像增强器高速选通脉冲发生器 被引量：9

1

作者 杜继业 宋岩 +1 位作者 罗通顶 郭明安 《现代应用物理》 2013年第3期299-302,共4页

基于功率MOSFET器件研制了一种能产生高压高速脉冲的发生装置。设计了由超高速运算放大器构成的宽频带放大器和MOSFET互补推挽驱动电路,分析了功率MOSFET器件的开关特性,并讨论了影响其工作速度及工作频率的因素。脉冲发生器输出脉冲幅... 基于功率MOSFET器件研制了一种能产生高压高速脉冲的发生装置。设计了由超高速运算放大器构成的宽频带放大器和MOSFET互补推挽驱动电路,分析了功率MOSFET器件的开关特性,并讨论了影响其工作速度及工作频率的因素。脉冲发生器输出脉冲幅值最高可达-500V,前后沿时间均小于5ns。脉冲宽度和频率根据输入触发信号进行调节,触发延迟小于30ns,触发抖动小于500ps。 展开更多

关键词 脉冲发生器 高压脉冲 MOSFET 栅驱动

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小尺寸TFT-LCD驱动电路的设计 被引量：4

2

作者 张志伟 荆海 +3 位作者 黄金英 邝俊峰 蔡克烜 朱长春 《长春理工大学学报（自然科学版）》 2005年第1期10-13,共4页

根据TFT-LCD的工作原理和显示驱动电路的结构,应用硬件设计出小尺寸TFT-LCD的驱动电路,实现图像的清晰显示。介绍了硬件电路设计的实现方法。

关键词 TFT-LCD IR3Y31M UPS015 HX8604 HX8201 LTC3450 栅驱动 源驱动

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用于GaN HEMT栅驱动芯片的快速响应LDO电路 被引量：5

3

作者 陈恒江 周德金 +2 位作者 何宁业 汪礼 陈珍海 《电子与封装》 2022年第2期50-53,共4页

设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路,可为高速变化的数字电路提供快速响应的供电电压。该电路采用动态偏置结构,... 设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路,可为高速变化的数字电路提供快速响应的供电电压。该电路采用动态偏置结构,通过在大负载发生时给误差放大器增加一个额外的动态偏置结构,来加快输出端的瞬态响应速度。基于0.18μm BCD工艺,完成了电路设计验证。仿真结果显示LDO瞬态响应时间小于0.5μs,可满足频率达1 MHz的GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求。 展开更多

关键词 高电子迁移率晶体管 栅驱动 低压差线性稳压器 快速响应

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用于高压功率集成电路的高速电平位移电路设计 被引量：1

4

作者 何宁业 孙付扬 +1 位作者 方昊 侯丽 《兰州工业学院学报》 2023年第1期80-83,共4页

介绍了一种用于高压功率集成电路的高速电平位移电路,采用窄脉冲产生电路结构,提取低压控制信号的边沿信息,将其分解为2路窄脉冲信号分别驱动高压LDMOS,实现高低压侧电路区域之间信号的快速可靠传输,大幅降低了整个电平位移电路延时和... 介绍了一种用于高压功率集成电路的高速电平位移电路,采用窄脉冲产生电路结构,提取低压控制信号的边沿信息,将其分解为2路窄脉冲信号分别驱动高压LDMOS,实现高低压侧电路区域之间信号的快速可靠传输,大幅降低了整个电平位移电路延时和运行功耗。该电路基于0.18μm 80 V BCD工艺进行仿真设计,由仿真结果可知,实现了由输入0~5V至80~85V的电平转换功能,能够满足用于GaN栅驱动芯片的高速要求。 展开更多

关键词 栅驱动 电平位移 LDMOS GAN

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用于光隔离IGBT栅驱动芯片的高CMTI差分TIA电路 被引量：1

5

作者 赵乙蔷 张有润 +4 位作者 康仕杰 章登福 甄少伟 张波 张佳宁 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第1期25-30,共6页

设计了一种基于0.18μm BCD工艺的全差分TIA电路和光隔离IGBT驱动系统。分析了共模瞬态干扰对光隔离驱动系统的影响,提出了一种可以提高共模瞬态抗扰度(CMTI)的全差分TIA结构。TIA的差分输入端分别接一个遮光的PD和一个透光的PD,TIA的... 设计了一种基于0.18μm BCD工艺的全差分TIA电路和光隔离IGBT驱动系统。分析了共模瞬态干扰对光隔离驱动系统的影响,提出了一种可以提高共模瞬态抗扰度(CMTI)的全差分TIA结构。TIA的差分输入端分别接一个遮光的PD和一个透光的PD,TIA的差分输出端做电平比较。只有一个TIA的输入能够接收光信号,产生差分增益,但是共模瞬态在隔离层的干扰却能耦合到TIA的两个输入端,因此共模瞬态的干扰作用将会被差分电路的共模抑制比(CMRR)减弱。且加入了窄脉冲滤波电路可滤掉共模瞬态干扰引起的短脉冲误差信号,进一步提高CMTI。所设计的TIA电路的仿真结果显示,CMRR达到105.4 dB,CMTI可以达到325 kV/μs。 展开更多

关键词 全差分TIA电路 共模瞬态抗扰度 光耦隔离 栅驱动

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D类音频功放过流保护电路的设计

6

作者 原王凯 谢亮 金湘亮 《中国集成电路》 2023年第3期31-36,共6页

本文设计了一种D类音频功放的过流保护电路。通过和功率管同类型,缩小尺寸的采样管监测流过功率管电流的大小,因此在高侧功率管和低侧功率管过流时,使用一个基准电压值和一个比较器就可以完成过流检测及保护功能,有效降低了过流保护电... 本文设计了一种D类音频功放的过流保护电路。通过和功率管同类型,缩小尺寸的采样管监测流过功率管电流的大小,因此在高侧功率管和低侧功率管过流时,使用一个基准电压值和一个比较器就可以完成过流检测及保护功能,有效降低了过流保护电路的功耗和版图面积。栅驱动电路通过一个自举电容不仅为高侧功率管及采样管的开启提供足够的驱动电压,还为过流保护电路提供选择控制信号,交替检测高低侧功率管的过流情况。过流保护电路采用耐高压结构,保证D类音频功放大功率输出时正常工作。 展开更多

关键词 D类功放 过流保护 栅驱动

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SiC MOSFET栅极驱动电路研究综述 被引量：3

7

作者 周泽坤 曹建文 +1 位作者 张志坚 张波 《电子与封装》 2022年第2期1-11,共11页

凭借碳化硅(SiC)材料的宽禁带、高击穿电场、高电子饱和速率和高导热性等优点,SiC MOSFET广泛应用在高压、高频等大功率场合。传统基于硅(Si)MOSFET的驱动电路无法完全发挥SiC MOSFET的优异性能,针对SiC MOSFET的应用有必要采用合适的... 凭借碳化硅(SiC)材料的宽禁带、高击穿电场、高电子饱和速率和高导热性等优点,SiC MOSFET广泛应用在高压、高频等大功率场合。传统基于硅(Si)MOSFET的驱动电路无法完全发挥SiC MOSFET的优异性能,针对SiC MOSFET的应用有必要采用合适的栅驱动设计技术。目前,已经有很多学者在该领域中有一定的研究基础,为SiC MOSFET驱动电路的设计提供了参考。对现有基于SiC MOSFET的PCB板级设计技术进行了详细说明,并从开关速度、电磁干扰噪声以及能量损耗等方面对其进行了总结和分析,给出了针对SiC MOSFET驱动电路的设计考虑和建议。 展开更多

关键词 电磁干扰噪声 能量损耗 栅驱动 SiC MOSFET

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一种多模式工作的TFTLCD栅驱动芯片设计 被引量：2

8

作者 唐华 吴玉广 《电子器件》 EI CAS 2006年第3期620-623,共4页

针对不同场合的TFTLCD显示屏,设计了一种工作模式可选的栅驱动芯片。芯片具有输出左移/右移控制、输入输出端口选择、输出模式选择、整体和分段清零等功能,并且各个功能之间可相互配合。通过VSEL1,VSEL2,VOE,R/L四个控制信号的配合使用... 针对不同场合的TFTLCD显示屏,设计了一种工作模式可选的栅驱动芯片。芯片具有输出左移/右移控制、输入输出端口选择、输出模式选择、整体和分段清零等功能,并且各个功能之间可相互配合。通过VSEL1,VSEL2,VOE,R/L四个控制信号的配合使用,实现了一组简单高效的控制电路,完成上述的全部功能。最后给出整体控制电路和芯片工作时序。 展开更多

关键词 栅驱动 逻辑控制 模式选择 分段清零

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数码像机显示驱动电路的研究与设计 被引量：2

9

作者 李英博 荆海 +2 位作者 郭树旭 徐杰 郜峰利 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第1期48-51,共4页

根据数码像机的工作原理和显示驱动电路的结构,应用硬件设计出数码像机显示驱动电路。实现数据驱动和图像的清晰显示,达到数码像机的技术要求。

关键词 数码像机 显示驱动电路 电路设计 视频处理 时序控制 源驱动 栅驱动 解调

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绝缘栅双极晶体管的并联应用及保护技术 被引量：1

10

作者 汤灿明 《电子技术应用》 北大核心 1995年第4期39-43,46,共6页

叙述了绝缘栅双极晶体管的概况、特性及并联应用的栅驱动设计、均流、散热设计应考虑的问题.介绍了几种并联应用时采用的栅驱动电路、均流措施、过压过流保护电路.

关键词 绝缘栅双极晶体管 并联应用 栅驱动 均流 保护电路

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高速增强型GaN HEMT栅驱动电路设计 被引量：2

11

作者 黄伟 周德金 +3 位作者 许媛 何宁业 胡一波 胡文新 《电子技术与软件工程》 2018年第22期94-95,共2页

增强型GaN HEMT器件的开关速度较现有硅基MOSFET有很大提高,导致硅基MOSFET栅驱动电路无法用于驱动增强型GaN HEMT器件。本文设计了一种适用于增强型GaN HEMT器件的新型栅驱动电路,进而实现高速开关速度。该驱动电路包括接口电路、死区... 增强型GaN HEMT器件的开关速度较现有硅基MOSFET有很大提高,导致硅基MOSFET栅驱动电路无法用于驱动增强型GaN HEMT器件。本文设计了一种适用于增强型GaN HEMT器件的新型栅驱动电路,进而实现高速开关速度。该驱动电路包括接口电路、死区产生电路、电平移位电路、输出驱动电路、欠压保护电路、过流和过热保护电路,Hspice软件仿真结果表明该栅驱动电路功能正确,性能良好,验证了设计有效性。 展开更多

关键词 增强型 GAN HEMT 驱动电路 栅驱动

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基于ASTLC5301A的TFTLCD栅驱动芯片研究

12

作者 唐华 吴玉广 《现代显示》 2006年第1期59-63,共5页

分析薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)栅驱动芯片ASTLC5301A的原理,借助Pspice仿真工具进行驱动电路的设计,重点讨论芯片内部高低电平位移转换电路,提出改进型电平接口电路,完成高低压驱动管的尺寸和结构设计。

关键词 TFT-LCD 栅驱动 电平转换接口 高压功率管 ASTLC5301A

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用于PFC的快速、低功耗栅驱动电路的设计

13

作者 贾舒方 李威 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2014年第1期152-155,共4页

在功率因数校正电路设计中，栅驱动电路需要有非常快的转换速度和低的功率消耗．为了满足这些要求，对传统的推挽输出电路做了修改，并利用结构简单的电平移位电路，设计了一款新的栅驱动电路．基于0．35μmBCD工艺，采用Hspice仿真工... 在功率因数校正电路设计中，栅驱动电路需要有非常快的转换速度和低的功率消耗．为了满足这些要求，对传统的推挽输出电路做了修改，并利用结构简单的电平移位电路，设计了一款新的栅驱动电路．基于0．35μmBCD工艺，采用Hspice仿真工具，结果表明，在17V电源，4．7nF负载电容，固定开关频率65kHz的条件下，驱动脉冲2-12V上升时间25ns，12～2V的下降时间35ns，驱动模块在高压管导通和关断时的瞬时功耗分别为24．3mW和13．1mW，验证了设计的有效性． 展开更多

关键词 功率因数校正 功耗 栅驱动 电平移位

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一种零死区栅驱动电路的设计

14

作者 石跃 朱世鸿 黄建刚 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期491-493,503,共4页

设计了一种结构新颖、适用于各种同步整流结构的零死区栅驱动电路,并在全桥输出结构的D类放大器中对其可行性进行了验证。通过控制输出同步整流功率管在开关过程中同时切换,避免了功率管寄生体二极管的开启,从而消除了体二极管导通产生... 设计了一种结构新颖、适用于各种同步整流结构的零死区栅驱动电路,并在全桥输出结构的D类放大器中对其可行性进行了验证。通过控制输出同步整流功率管在开关过程中同时切换,避免了功率管寄生体二极管的开启,从而消除了体二极管导通产生的电磁干扰。基于0.6μmBCD工艺,对提出的零死区栅驱动电路进行仿真验证,结果表明,当穿通电流小于45mA时,可以保证在300mA以内负载电流下功率管的寄生体二极管不开启。 展开更多

关键词 零死区时间 栅驱动 穿通电流 寄生体二极管

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创维MKDY-L5LA10-00电源板维修图解(下)

15

作者 康乐 《家电维修》 2021年第2期I0001-I0002,共2页

图3中U0D2⑩脚是IC内⑨脚高边栅驱动输出电路的供电端,它由⑤脚内电路产生。当LLC电路工作后,⑾脚电压将抬高至200V以上。⑾脚即高低边驱动管中点电压经自举电容C2D4抬高。通常将⑾脚定义为浮地。

关键词 输出电路 中点电压 自举电容 脚电压 电源板 供电端 栅驱动 创维

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TFT-LCD周边驱动电路集成化设计 被引量：21

16

作者 徐杰 杨虹 +2 位作者 郭树旭 李英博 郜峰利 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第1期42-47,共6页

根据N沟道和P沟道多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)的特性,使用Orcad作为辅助工具,设计了应用于132(RGB)×176TFT LCD的栅驱动电路和数据驱动电路。依据132RGB×176TFT LCD的参数对电路进行了模拟,实现了小尺寸液晶屏的p SiTFT周... 根据N沟道和P沟道多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)的特性,使用Orcad作为辅助工具,设计了应用于132(RGB)×176TFT LCD的栅驱动电路和数据驱动电路。依据132RGB×176TFT LCD的参数对电路进行了模拟,实现了小尺寸液晶屏的p SiTFT周边集成驱动电路的设计。 展开更多

关键词 TFT-LCD 多晶硅薄膜晶体管 集成周边驱动电路 液晶显示 电路设计 栅驱动电路 数据驱动电路

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GaN功率器件栅驱动电路技术综述 被引量：13

17

作者 冯旭东 胡黎 +3 位作者 张宣 明鑫 周琦 张波 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第2期207-213,共7页

第三代宽禁带半导体GaN晶体管具有低导通阻抗、低寄生参数和更快的开关速度,有望取代传统Si MOSFET,成为未来高性能电源系统实现方案。GaN器件的优势在400 V以上高压系统中更为明显,可以实现更高的开关频率和功率密度,显著提高系统的转... 第三代宽禁带半导体GaN晶体管具有低导通阻抗、低寄生参数和更快的开关速度,有望取代传统Si MOSFET,成为未来高性能电源系统实现方案。GaN器件的优势在400 V以上高压系统中更为明显,可以实现更高的开关频率和功率密度,显著提高系统的转换效率,特别适合电源模块小型化发展趋势。介绍了200 V以下低压GaN驱动电路的应用和关键技术。分析了从低压系统拓展到400 V以上高压系统时需要作出的优化与改进。详细介绍了高压GaN系统中基于无磁芯变压器耦合隔离的隔离驱动技术和耗尽型GaN负压栅驱动技术。最后,总结了目前高压GaN驱动电路在工业领域的具体应用。 展开更多

关键词 低压GaN驱动 高压GaN驱动 无磁芯变压器隔离 耗尽型GaN 负压栅驱动

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GaN HEMT栅驱动技术研究进展 被引量：8

18

作者 周德金 何宁业 +5 位作者 宁仁霞 许媛 徐宏 陈珍海 黄伟 卢红亮 《电子与封装》 2021年第2期35-46,I0002,共13页

GaN HEMT器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高效、高频功率转换领域中有着广泛的应用前景。栅驱动芯片对于GaN HEMT器件应用起着至关重要的作用。介绍了GaN HEMT器件特性和驱动要求,对其栅驱动芯片的典型架构和每种芯片... GaN HEMT器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高效、高频功率转换领域中有着广泛的应用前景。栅驱动芯片对于GaN HEMT器件应用起着至关重要的作用。介绍了GaN HEMT器件特性和驱动要求,对其栅驱动芯片的典型架构和每种芯片架构各自的关键实现技术研究现状进行了综述。同时介绍了GaN基单片集成功率IC的发展状况,对栅驱动芯片的实现技术进行了总结。 展开更多

关键词 GaN HEMT 栅驱动电路 电平移位 绝缘隔离 半桥

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GaN HEMT及GaN栅驱动电路在DToF激光雷达中的应用 被引量：2

19

作者 秦尧 明鑫 +2 位作者 叶自凯 庄春旺 张波 《电子与封装》 2023年第1期22-29,共8页

DToF(Direct Time-of-Flight)激光雷达通过直接测量激光的飞行时间完成距离测量和地图成像,应用于自动驾驶的DToF激光雷达需要具备更高的分辨率和更宽的检测范围。GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)相对于传统Si基功率MOSFET的优异特性使其... DToF(Direct Time-of-Flight)激光雷达通过直接测量激光的飞行时间完成距离测量和地图成像,应用于自动驾驶的DToF激光雷达需要具备更高的分辨率和更宽的检测范围。GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)相对于传统Si基功率MOSFET的优异特性使其非常适合应用于自动驾驶中的DToF激光雷达,而GaN HEMT性能的发挥依赖于高速、高驱动能力和高可靠性的GaN栅驱动电路。针对应用于自动驾驶的DToF激光雷达系统,从系统电路到核心元器件,分析了激光二极管驱动电路面临的设计挑战、GaN HEMT的优势以及GaN栅驱动电路面临的设计挑战,并介绍了适合该应用的GaN栅驱动电路。 展开更多

关键词 DToF激光雷达 激光二极管驱动电路 GaN HEMT GaN栅驱动电路

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提高GaN功率器件开关频率的技术途径 被引量：5

20

作者 孙素静 赵正平 冯志红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期1-9,共9页

GaN基增强型高速开关器件是提升X波段微系统集成放大器工作效率的核心器件。介绍了凹槽栅结构、F-注入等制作GaN基增强型器件的关键技术,同时分析了场板、介质栅等对器件击穿特性的影响。针对影响GaN基功率器件开关特性的主要因素,重点... GaN基增强型高速开关器件是提升X波段微系统集成放大器工作效率的核心器件。介绍了凹槽栅结构、F-注入等制作GaN基增强型器件的关键技术,同时分析了场板、介质栅等对器件击穿特性的影响。针对影响GaN基功率器件开关特性的主要因素,重点分析了提高增强型GaN基功率器件开关频率的主要技术途径。减小器件的接触电阻、沟道方块电阻可以降低器件电阻对频率的影响。小栅长器件中栅电容较低,电子的沟道渡越时间较短,也可以提高器件的频率特性。此外,由于GaN基的功率器件频率高,设计应用在GaN器件上的栅驱动电路显得尤为重要。 展开更多

关键词 GAN 开关频率 增强型 栅绝缘层 栅驱动电路

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