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核级管道焊缝在役检查优化探讨
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作者 武相 蔡鼎阳 +1 位作者 梁乐 杨尚升 《科技视界》 2023年第34期49-51,共3页
核级管道焊缝的在役检查对保证核动力装置运行安全具有重要意义。根据工程实际情况,核级管道焊缝在役检查过程存在辐射,且常出现焊缝检测不可达、检测失效问题。通过文献回顾和结合工程实际开展原因分析,对管道布置设计、管道加工制造... 核级管道焊缝的在役检查对保证核动力装置运行安全具有重要意义。根据工程实际情况,核级管道焊缝在役检查过程存在辐射,且常出现焊缝检测不可达、检测失效问题。通过文献回顾和结合工程实际开展原因分析,对管道布置设计、管道加工制造、管道安装及在役检查评判方法方面进行优化。整体锻造技术、风险指引型管道在役检查方法已在实际工程中得到试点应用,优化措施有效降低了在役检查任务量,对核动力装置焊缝的在役检查具有积极意义。 展开更多
关键词 核级管道 在役检查 焊缝不可达 检测失效
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手机距离传感器快速校准方案的实现 被引量:1
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作者 刘新源 《安徽电子信息职业技术学院学报》 2022年第3期7-10,24,共5页
通过对智能手机距离传感器的驱动工作流程和工厂校准方案的剖析,提出一种在距离传感器的驱动层代码中添加快速校准方案,使距离传感器的性能进一步得到优化,可有效解决智能手机距离传感器在有外部因素影响距离传感数据的情况下检测失效... 通过对智能手机距离传感器的驱动工作流程和工厂校准方案的剖析,提出一种在距离传感器的驱动层代码中添加快速校准方案,使距离传感器的性能进一步得到优化,可有效解决智能手机距离传感器在有外部因素影响距离传感数据的情况下检测失效的问题,提高驱动层上报物体状态值的可靠性。通过实验验证上述方案有效,能够解决距离传感器检测失效问题。 展开更多
关键词 距离传感器 工厂校准 快速校准 检测失效 驱动层
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检测栅极薄氧化层缺陷所需的失效分析技术
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作者 刘涌 《电子产品可靠性与环境试验》 1996年第3期25-25,共1页
二氧化硅在VLSI中起着极其重要的作用.氧化层击穿是MOS VLSI的主要失效机理,并已成为电子设备中可靠性问题的重要原因。难解决的缺陷是圆片加工期间造成的。归因于裂纹、针孔或粒子沾污的有缺陷介质可使氧化层造成局部高电场击穿和漏电... 二氧化硅在VLSI中起着极其重要的作用.氧化层击穿是MOS VLSI的主要失效机理,并已成为电子设备中可靠性问题的重要原因。难解决的缺陷是圆片加工期间造成的。归因于裂纹、针孔或粒子沾污的有缺陷介质可使氧化层造成局部高电场击穿和漏电流过大。为了分析栅极薄氧化层的介质失效,必须采用先进的分析技术来鉴别失效原因。目前最常用的分析技术有四种:发光显微镜(PEM),液晶检测(LCD)、电子束感生电流(EBIC)和KOH腐蚀法。 展开更多
关键词 VLSI 栅极薄氧化层 缺陷 检测失效
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