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栅绝缘层过孔的反应离子刻蚀研究 被引量：3
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作者 姜晓辉 田宗民 +9 位作者 李田生 张家祥 王亮 沈奇雨 崔玉琳 侯学成 郭建 陈旭 谢振宇 闵泰烨 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期278-281,共4页
为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势,以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品,本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理,通过实验以及测试研究与分析了刻蚀过刻量、刻蚀反... 为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势,以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品,本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理,通过实验以及测试研究与分析了刻蚀过刻量、刻蚀反应压力以及刻蚀气体比例等因素对栅绝缘层过孔刻蚀坡度角的影响。实验结果表明:当SF6气体比例为M3、反应压强为p3,制备的栅绝缘过孔坡度角较理想。 展开更多
关键词 栅绝缘层过孔 反应离子刻蚀 过刻量 气体比例
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