基于原位水汽生成的超薄栅氧膜电学特性研究(英文) 被引量：4

1

作者 孙凌 高超 +1 位作者 王磊 杨华岳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期995-999,共5页

介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究。通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺相比传统炉管氧化工艺能够有效地提高界面态特性,这种电学特性上的提高被认为与活性氧原子的氧化机制有关... 介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究。通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺相比传统炉管氧化工艺能够有效地提高界面态特性,这种电学特性上的提高被认为与活性氧原子的氧化机制有关。同时,通过测试还发现提高生长温度和减小H2在反应气体中的比重可以获得更好的电特性,这也指明了原位水汽生长工艺存在进一步提高的可能。 展开更多

关键词 原位水汽生成 界面态 迁移率 栅氧化膜

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等离子体工艺引起栅氧化膜损伤的分析 被引量：2

2

作者 陈彪 陈爱兰 《上海第二工业大学学报》 2005年第3期37-39,共3页

目前在大规模集成电路制造中,IC生产已经进入深亚微米和超深亚微米工艺时代。随着MOS尺寸的不断缩小,等离子体工艺已经成为主流。等离子体工艺引起的栅氧化膜损伤越来越受重视,它可以使MOS器件的各种电学参数发生变化,从而影响器件的性... 目前在大规模集成电路制造中,IC生产已经进入深亚微米和超深亚微米工艺时代。随着MOS尺寸的不断缩小,等离子体工艺已经成为主流。等离子体工艺引起的栅氧化膜损伤越来越受重视,它可以使MOS器件的各种电学参数发生变化,从而影响器件的性能。本文讨论了等离子体工艺损伤的形成机理、充电损伤和辐射损伤两种损伤模式及减少等离子损伤的几种措施。最后提出了目前有待于进一步研究的问题。 展开更多

关键词 等离子体损伤(P2ID) 栅氧化膜 MOS

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HDP介质淀积引起的等离子充电损伤机制研究 被引量：1

3

作者 王鹏 卜皎 +5 位作者 刘玉伟 曹刚 石艳玲 刘春玲 李菲 孙玲玲 《电子器件》 CAS 2009年第3期526-528,共3页

高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。研究表明在HDP淀积结束... 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。研究表明在HDP淀积结束时的光电导效应使得IMD层(包括FSG和USG)在较短的时间内处于导电状态,较大电流由IMD层流经栅氧化膜,在栅氧化膜中产生缺陷,从而降低了栅氧化膜可靠性。通过对HDP CVD结束后反应腔内气体组分的调节,IMD层的光电导现象得到了一定程度的抑制,等离子充电损伤得到了改善。 展开更多

关键词 等离子体充电损伤 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD) 栅氧化膜 光电导

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脉冲和直流应力下栅氧化膜击穿特性的差别

4

作者 范焕章 王刚宁 +2 位作者 张蓓榕 贺德洪 桂力敏 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期50-54,共5页

本文讨论了在直流电压应力和脉冲电压应力作用下栅氧化膜击穿寿命的差别，脉冲应力下栅氧化膜击穿寿命大于直流电压下的击穿。而且频率越高，两者的差别越大。差别起因于脉冲低电平期间栅氧化膜损伤的自行减少。

关键词 集成电路 可靠性 栅氧化膜 击穿

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0.4～0.25μm时代的栅氧化膜形成技术

5

作者 益国 《电子与封装》 2002年第5期39-42,50,共5页

　　1前言 　　对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM... 　　1前言 　　对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM还要早一个时代,对于0.25μm工艺来说,则要求使用6nm这样极薄的氧化膜. 　　…… 展开更多

关键词 栅氧化膜 减薄 缺陷密度 薄膜化

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0.4～0.25μm时代的离子注入技术

6

作者 松川 《电子与封装》 2002年第5期51-54,共4页

1超微细MOS中的离子注入 对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

关键词 栅氧化膜 PMOS 光刻胶 光致抗蚀剂 辅料 自对准 离子束 粒子束 氧扩散 簇射 薄膜化 微细化 电子 轻子 基板 掩模 凹槽 成品率 存储器 存贮器 计算机 硅片 穿通

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薄栅氧化层中陷阱电荷密度的测量方法 被引量：6

7

作者 刘红侠 郑雪峰 郝跃 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期163-166,共4页

提出了一种测量陷阱电荷密度的实验方法 ,该方法根据电荷陷落的动态平衡方程 ,利用恒流应力前后MOS电容高频C V曲线结合恒流应力下栅电压的变化曲线求解陷阱电荷密度及位置等物理量 .给出了陷阱电荷密度的解析表达式和相关参数的提取方... 提出了一种测量陷阱电荷密度的实验方法 ,该方法根据电荷陷落的动态平衡方程 ,利用恒流应力前后MOS电容高频C V曲线结合恒流应力下栅电压的变化曲线求解陷阱电荷密度及位置等物理量 .给出了陷阱电荷密度的解析表达式和相关参数的提取方法和结果 . 展开更多

关键词 薄栅氧化膜 经时击穿 恒流应力 陷阱电荷密度 测量方法 超大规模集成电路 可靠性

原文传递

铅酸蓄电池正极板栅氧化膜性质的测定 被引量：3

8

作者 李伟善 田立朋 陈红雨 《电池》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期39-40,共2页

用慢速线性电位扫描法测定铅酸蓄电池正极板栅电极的阴极还原曲线，可以确定正极板栅氧化膜的性质：膜的组成及膜成分的含量。正极板栅氧化膜的性质是决定电池放电容量及电池寿命的重要因素之一。确定正极板栅氧化膜的性质有利于选择合... 用慢速线性电位扫描法测定铅酸蓄电池正极板栅电极的阴极还原曲线，可以确定正极板栅氧化膜的性质：膜的组成及膜成分的含量。正极板栅氧化膜的性质是决定电池放电容量及电池寿命的重要因素之一。确定正极板栅氧化膜的性质有利于选择合适的合金材料和确定适当电池生产工艺条件。 展开更多

关键词 正极板栅氧化膜 线性电位扫描 铅酸蓄电池

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薄栅介质陷阱密度的求解和相关参数的提取 被引量：2

9

作者 刘红侠 郝跃 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期952-956,共5页

采用恒定电流应力对薄栅氧化层 MOS电容进行了 TDDB评价实验 ,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法 .该方法根据电荷陷落的动态平衡方程 ,测量恒流应力下 MOS电容的栅电压变化曲线和应力前后的高频 C- V曲线变化求解陷阱密... 采用恒定电流应力对薄栅氧化层 MOS电容进行了 TDDB评价实验 ,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法 .该方法根据电荷陷落的动态平衡方程 ,测量恒流应力下 MOS电容的栅电压变化曲线和应力前后的高频 C- V曲线变化求解陷阱密度 .从实验中可以直接提取表征陷阱的动态参数 .在此基础上 ,可以对器件的累积失效率进行精确的评估 . 展开更多

关键词 薄栅氧化膜 经时击穿 陷阱密度 累积失效率 CMOS集成电路

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沟槽栅功率器件栅氧化膜特性的工艺研究

10

作者 雷海波 王飞 肖胜安 《集成电路应用》 2013年第11期20-24,共5页

本文分析了沟槽栅功率器件中对栅氧化膜特性造成影响的主要工艺因素,报告了一种获得高性能栅氧特性的方法,并且对栅氧化膜特性改善的机理进行了研究。对于厚度55nm的沟槽栅氧化膜,其正向偏置和反向偏置下的击穿电压都高于30伏特。

关键词 沟槽 VDMOS(垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管) 栅氧化膜特性

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制备薄栅氧化膜的研究

11

作者 许曙明 章定康 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第1期41-43,共3页

本文比较了标准氧化法,低温氧化、高温退火的两步氧化法及中间退火的两步HCl氧化法的优缺点,从而提出了三步HCl氢化的方法。采用此种方法所制得的氧化膜耐压有所提高,界面态密度、表面电荷及缺陷密度有所下降,采用此法生长栅氧化膜制出... 本文比较了标准氧化法,低温氧化、高温退火的两步氧化法及中间退火的两步HCl氧化法的优缺点,从而提出了三步HCl氢化的方法。采用此种方法所制得的氧化膜耐压有所提高,界面态密度、表面电荷及缺陷密度有所下降,采用此法生长栅氧化膜制出的CMOS电路,取得了良好的结果。 展开更多

关键词 薄栅氧化膜 HCl氧化法 MOS

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