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题名基于GGNMOS的ESD建模与仿真技术研究
被引量：3
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作者
郭鑫
唐晓莉
张怀武
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2015年第2期327-329,共3页
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基金
自然科学基金资助项目(51171038)
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文摘
随着微电子加工工艺技术的发展,集成电路对静电越来越敏感。设计合理有效的静电放电(ESD)保护器件显得日趋重要。传统的"手动计算+流片验证"的设计方法费时耗力。该文基于栅极接地的NMOS(GGNMOS)器件,以Sentaurus为仿真平台,建立器件模型,根据ESD防护能力的需求,计算出GGNMOS的设计参数,设计出防护指标达到人体模型(HBM)4.5kV的管子。结果表明,该方法简单有效,能缩短设计周期,是防护器件设计的一种优秀方法。
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关键词
栅极接地的nmos(ggnmos)
人体模型(HBM)
静电放电(ESD)
建模
仿真
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Keywords
grounded gate nmos（ggnmos）
human body model（HBM）
electrostatic discharge（ESD）
modeling
simulation
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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