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高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究
被引量：
7
1
作者
韩雁
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期305-308,共4页
高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路 (HV-PIC) ,是指将需承受高电压 (需达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。文中以器件模拟软件 Med...
高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路 (HV-PIC) ,是指将需承受高电压 (需达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。文中以器件模拟软件 Medici为工具 ,用计算机仿真的方法 ,研究了高压 BCD电路中高压功率器件的设计问题 ,其中包括器件结构、掺杂浓度、结深等主要参数及其它一些技术因素对器件耐压的影响 ,并给出了相应物理意义上的分析。根据这一设计 ,在国内进行了一块高压功率 BCD集成电路的试制 ,经测试 ,耐压超过 660伏 ,输出功率 40 W,且电路的其它器件参数达到设计值 ,IC电路整体功能正常 。
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关键词
高压功率
器件
高压功率集成电路
计算机辅助分析
双
极-C
mos
-D
mos
工艺
横向
双扩散
mos
器件
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职称材料
高压BCDMOS集成电路的工艺集成
被引量：
4
2
作者
马旭
邵志标
+1 位作者
姚剑锋
张国光
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2011年第11期72-75,共4页
对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果...
对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果表明,样管性能与模拟结果相符.
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关键词
高压BCD集成电路
横向
双扩散
mos
器件
工艺集成
工艺兼用
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职称材料
N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化
3
作者
郭维
丁扣宝
+2 位作者
韩成功
朱大中
韩雁
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期1038-1042,共5页
针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided...
针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided design)仿真和电荷泵测试,分析研究导通电阻退化发生的区域及退化的微观机理,并针对实验结果提出2种退化机制:(1)NLDMOS漂移区中的空穴注入效应,这种机制会在器件表面产生镜像负电荷,造成开态导通电阻Ron的减少;(2)漂移区中的表面态增加效应,这种机制会造成载流子迁移率的下降,引起Ron的增加.这2种机制都随着雪崩击穿电流的增加而增强.
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关键词
横向
双扩散
N型
mos
器件
雪崩击穿
导通电阻退化
电荷泵
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职称材料
题名
高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究
被引量：
7
1
作者
韩雁
机构
浙江大学信息学院信电系微电子所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期305-308,共4页
基金
上海市科学技术委员会资助 项目编号为 0 170 15 0 48
文摘
高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路 (HV-PIC) ,是指将需承受高电压 (需达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。文中以器件模拟软件 Medici为工具 ,用计算机仿真的方法 ,研究了高压 BCD电路中高压功率器件的设计问题 ,其中包括器件结构、掺杂浓度、结深等主要参数及其它一些技术因素对器件耐压的影响 ,并给出了相应物理意义上的分析。根据这一设计 ,在国内进行了一块高压功率 BCD集成电路的试制 ,经测试 ,耐压超过 660伏 ,输出功率 40 W,且电路的其它器件参数达到设计值 ,IC电路整体功能正常 。
关键词
高压功率
器件
高压功率集成电路
计算机辅助分析
双
极-C
mos
-D
mos
工艺
横向
双扩散
mos
器件
Keywords
HV PIC
CAA
BCD
LD
mos
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
高压BCDMOS集成电路的工艺集成
被引量：
4
2
作者
马旭
邵志标
姚剑锋
张国光
机构
西安交通大学电信学院
佛山蓝箭电子有限公司
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2011年第11期72-75,共4页
文摘
对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果表明,样管性能与模拟结果相符.
关键词
高压BCD集成电路
横向
双扩散
mos
器件
工艺集成
工艺兼用
Keywords
high voltage BCD
mos
--IC
LD
mos
process integration
process compatible
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化
3
作者
郭维
丁扣宝
韩成功
朱大中
韩雁
机构
浙江大学信息与电子工程学系
出处
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期1038-1042,共5页
基金
浙江省科学技术厅科技计划资助项目(2006C11007)
文摘
针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided design)仿真和电荷泵测试,分析研究导通电阻退化发生的区域及退化的微观机理,并针对实验结果提出2种退化机制:(1)NLDMOS漂移区中的空穴注入效应,这种机制会在器件表面产生镜像负电荷,造成开态导通电阻Ron的减少;(2)漂移区中的表面态增加效应,这种机制会造成载流子迁移率的下降,引起Ron的增加.这2种机制都随着雪崩击穿电流的增加而增强.
关键词
横向
双扩散
N型
mos
器件
雪崩击穿
导通电阻退化
电荷泵
Keywords
NLD
mos
avalanche breakdown
on-resistance degradation
charge-pumping
分类号
TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究
韩雁
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2002
7
下载PDF
职称材料
2
高压BCDMOS集成电路的工艺集成
马旭
邵志标
姚剑锋
张国光
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2011
4
下载PDF
职称材料
3
N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化
郭维
丁扣宝
韩成功
朱大中
韩雁
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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