采用射频等离子体增强化学气相沉积(radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition,RF-PECVD)技术在玻璃衬底上沉积了硼掺杂微晶硅薄膜。采用椭圆偏振光谱和Raman光谱分析了辉光功率和硼掺杂量对薄膜的晶化率、表面粗糙...采用射频等离子体增强化学气相沉积(radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition,RF-PECVD)技术在玻璃衬底上沉积了硼掺杂微晶硅薄膜。采用椭圆偏振光谱和Raman光谱分析了辉光功率和硼掺杂量对薄膜的晶化率、表面粗糙度、空隙率和非晶孵化层厚度的影响。结果表明:随着输入功率的增加,薄膜表面粗糙度的变化趋势为先缓慢减小、再快速增加、然后再次减小;沉积薄膜中的体层晶化率和空隙率的变化趋势相同,而空隙率与非晶孵化层厚度的变化趋势相反。随着初始硼掺量的增加,薄膜表面粗糙度的变化趋势为先缓慢增加、再减小、然后再增加;沉积薄膜的体层晶化率和空隙率并没有类似的对应关系。此外,对RF-PECVD沉积硼掺杂微晶硅的生长机理进行了分析。展开更多
文摘采用射频等离子体增强化学气相沉积(radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition,RF-PECVD)技术在玻璃衬底上沉积了硼掺杂微晶硅薄膜。采用椭圆偏振光谱和Raman光谱分析了辉光功率和硼掺杂量对薄膜的晶化率、表面粗糙度、空隙率和非晶孵化层厚度的影响。结果表明:随着输入功率的增加,薄膜表面粗糙度的变化趋势为先缓慢减小、再快速增加、然后再次减小;沉积薄膜中的体层晶化率和空隙率的变化趋势相同,而空隙率与非晶孵化层厚度的变化趋势相反。随着初始硼掺量的增加,薄膜表面粗糙度的变化趋势为先缓慢增加、再减小、然后再增加;沉积薄膜的体层晶化率和空隙率并没有类似的对应关系。此外,对RF-PECVD沉积硼掺杂微晶硅的生长机理进行了分析。
