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三维横向晶场稀疏Ising模型的相变行为及磁化
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作者 许玲 晏世雷 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第1期33-36,共4页
在有效场理论和切断近似的框架内,研究自旋S=1横向晶场稀疏Ising模型的相变行为和磁化.研究发现晶场稀疏情况下,相图的负晶场方向存在临界温度的峰值,正晶场方向随晶场浓度的降低出现重入现象,高温和低温下的磁化存在许多差异.
关键词 横向晶场稀疏ising模型 相变行为 磁化
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