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EUV光刻中激光等离子体光源的发展
被引量:
5
1
作者
张福昌
李艳秋
《微细加工技术》
EI
2006年第5期1-7,12,共8页
简述了获得极紫外光源的途径,系统介绍了激光等离子体(LPP)光源的发展历程,对当前Cymer公司研制的极紫外光刻设备所需LPP光源的最新研究进展做了详细阐述,最后对光源的整体发展给予了总结和展望。
关键词
极
紫外光
刻
激
光
等离子体
极
紫外光
功率
碎片污染
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职称材料
题名
EUV光刻中激光等离子体光源的发展
被引量:
5
1
作者
张福昌
李艳秋
机构
中国科学院电工研究所
出处
《微细加工技术》
EI
2006年第5期1-7,12,共8页
基金
863IC装备专项资助
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2003CB716204)
文摘
简述了获得极紫外光源的途径,系统介绍了激光等离子体(LPP)光源的发展历程,对当前Cymer公司研制的极紫外光刻设备所需LPP光源的最新研究进展做了详细阐述,最后对光源的整体发展给予了总结和展望。
关键词
极
紫外光
刻
激
光
等离子体
极
紫外光
功率
碎片污染
Keywords
EUV lithography
LPP
EUV power
debris contamination
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
EUV光刻中激光等离子体光源的发展
张福昌
李艳秋
《微细加工技术》
EI
2006
5
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