在薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)的栅极(Gate)刻蚀制程中,显示区(AA区)和引线区(Fanout区)因布线密度差异而存在刻蚀负载效应,两区域刻蚀程度差异大,刻蚀时间难以确定。抑制栅极刻蚀制程中的刻蚀负载效应,对品质确保具有积极意...在薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)的栅极(Gate)刻蚀制程中,显示区(AA区)和引线区(Fanout区)因布线密度差异而存在刻蚀负载效应,两区域刻蚀程度差异大,刻蚀时间难以确定。抑制栅极刻蚀制程中的刻蚀负载效应,对品质确保具有积极意义。本文分析了湿法刻蚀微观过程,提出增加刻蚀液喷淋流量抑制刻蚀负载效应的方案。将增加喷淋流量的方案转化为调节3个刻蚀腔室(Etch1~Etch3)的刻蚀时间比例。在总刻蚀时间不变的前提下,进行3腔室不同时间比例的刻蚀验证,并对刻蚀结果进行聚类分析。最后,优选出抑制刻蚀负载效应的时间比例,并结合神经网络分析,对结果进行解析。实验结果表明,降低Etch3时间比例,增加Etch2时间比例,刻蚀负载效应可以被抑制。Etch1~Etch3的时间比例由33.33%∶33.33%∶33.33%调整为10%∶80%∶10%,AA区和fanout区刻蚀程度差异由0.575μm下降为0.317μm。通过调节3个刻蚀区间的时间比例,可以抑制刻蚀负载效应,缓解不同区域刻蚀程度差异,满足TFT量产需求。展开更多
使用聚焦深度表面测量(DFF)方法对加速栅极下游表面腐蚀深度进行了测量,并将测量结果与数值模拟结果进行了比较,所使用的数值方法为PIC-Monte Carlo方法.利用数值模拟程序对离子发动机栅极腐蚀进行了数值模拟.以氙为推进剂,栅极材料为钼...使用聚焦深度表面测量(DFF)方法对加速栅极下游表面腐蚀深度进行了测量,并将测量结果与数值模拟结果进行了比较,所使用的数值方法为PIC-Monte Carlo方法.利用数值模拟程序对离子发动机栅极腐蚀进行了数值模拟.以氙为推进剂,栅极材料为钼.用蒙特卡罗方法模拟了氙离子与中性氙原子之间的电荷交换碰撞.模拟得到了加速栅极下游表面离子溅射腐蚀的深度分布,腐蚀模式与"Pits and grooves"模式相吻合.展开更多
文摘在薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)的栅极(Gate)刻蚀制程中,显示区(AA区)和引线区(Fanout区)因布线密度差异而存在刻蚀负载效应,两区域刻蚀程度差异大,刻蚀时间难以确定。抑制栅极刻蚀制程中的刻蚀负载效应,对品质确保具有积极意义。本文分析了湿法刻蚀微观过程,提出增加刻蚀液喷淋流量抑制刻蚀负载效应的方案。将增加喷淋流量的方案转化为调节3个刻蚀腔室(Etch1~Etch3)的刻蚀时间比例。在总刻蚀时间不变的前提下,进行3腔室不同时间比例的刻蚀验证,并对刻蚀结果进行聚类分析。最后,优选出抑制刻蚀负载效应的时间比例,并结合神经网络分析,对结果进行解析。实验结果表明,降低Etch3时间比例,增加Etch2时间比例,刻蚀负载效应可以被抑制。Etch1~Etch3的时间比例由33.33%∶33.33%∶33.33%调整为10%∶80%∶10%,AA区和fanout区刻蚀程度差异由0.575μm下降为0.317μm。通过调节3个刻蚀区间的时间比例,可以抑制刻蚀负载效应,缓解不同区域刻蚀程度差异,满足TFT量产需求。
文摘使用聚焦深度表面测量(DFF)方法对加速栅极下游表面腐蚀深度进行了测量,并将测量结果与数值模拟结果进行了比较,所使用的数值方法为PIC-Monte Carlo方法.利用数值模拟程序对离子发动机栅极腐蚀进行了数值模拟.以氙为推进剂,栅极材料为钼.用蒙特卡罗方法模拟了氙离子与中性氙原子之间的电荷交换碰撞.模拟得到了加速栅极下游表面离子溅射腐蚀的深度分布,腐蚀模式与"Pits and grooves"模式相吻合.
