期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究 被引量：4
1
作者 朱天伟 徐波 +5 位作者 何军 赵凤瑷 张春玲 谢二庆 刘峰奇 王占国 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期301-305,共5页
利用固源分子束外延 (MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛 .具体分析了GaAs间隔层厚度 ,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响 .原子力显微镜 (AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀 ;... 利用固源分子束外延 (MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛 .具体分析了GaAs间隔层厚度 ,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响 .原子力显微镜 (AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀 ;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到 1 32和 1 4 μm ,而单层量子点的发光波长仅为 1 1μm ,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响 ,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法 . 展开更多
关键词 砷化铟 砷化镓 柱形岛 生长停顿 间隔层厚度 PL谱 分子束外延 量子点 发光波长
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部