电响应性能.实验结果表明,532 nm的... 采用钒掺杂半绝缘6H-SiC衬底,以Ni/Au为接触电极制备了一系列正对电极结构型光导开关,对SiC光导开关进行了不同外加电压、激发光强、激发光波长条件下的测试,着重研究了SiC光导开关的光电吸收效应和光电响应性能.实验结果表明,532 nm的激光激发的脉冲信号宽度远小于1064 nm的激光激发的脉冲信号宽度,半绝缘6H-SiC衬底对532 nm激光的吸收系数在0.601～0.692 mm–1之间;采用532 nm的激光激发光导开关,获得了纳秒量级的响应信号;流经开关的瞬态电流随着外加电压和激发光能量的增加而增大,随着衬底厚度的增加而减小. 展开更多
关键词 光导开关 钒掺杂6H-SiC 正对电极结构
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