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反铁磁交换作用对纳米线动力学行为的影响
1
作者 鲜于正楠 杜安 《沈阳化工大学学报》 CAS 2023年第3期283-287,共5页
当核壳结构磁性纳米线用作高密度磁存储单元时,系统的共振频率会限制其磁存储速率的上限值.为了探究反铁磁界面交换作用对核壳结构磁性纳米线磁共振行为的影响,通过微磁学模拟方法对系统的动力学行为进行研究.研究了具有反铁磁界面交换... 当核壳结构磁性纳米线用作高密度磁存储单元时,系统的共振频率会限制其磁存储速率的上限值.为了探究反铁磁界面交换作用对核壳结构磁性纳米线磁共振行为的影响,通过微磁学模拟方法对系统的动力学行为进行研究.研究了具有反铁磁界面交换作用的系统和纯铁磁系统.首先,讨论界面交换作用对系统磁共振行为的影响,发现具有反铁磁界面交换作用的系统的磁共振频率会略高于铁磁系统.然后,讨论外加直流场对系统共振频率和共振线宽的影响,发现具有反铁磁界面交换作用的系统的共振线宽和外加直流场的强度呈非线性关系.最后,讨论温度对系统磁共振行为的影响,发现纯铁磁系统的热稳定性要强于具有反铁磁界面交换作用的系统. 展开更多
关键词 核壳结构纳米线 微磁学模拟 动力学行为 共振频率
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ZnO/CuO核壳结构纳米线光致发光性能与CuO壳层厚度的关系(英文) 被引量：1
2
作者 孟秀清 赵东旭 +2 位作者 吴锋民 方允樟 李京波 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期280-285,共6页
通过分别生长核层与壳层制备出了ZnO/CuO核壳结构的纳米线。形貌和结构分析表明,ZnO核为单晶纳米线而CuO则以多晶形式覆盖在核层表面上。光致发光(PL)研究表明,ZnO纳米线PL强度随CuO壳层厚度的变化而变化。当壳层比较薄时ZnO的PL强度增... 通过分别生长核层与壳层制备出了ZnO/CuO核壳结构的纳米线。形貌和结构分析表明,ZnO核为单晶纳米线而CuO则以多晶形式覆盖在核层表面上。光致发光(PL)研究表明,ZnO纳米线PL强度随CuO壳层厚度的变化而变化。当壳层比较薄时ZnO的PL强度增大,这主要是由于CuO壳层对ZnO核层的修饰减少了表面态,而当壳层厚度增加到一定程度时,ZnO的PL强度不再变化,这主要是由于在核壳结构中形成了type-I型结构的原因。我们对这一现象做了详细的讨论。 展开更多
关键词 ZnO/CuO 核壳结构纳米线 光致发光性质 type-I型结构
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核壳结构SiC/SiO_2 纳米线的低温合成与表征 被引量：1
3
作者 赵春荣 杨娟玉 +1 位作者 丁海洋 卢世刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期971-976,共6页
以酚醛树脂(PF)作为碳源,纳米SiO2为硅源,在1300℃氩气气氛下通过碳热还原反应,制备出具有核壳结构的SiC/SiO2纳米线。采用X射线分析衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、拉曼光谱(... 以酚醛树脂(PF)作为碳源,纳米SiO2为硅源,在1300℃氩气气氛下通过碳热还原反应,制备出具有核壳结构的SiC/SiO2纳米线。采用X射线分析衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、拉曼光谱(Raman)对产物的组成、形貌、微观结构等进行了表征。结果表明;SiC/SiO2纳米线长可达数毫米,单根SiC/SiO2纳米线由直径30 nm的β-SiC晶体为内核和厚度约12 nm的无定形SiO2壳层组成;室温下SiC/SiO2纳米线的PL发光峰与β-SiC单晶的发光特征峰相比有蓝移。最后,讨论了核壳结构SiC/SiO2纳米线的生成机制。 展开更多
关键词 SIC SiO2核壳结构纳米线 碳热还原 酚醛树脂 光致发光
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ZnSe∶O/ZnO核壳结构纳米线中间带太阳电池的设计
4
作者 聂奎营 胡总华 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第11期740-744,共5页
为了得到ZnSe∶O/ZnO核壳结构纳米线中间带太阳电池的最优吸收效率,通过时域有限差分法对纳米线的直径进行了优化,使纳米线的吸收光谱与太阳光谱相重合的波段有较高的吸收效率,并且使ZnSe∶O/ZnO纳米线的吸收光谱在带边和中间带有共振模... 为了得到ZnSe∶O/ZnO核壳结构纳米线中间带太阳电池的最优吸收效率,通过时域有限差分法对纳米线的直径进行了优化,使纳米线的吸收光谱与太阳光谱相重合的波段有较高的吸收效率,并且使ZnSe∶O/ZnO纳米线的吸收光谱在带边和中间带有共振模式,从而使中间带太阳电池的吸收效率在ZnSe∶O的带边和中间带是最大的。为了进一步提高中间带的吸收效率,通过在纳米线两侧制备圆柱形铝天线的方法,利用金属铝天线的局域表面等离激元共振,使中间带太阳电池在中间带的吸收效率进一步增强到近两倍。这种方法为制备高性能的太阳电池和光探测器等光电器件开辟了新的途径。 展开更多
关键词 中间带太阳电池 ZnSe:O/ZnO核壳结构纳米线 时域有限差分法 光吸收效率
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MBE法制备GaAs/AlGaAs纳米线的微观量子结构的应力应变分布研究
5
作者 谢景涛 车仁超 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期638-643,649,共7页
研究了砷化镓/砷化铝镓(GaAs/AlGaAs)核壳结构纳米线中量子结构的微结构和应力应变分布.本文使用分子束外延法制备了GaAs/AlGaAs纳米线,并使用高分辨技术和原子重构对纳米线中的量子结构进行了分类,通过几何相位分析,我们发现纳米线径... 研究了砷化镓/砷化铝镓(GaAs/AlGaAs)核壳结构纳米线中量子结构的微结构和应力应变分布.本文使用分子束外延法制备了GaAs/AlGaAs纳米线,并使用高分辨技术和原子重构对纳米线中的量子结构进行了分类,通过几何相位分析,我们发现纳米线径向的应变主要来自于核与壳层的失配,量子结构主要影响纳米线轴向及扭转方向上的应变.同时量子点密度也影响着纳米线轴向方向的应变. 展开更多
关键词 核-壳结构纳米线 量子结构 应力应变 几何相位分析
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ZnO/GaN核/壳异质结纳米线能带结构和电荷分离的理论研究
6
作者 陈星源 罗文杰 +3 位作者 赖国霞 古迪 朱伟玲 徐祥福 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期308-314,共7页
采用密度泛函第一性原理的方法计算了GaN纳米线、ZnO纳米线及其核/壳纳米线结构的能带结构,价带顶(VBM)和导带底(CBM)的电荷分布。计算表明本征GaN和ZnO纳米线材料VBM和CBM所对应电荷分布较为分散,且与直径关系不大,形成不了Ⅱ型半导体... 采用密度泛函第一性原理的方法计算了GaN纳米线、ZnO纳米线及其核/壳纳米线结构的能带结构,价带顶(VBM)和导带底(CBM)的电荷分布。计算表明本征GaN和ZnO纳米线材料VBM和CBM所对应电荷分布较为分散,且与直径关系不大,形成不了Ⅱ型半导体电荷分离效应。GaN和ZnO组成的核/壳纳米线均保持本征GaN和ZnO纳米线的直接带隙性质。在ZnO包裹GaN的核壳纳米线结构中,不同比例的ZnO和GaN之间电荷转移均不明显,VBM和CBM电荷分布基本都是由壳层的ZnO的O原子占据,难于实现VBM和CBM电荷空间分离。在GaN包裹ZnO的核壳纳米线结构中,VBM电荷和CBM电荷分布分别主要由壳层的N原子占据和核层的O原子占据,同时ZnO和GaN之间的电荷转移量相对较大,容易形成较大的核壳内置电场,有利于促进空间电荷分离,并且随着ZnO的比例增加电荷转移量也相应增加,能有效的促进电荷分离有利于制备成Ⅱ型半导体。 展开更多
关键词 第一性原理 GaN/ZnO核/壳结构纳米线 能带结构 电荷分离
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