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题名温度和氯源对大功率IGBT栅氧工艺的影响
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作者
张泉
刘国友
黄建伟
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机构
株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心(Lincoln分中心)
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出处
《大功率变流技术》
2015年第6期41-44,共4页
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文摘
采用C-V测试技术对大功率IGBT栅氧制备工艺中常用的两种栅氧生长方法——干氧和湿氧进行了研究,重点分析了氧化温度和氯源对栅氧化层工艺质量的影响,特别是对栅氧化层固定电荷和界面陷阱电荷的影响。研究结果表明：在1 000-1 150℃温度区间,非掺氯干氧通过高温氮气退火处理可获得好的固定电荷密度（Nss）特性,氧化温度对N_（ss）影响很小,但对于掺氯干氧,当氧化温度超过1 050℃时,N_（ss）会明显增大;通过450℃氢退火处理,可将干氧的界面陷阱电荷密度（D_（it））控制在较低范围内,氧化温度和氯源对干氧的D_（it）影响不明显;在850-1 000℃温度区间,湿氧无法通过高温氮气退火和450℃氢退火处理而同时获得好的Nss和Dit特性,氧化温度和氯源对N_（ss）和D_（it_的影响较干氧的明显。
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关键词
IGBT
栅氧工艺
栅氧电荷
氧化温度
氯源
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Keywords
IGBT
gate oxide process
gate oxide charge
oxidation temperature
chlorine source
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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