O484.1 2002032055Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究=Study of Ge thin heterostructures by synchrotronradiation X-ray reflection[刊,中]/郑文莉,贾全杰,姜晓明(中科院高能物理所.北京(100039)),蒋最敏(复旦大学应用表面物...O484.1 2002032055Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究=Study of Ge thin heterostructures by synchrotronradiation X-ray reflection[刊,中]/郑文莉,贾全杰,姜晓明(中科院高能物理所.北京(100039)),蒋最敏(复旦大学应用表面物理国家重点实验室.上海(200433))//高能物理与核物理.-2001,25(12).-1231-1237用X射线反射方法研究了分子束外延生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性。根据X射线反射理论Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式,且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数对样品低角反射曲线的影响。图3表2参12(李瑞琴)O484.1 2002032056掺氨对类金刚石薄膜场发射的影响=Effect of nitrogenaddition on field emission of diamond-likecarbon films[刊,中]/马会中。展开更多
O484.5 2001010482半导体光电薄膜的分析和检测=Analysis andinspection of semiconductor optoelectronicfilms[刊,中]/罗江财(重庆光电技术研究所.重庆(400060))∥半导体光电.-2000,21(增刊).-81-83半导体光电薄膜的制备,是半导体光...O484.5 2001010482半导体光电薄膜的分析和检测=Analysis andinspection of semiconductor optoelectronicfilms[刊,中]/罗江财(重庆光电技术研究所.重庆(400060))∥半导体光电.-2000,21(增刊).-81-83半导体光电薄膜的制备,是半导体光电器件最重要和最基本的工艺过程。半导体光电薄膜的分析和检测是器件开发中必须首先要解决的重要问题之一。介绍了半导体光电薄膜的分析和检测以及分析技术和仪器设备的发展现状。图3表2(任延同)0484.5 2001010483用X射线衍射仪测试PtSi膜=Measurement ofPtSi films by X-ray diffractometers[刊。展开更多
文摘O484.1 2002032055Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究=Study of Ge thin heterostructures by synchrotronradiation X-ray reflection[刊,中]/郑文莉,贾全杰,姜晓明(中科院高能物理所.北京(100039)),蒋最敏(复旦大学应用表面物理国家重点实验室.上海(200433))//高能物理与核物理.-2001,25(12).-1231-1237用X射线反射方法研究了分子束外延生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性。根据X射线反射理论Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式,且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数对样品低角反射曲线的影响。图3表2参12(李瑞琴)O484.1 2002032056掺氨对类金刚石薄膜场发射的影响=Effect of nitrogenaddition on field emission of diamond-likecarbon films[刊,中]/马会中。
文摘O484.5 2001010482半导体光电薄膜的分析和检测=Analysis andinspection of semiconductor optoelectronicfilms[刊,中]/罗江财(重庆光电技术研究所.重庆(400060))∥半导体光电.-2000,21(增刊).-81-83半导体光电薄膜的制备,是半导体光电器件最重要和最基本的工艺过程。半导体光电薄膜的分析和检测是器件开发中必须首先要解决的重要问题之一。介绍了半导体光电薄膜的分析和检测以及分析技术和仪器设备的发展现状。图3表2(任延同)0484.5 2001010483用X射线衍射仪测试PtSi膜=Measurement ofPtSi films by X-ray diffractometers[刊。
