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题名L波段高功率密度LDMOS脉冲功率测试方法
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作者
王帅
李科
丛密芳
杜寰
韩郑生
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机构
中国科学院微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期819-823,共5页
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文摘
报道了在工作电压50 V、频率1.2 GHz下,功率密度1.2 W/mm射频LDMOS功率器件的研制结果。由于大功率LDMOS功率器件输入阻抗小,在50Ω负载牵引系统下测试容易出现低频振荡,严重损坏待测器件。为了消除这种低频振荡,更好地进行功率测试,研究采用了直通-反射-传输线(TRL)低阻抗测试夹具。此种夹具可以很好地抑制低频率的功率增益,消除低频振荡;而且使阻抗调节器获得更多的低阻抗点,提高负载牵引系统测试的准确度。在低阻抗的负载牵引系统测试环境下,1.2 GHz下,脉冲输出功率在1 dB压缩点为109.4 W,功率密度达到1.2 W/mm。
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关键词
横向双扩散场效应管器件
L波段
功率密度
脉冲功率
TRL低阻抗测试夹具
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Keywords
lateral double-diffused MOSFET（LDMOS）
L-band
power density
pulse power
low impedance TRL test fixture
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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