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0.35μmCMOS工艺实现的1.9GHz上变频器
被引量：
1
1
作者
陈新华
陈志恒
+3 位作者
王志功
姚胡静
方芳
谢婷婷
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期10-13,共4页
分析了利用深亚微米CMOS工艺进行射频集成电路设计的方法 ,在此基础上设计出了采用标准 0 3 5 μmCMOS工艺的输出频率在 1 9GHz的上变频器 ,它可以用在WCDMA发射 /接收机中 .整个设计利用SPICE软件和HPADS软件进行电路和系统模拟 ,模...
分析了利用深亚微米CMOS工艺进行射频集成电路设计的方法 ,在此基础上设计出了采用标准 0 3 5 μmCMOS工艺的输出频率在 1 9GHz的上变频器 ,它可以用在WCDMA发射 /接收机中 .整个设计利用SPICE软件和HPADS软件进行电路和系统模拟 ,模拟结果 :三阶互调IIP3为 1 0dBm ,转换增益大于 1 0dB .已经利用Cadence工具进行版图设计和验证 ,最后通过美国MOSIS工程流片 .芯片面积大约为 0 6mm2 .目前初步的性能测试已经完成 .芯片混频效果良好 .在单电源 +3 3V供电情况下 ,功耗小于 6 0mW .进一步的测试将在近期完成 .
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关键词
射频
集成电路
模拟
cmos集成电路
混频器
变频器
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职称材料
题名
0.35μmCMOS工艺实现的1.9GHz上变频器
被引量：
1
1
作者
陈新华
陈志恒
王志功
姚胡静
方芳
谢婷婷
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
出处
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期10-13,共4页
基金
国家 8 63资助项目 ( 863-317-0 3-0 4-99)
文摘
分析了利用深亚微米CMOS工艺进行射频集成电路设计的方法 ,在此基础上设计出了采用标准 0 3 5 μmCMOS工艺的输出频率在 1 9GHz的上变频器 ,它可以用在WCDMA发射 /接收机中 .整个设计利用SPICE软件和HPADS软件进行电路和系统模拟 ,模拟结果 :三阶互调IIP3为 1 0dBm ,转换增益大于 1 0dB .已经利用Cadence工具进行版图设计和验证 ,最后通过美国MOSIS工程流片 .芯片面积大约为 0 6mm2 .目前初步的性能测试已经完成 .芯片混频效果良好 .在单电源 +3 3V供电情况下 ,功耗小于 6 0mW .进一步的测试将在近期完成 .
关键词
射频
集成电路
模拟
cmos集成电路
混频器
变频器
Keywords
RFIC
analog
cmos
integrated circuit
mixer
分类号
TN773 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0.35μmCMOS工艺实现的1.9GHz上变频器
陈新华
陈志恒
王志功
姚胡静
方芳
谢婷婷
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
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