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题名一种低静态电流高瞬态响应无片外电容LDO设计
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作者
田霖
尹勇生
邓红辉
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机构
合肥工业大学微电子学院
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出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2024年第2期214-220,共7页
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基金
国家重点研发计划资助项目(2018YFB2202604)
安徽省重点研究与开发计划资助项目(202104g01020008)。
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文摘
基于SMIC 0.18μm BCD工艺设计了一种低静态电流、高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator, LDO)。误差放大器采用一种跨导提升技术,在低静态电流的情况下,实现更高的环路增益及单位增益带宽。由于采用高增益误差放大器,可以通过适当减少功率管尺寸来增强瞬态响应。采用有源反馈,在不引入额外静态电流情况下,增大环路的次极点。同时当LDO输出电压变化时,能够增大功率管栅极的动态电流,实现高瞬态响应。此外在有源反馈的基础上,采用反馈电阻并联小电容的方式,以提高环路稳定性。利用Cadence Spectre软件对LDO进行仿真验证。结果显示,LDO的静态电流仅为10μA;在负载电流为1 mA的情况下,相位裕度最高可达70.9°;LDO负载电流在500 ns内从1 mA切换到100 mA时,下冲电压为134.7 mV,下冲电压恢复时间为1μs;负载电流在500 ns内从100 mA切换到1 mA时,过冲电压为155.5 mV,过冲电压恢复时间为430 ns。
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关键词
低压差线性稳压器
低静态电流
跨导提升
瞬态增强
次极点增大
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Keywords
LDO
low quiescent current
increased trans-conductance
transient enhancement
increased sub-pole
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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