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47MeV/u^(12)C同^(133)Cs反应碘同位素产额的测定 被引量：3
1
作者 杨维凡 赵之正 +7 位作者 李宗伟 孙秀荣 谢秀君 牟万统 秦芝 张立 杨永峰 孙儒林 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 1993年第10期873-877,共5页
用放化法测量了47MeV/u ^(12)C同^(133)Cs相互作用时碘同位素的产额。发现碘同位素产额分布曲线的峰位在^(124)Ⅰ附近,半宽度为6.5质量单位,最可几产物的质量损失为9.2个质量单位。靶核削裂2个质子的产物^(131)Ⅰ的形成截面约0.47—0.87... 用放化法测量了47MeV/u ^(12)C同^(133)Cs相互作用时碘同位素的产额。发现碘同位素产额分布曲线的峰位在^(124)Ⅰ附近,半宽度为6.5质量单位,最可几产物的质量损失为9.2个质量单位。靶核削裂2个质子的产物^(131)Ⅰ的形成截面约0.47—0.87mb,没观察到靶核削裂2个质子,再俘获1个中子的产物^(132)Ⅰ的活性。 展开更多
关键词 重离子反应 核反应产额 碘同位素
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对重丰中子核区合成新核素的思考 被引量：2
2
作者 赵之正 《原子核物理评论》 CAS CSCD 1998年第1期10-14,共5页
分析了Ａ＞１７０质量区丰中子核素的产生、分离和鉴别过程，总结了在这一质量区用较轻中能重离子炮弹打重靶产生新核素的优点．提出了在在线同位素分离器上使用带有优良元素选择性的激光离子源和多层靶加气体传输系统的改进措施．
关键词 新核素 核反应产额 同位素分离器 丰中子核素
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核反应产额曲线的模拟与非晶硅薄膜中硼的深度分布研究
3
作者 廖常庚 杨生胜 +2 位作者 姜辉 汪永强 郑志豪 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期183-187,共5页
报道了一种模拟共振反应产额曲线的方法。利用^(11)B(p,d)~8Be在E_P= 163keV的共振反应,通过反应产额曲线的模拟研究了不同衬底温度下辉光放电制备的掺硼氢化非晶硅-碳膜中硼的深度分布。给出了不同衬底温度下淀积薄膜中硼深度分布的一... 报道了一种模拟共振反应产额曲线的方法。利用^(11)B(p,d)~8Be在E_P= 163keV的共振反应,通过反应产额曲线的模拟研究了不同衬底温度下辉光放电制备的掺硼氢化非晶硅-碳膜中硼的深度分布。给出了不同衬底温度下淀积薄膜中硼深度分布的一些特征。结果表明反应产额曲线的模拟对改善共振反应分析的深度分辨和简化分析方法是有效的,对掺硼非晶硅薄膜中硼的深度分布研究是有益的。 展开更多
关键词 硼 深度 非晶硅薄膜 核反应产额
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